公开(公告)号：CN116895587A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202211703797.2

申请日：2022-12-29

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 井上靖也 ,  久野达也 ,  森冈育久

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/687 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明涉及晶片载放台，课题在于：改善晶片的均热性、并且防止气体中间通路内的放电。晶片载放台(10)具备：陶瓷板(20)，内置有电极(22)；导电性板(30)，设置于陶瓷板(20)的下表面侧；导电性接合层(40)，将陶瓷板(20)与导电性板(30)接合；气体中间通路(50)，设置于导电性接合层(40)与导电性板(30)的界面；多个气体供给通路(52)，它们从气体中间通路(50)贯通导电性接合层(40)及陶瓷板(20)而到达晶片载放面(21)；气体导入通路(54)，它们设置为在上下方向贯通导电性板(30)而与气体中间通路(50)连通，数量比与气体中间通路(50)连通的气体供给通路(52)的数量少。

公开(公告)号：CN111226309B

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN201880067044.2

申请日：2018-10-31

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 久野达也 ,  森冈育久 ,  相川贤一郎

IPC: H01L21/683 ,  H02N13/00

Abstract: 静电卡盘组件(15)具备：陶瓷体(22)，其在作为圆形表面的晶片载置面(22a)的外周部具有位置比晶片载置面(22a)低的F/R载置面(28a)；晶片吸附用电极(32)，其埋设于陶瓷体(22)的内部中的与晶片载置面(22a)对置的位置；F/R吸附用电极(38)，其埋设于陶瓷体(22)的内部中的与F/R载置面(28a)对置的位置；用于积存气体的凹凸区域(29)，其设置于F/R载置面(28a)的表面；聚焦环(50)，其载置于F/R载置面(28a)；以及一对弹性环状密封材料(60)，其处于聚焦环载置面(28a)与聚焦环(50)之间且以包围凹凸区域(29)的方式配置于F/R载置面(28a)的内周侧和外周侧。

公开(公告)号：CN116110766A

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202210788357.5

申请日：2022-07-06

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 井上靖也 ,  久野达也 ,  森冈育久

IPC: H01J37/20 ,  H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供晶片载放台，提高晶片的均热性。晶片载放台(10)具备：陶瓷基材(20)、冷却基材(30)、以及金属接合层(40)。陶瓷基材(20)在上表面具有能够载放晶片的晶片载放面(22a)且内置有晶片吸附用电极(26)。冷却基材(30)具有冷媒流路(32)。金属接合层(40)将陶瓷基材(20)和冷却基材(30)接合。关于冷媒流路(32)中的俯视与晶片载放面(22a)重复的区域处的最上游部(32U)和最下游部(32L)的冷媒流路(32)的顶面至晶片载放面(22a)的距离(d)，最下游部(32L)的距离(d)比最上游部(32U)的距离(d)短。

公开(公告)号：CN101389161B

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN200810215336.4

申请日：2008-09-05

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 森冈育久 ,  鹤田英芳 ,  相原靖文

IPC: H01L21/00 ,  H05B3/06 ,  H05B3/28 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/67103

Abstract: 本发明涉及加热装置。提供能够在面内均匀地加热安装在加热面上的被加热物，并且可在较宽的温度范围内维持良好的均热性的加热装置。加热装置(10)具备：具有加热面(11a)、埋设有电阻发热体(12)的陶瓷基体(11)和接近该陶瓷基体(11)的背面(11b)安装固定的温度调节部件(21)。在该陶瓷基体(11)的加热面和电阻发热体(12)之间配置有具有导热率比陶瓷基体(11)的导热率更高的导热性部件(14)。在陶瓷基体(11)和温度调节部件(21)之间的间隙(31)压力可调地导入气体。

公开(公告)号：CN100568482C

公开(公告)日：2009-12-09

申请号：CN200710146598.5

申请日：2007-08-22

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 曻和宏 ,  川尻哲也 ,  服部亮誉 ,  森冈育久

IPC: H01L21/683

CPC classification number: H01L21/6831 ,  Y10T279/23

Abstract: 本发明提供吸附特性、热均匀性和耐绝缘破坏性优良的带加热器的静电吸盘。带加热器的静电吸盘(1)具备由包含氧化铝的烧结体做成的基体(2)、在基体中的上侧设置的ESC电极(3)、埋在基体中的下侧而设置的电阻发热体(4)，基体由从ESC电极到基体的上表面(2a)的电介质层(21)、从ESC电极到基体的下表面(2b)的支撑部件(22)构成。支撑部件在与电介质层相接的ESC电极附近区域(22a)和比该ESC电极附近区域(22a)更下方的下方区域(22b)的碳含量不同，电介质层中的碳含量在100wtppm以下，ESC电极附近区域的碳含量在0.13wt%以下，下方区域的碳含量在0.03wt%以上，并且，该ESC电极附近区域的碳含量比下方区域的碳含量更小。电阻发热体(4)含有铌或铂。

公开(公告)号：CN116110766B

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202210788357.5

申请日：2022-07-06

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 井上靖也 ,  久野达也 ,  森冈育久

IPC: H01J37/20 ,  H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供晶片载放台，提高晶片的均热性。晶片载放台(10)具备：陶瓷基材(20)、冷却基材(30)、以及金属接合层(40)。陶瓷基材(20)在上表面具有能够载放晶片的晶片载放面(22a)且内置有晶片吸附用电极(26)。冷却基材(30)具有冷媒流路(32)。金属接合层(40)将陶瓷基材(20)和冷却基材(30)接合。关于冷媒流路(32)中的俯视与晶片载放面(22a)重复的区域处的最上游部(32U)和最下游部(32L)的冷媒流路(32)的顶面至晶片载放面(22a)的距离(d)，最下游部(32L)的距离(d)比最上游部(32U)的距离(d)短。

公开(公告)号：CN116110765A

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202210788205.5

申请日：2022-07-06

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 井上靖也 ,  久野达也 ,  森冈育久

IPC: H01J37/20 ,  H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供晶片载放台，提高晶片的均热性。晶片载放台(10)具备：陶瓷基材(20)、冷却基材(30)、以及金属接合层(40)。陶瓷基材(20)在上表面具有能够载放晶片的晶片载放面(22a)且内置有晶片吸附用电极(26)。冷却基材(30)具有冷媒流路(32)。金属接合层(40)将陶瓷基材(20)和冷却基材(30)接合。关于冷媒流路(32)中的俯视与晶片载放面(22a)重复的区域处的最上游部(32U)和最下游部(32L)的冷媒流路(32)的截面积，最下游部(32L)的该截面积比最上游部(32U)的该截面积小。

公开(公告)号：CN111226309A

公开(公告)日：2020-06-02

申请号：CN201880067044.2

申请日：2018-10-31

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 久野达也 ,  森冈育久 ,  相川贤一郎

IPC: H01L21/683 ,  H02N13/00

Abstract: 静电卡盘组件(15)具备：陶瓷体(22)，其在作为圆形表面的晶片载置面(22a)的外周部具有位置比晶片载置面(22a)低的F/R载置面(28a)；晶片吸附用电极(32)，其埋设于陶瓷体(22)的内部中的与晶片载置面(22a)对置的位置；F/R吸附用电极(38)，其埋设于陶瓷体(22)的内部中的与F/R载置面(28a)对置的位置；用于积存气体的凹凸区域(29)，其设置于F/R载置面(28a)的表面；聚焦环(50)，其载置于F/R载置面(28a)；以及一对弹性环状密封材料(60)，其处于聚焦环载置面(28a)与聚焦环(50)之间且以包围凹凸区域(29)的方式配置于F/R载置面(28a)的内周侧和外周侧。

公开(公告)号：CN101207945B

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN200710192722.1

申请日：2007-11-16

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 森冈育久 ,  相原靖文 ,  鹤田英芳

IPC: H05B3/06 ,  H05B3/28 ,  H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/316 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供在半导体制造工艺中能够均匀地加工被加热物的加热装置。加热装置(10)具备：具有加热面的基体(11)；以及埋设在该陶瓷基体(11)的内部的发热体(12)。在该陶瓷基体(11)内部的加热面(11a)和所述发热体(12)之间具有导热性部件(14)。导热性部件(14)具有比陶瓷基体高的导热率。

公开(公告)号：CN101131955A

公开(公告)日：2008-02-27

申请号：CN200710146598.5

申请日：2007-08-22

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 曻和宏 ,  川尻哲也 ,  服部亮誉 ,  森冈育久

IPC: H01L21/683

CPC classification number: H01L21/6831 ,  Y10T279/23

Abstract: 本发明提供吸附特性、热均匀性和耐绝缘破坏性优良的带加热器的静电吸盘。带加热器的静电吸盘(1)具备由包含氧化铝的烧结体做成的基体(2)、在基体中的上侧设置的ESC电极(3)、埋在基体中的下侧而设置的电阻发热体(4)，基体由从ESC电极到基体的上表面(2a)的电介质层(21)、从ESC电极到基体的下表面(2b)的支撑部件(22)构成。支撑部件在与电介质层相接的ESC电极附近区域(22a)和比该ESC电极附近区域(22a)更下方的下方区域(22b)的碳含量不同，电介质层中的碳含量在100wtppm以下，ESC电极附近区域的碳含量在0.13wt％以下，下方区域的碳含量在0.03wt％以上，并且，该ESC电极附近区域的碳含量比下方区域的碳含量更小。电阻发热体(4)含有铌或铂。