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公开(公告)号：CN105556685A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201580001916.1
申请日：2015-03-23
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: H01L33/32 , C30B9/12 , C30B19/02 , C30B19/12 , C30B25/18 , C30B28/04 , C30B29/38 , C30B29/406 , C30B29/605 , H01L33/16
Abstract: 本发明提供一种由在大致法线方向上沿特定结晶方位取向的多个氮化镓系单晶粒子构成的多晶氮化镓自立基板。该自立基板的基板表面的利用电子背散射衍射法(EBSD)的反极图成像测定的各氮化镓系单晶粒子的结晶方位按照相对于特定结晶方位以各种角度倾斜的方式分布，其平均倾斜角为1～10°。此外，本发明的发光元件包括所述自立基板和形成于基板上的发光功能层，该发光功能层具有一层以上的在大致法线方向具有单晶结构的由多个半导体单晶粒子构成的层。根据本发明，可以提供能够降低基板表面的缺陷密度的多晶氮化镓自立基板。此外，使用本发明的多晶氮化镓自立基板也可以提供能够获得高发光效率的发光元件。
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公开(公告)号：CN103201235A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201180050721.8
申请日：2011-10-11
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/581 , C04B35/04 , H01L21/3065 , H01L21/31
CPC classification number: H01L21/6833 , C04B35/58 , C04B35/581 , C04B35/6261 , C04B35/62655 , C04B35/645 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3865 , C04B2235/3869 , C04B2235/5445 , C04B2235/762 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C04B2235/9669 , C23C14/3414
Abstract: 静电卡盘（1A）～（1F）包括具有吸附半导体的吸附面（11a）的基座（11A）～（11F）、埋设在基座内的静电卡盘电极（4）。基座包括板状主体部（3）、面对吸附面的表面耐腐蚀层（2）。表面耐腐蚀层（2）为以镁、铝、氧以及氮为主要成分的陶瓷材料，由以在氧化镁中固溶了氮化铝的MgO-AlN固溶体的结晶相作为主相的陶瓷材料构成。
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公开(公告)号：CN103168014A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201180050730.7
申请日：2011-10-11
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/581 , C04B35/04 , H01L21/3065 , H01L21/31
CPC classification number: H01L21/67 , B32B18/00 , C04B35/58 , C04B35/581 , C04B35/6261 , C04B35/62655 , C04B35/645 , C04B37/001 , C04B37/003 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3225 , C04B2235/3865 , C04B2235/5445 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B2237/08 , C04B2237/34 , C04B2237/343 , C04B2237/36 , C04B2237/366 , C04B2237/58 , C04B2237/704 , C04B2237/708 , C04B2237/72 , C23C14/3414 , H01L21/6831 , H05B1/00 , H05B3/283 , Y10T428/24942
Abstract: 一种加热装置，其包括具有加热半导体的加热面的基座（2）和接合到该基座（2）的背面的支撑部（3）。基座（2）由以镁、铝、氧以及氮为主要成分的陶瓷材料构成，该陶瓷材料以氮氧化铝镁相为主相，且使用CuKα线时的XRD波峰至少出现在2θ=47～50°。
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公开(公告)号：CN102639463A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201180004701.7
申请日：2011-10-11
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/581 , C04B35/04 , H01L21/3065 , H01L21/31
CPC classification number: H01L21/6833 , C04B35/58 , C04B35/581 , C04B35/6261 , C04B35/62655 , C04B35/645 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3865 , C04B2235/3869 , C04B2235/5445 , C04B2235/762 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C04B2235/9669 , C23C14/3414
Abstract: 本发明的陶瓷材料，是以镁、铝、氧及氮为主成分的陶瓷材料，主相为氧化镁中固溶了氮化铝的MgO-AlN固溶体的晶相。MgO-AlN固溶体，优选使用CuKα线时的(200)面及(220)面的XRD波峰出现在氧化镁的立方晶波峰与氮化铝的立方晶波峰之间的2θ＝42.9～44.8°，62.3～65.2°，更优选(111)面的XRD波峰出现在氧化镁的立方晶波峰与氮化铝的立方晶波峰之间的2θ＝36.9～39°。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118339330A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202280079682.2
申请日：2022-03-24
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 提供一种在被加工(磨削、研磨、切断等)时难以产生裂纹的AlN单晶基板。该AlN单晶基板在将AlN单晶基板在25℃时的热导率(W/m·K)设为λ25、将AlN单晶基板在200℃时的热导率(W/m·K)设为λ200、将AlN单晶基板在25℃时的电阻率(Ω·cm)设为ρ、将AlN单晶基板在透射光谱中的640～660nm时的透过率(％)的平均值设为T640－660、将在上述透射光谱中的260～280nm时的透过率(％)的平均值设为T260－280时，满足5≤[(λ25－λ200)×log10ρ]/(T640－660－T260－280)≤50的关系式。
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公开(公告)号：CN114761629B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202180006615.3
申请日：2021-01-15
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C30B29/36 , C30B1/02 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L29/161
Abstract: 双轴取向SiC复合基板(10)具备：第一双轴取向SiC层(20)，其包含贯通螺旋位错以及基底面位错；以及第二双轴取向SiC层(30)，其与第一双轴取向SiC层(20)连续地形成，并含有1×1016atoms/cm3以上且1×1019atoms/cm3以下的稀土元素。第二双轴取向SiC层(30)的表面的缺陷密度小于第一双轴取向SiC层(20)的缺陷密度。
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公开(公告)号：CN115057711A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202210702305.1
申请日：2018-10-24
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/645 , C04B35/111 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种平坦片材，其中，用厚度为75μm且表面的算术平均粗糙度Ra为0.03μm的PET膜夹持所述平坦片材后，载置于厚度为10mm且表面的算术平均粗糙度Ra为0.29μm的不锈钢板上并进行真空包装，以200kg/cm2进行等静压压制后，所述平坦片材的与所述不锈钢板侧相反一侧的面的截面曲线的最大截面高度Pt为0.8μm以下。
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