公开(公告)号：CN1447448A

公开(公告)日：2003-10-08

申请号：CN03107532.0

申请日：2003-03-26

Applicant: 日本电气株式会社 ,  日立电线株式会社

Inventor： 碓井彰 ,  柴田真佐知 ,  大岛祐一

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/00

CPC classification number: C30B33/00 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/0265 ,  H01L21/02664 ,  Y10T428/265

Abstract: 为了提供一种具有较小扭曲的III族氮化物半导体基片，本发明提供了一种方法，该方法包括如下步骤：在蓝宝石衬底31上，外延生长具有GaN低温生长缓冲层的GaN层33；从由生长反应器中取出的基片上去除该蓝宝石衬底31、GaN缓冲层32和一小部分GaN层33，从而获得自承重GaN基片35；并且然后，通过在NH3气氛、1200℃下，将该GaN基片35放入电炉中对其进行热处理24小时；这导致自承重GaN基片35的扭曲明显减小，使得其正面和反面的位错密度为4×107cm－2和8×105cm－2，从而很好地控制这种低位错密度比值为50。

公开(公告)号：CN1303131A

公开(公告)日：2001-07-11

申请号：CN00129988.3

申请日：2000-10-23

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 砂川晴夫 ,  松本良成 ,  碓井彰

IPC: H01L27/00

CPC classification number: C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18

Abstract: 在蓝宝石(Al2O3)衬底11的(0001)晶面上形成GaN膜12后,通过湿腐蚀而留下岛状GaN膜12。该岛状的GaN膜12的上部由单晶体层构成。通过进行外延生长而留下岛状的GaN膜12,就可以获得几乎没有晶体缺陷的GaN膜12。

公开(公告)号：CN101217110B

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN200810001918.2

申请日：2003-07-01

Applicant: 日本电气株式会社 ,  日立电线株式会社

Inventor： 碓井彰 ,  柴田真佐知 ,  大岛祐一

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/01 ,  C23C16/34 ,  C30B25/02

CPC classification number: H01L21/0242 ,  C23C16/01 ,  C23C16/303 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明提供具有低缺陷密度以及小弯曲的III族氮化物半导体衬底及其生产工艺；例如，根据本发明的工艺包括以下一系列步骤：在蓝宝石衬底(61)上形成金属的Ti膜(63)，随后进行硝化处理，以将其转化为具有精细小孔的TiN膜(64)；然后，在其上生长HVPE-GaN层(66)；通过金属的Ti膜(63)和TiN膜(64)的作用在HVPE-GaN层(66)中形成空腔(65)；从空腔区(65)剥离蓝宝石衬底(61)，以将其去掉。

公开(公告)号：CN100481326C

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN02105475.4

申请日：2002-04-05

Applicant: 索尼株式会社 ,  日本电气株式会社

Inventor： 宫孝夫 ,  富谷茂隆 ,  碓井彰

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/02 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00 ,  C30B29/40

CPC classification number: H01L21/02389 ,  C30B29/60 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  Y10S438/94 ,  Y10S438/977

Abstract: 借助于在单晶衬底上制作结晶缺陷较少的高质量化合物半导体层，并清除单晶衬底而不引起对化合物半导体层的损伤，制造了化合物半导体衬底。此方法包含下列步骤：通过晶体生长，在单晶衬底(蓝宝石衬底)上制作化合物半导体层(第一、第二和第三化合物半导体层)，使化合物半导体层与单晶衬底之间局部具有间隔；以及借助于利用通过单晶衬底并在化合物半导体层中被吸收以熔化单晶衬底与化合物半导体之间的界面的激光束，从蓝宝石衬底侧辐照化合物半导体层，而从蓝宝石衬底清除化合物半导体层。

公开(公告)号：CN1665969A

公开(公告)日：2005-09-07

申请号：CN03815296.7

申请日：2003-06-26

Applicant: 日立电线株式会社 ,  日本电气株式会社

Inventor： 柴田真佐知 ,  大岛祐一 ,  江利健 ,  碓井彰 ,  砂川晴夫

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/205

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明涉及用于生长半导体等、特别是III族氮化物半导体的结晶层的基板的结构及其制造方法。在本发明中，基板上具备两个多孔层，在两个多孔层中，位于最表面的第一多孔层中的空隙的平均开口部直径小于与第一多孔层相比更靠近于基板侧的第二多孔层的空隙的平均直径，第一以及第二多孔层具有10～90％的体积空隙率，且第一多孔层的空隙的50％以上从第一多孔层表面向第一多孔层与第二多孔层的界面贯通。根据本发明的多孔基板，即使采用以往的结晶生长方法，也能容易地在该多孔基板上生长低缺陷密度的外延结晶。

公开(公告)号：CN1218374C

公开(公告)日：2005-09-07

申请号：CN03107532.0

申请日：2003-03-26

Applicant: 日本电气株式会社 ,  日立电线株式会社

Inventor： 碓井彰 ,  柴田真佐知 ,  大岛祐一

IPC: H01L21/322 ,  H01L21/324 ,  H01L21/20 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00

CPC classification number: C30B33/00 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/0265 ,  H01L21/02664 ,  Y10T428/265

Abstract: 为了提供一种具有较小扭曲的III族氮化物半导体基片，本发明提供了一种方法，该方法包括如下步骤：在蓝宝石衬底31上，外延生长具有GaN低温生长缓冲层的GaN层33；从由生长反应器中取出的基片上去除该蓝宝石衬底31、GaN缓冲层32和一小部分GaN层33，从而获得自承重GaN基片35；并且然后，通过在NH3气氛、1200℃下，将该GaN基片35放入电炉中对其进行热处理24小时；这导致自承重GaN基片35的扭曲明显减小，使得其正面和反面的位错密度为4×107cm-2和8×105cm-2，从而很好地控制这种低位错密度比值为50。

公开(公告)号：CN1387231A

公开(公告)日：2002-12-25

申请号：CN02120281.8

申请日：2002-05-21

Applicant: 日本电气株式会社 ,  日立电线株式会社

Inventor： 碓井彰 ,  柴田真佐知 ,  大岛祐一

IPC: H01L21/00 ,  H01L33/00 ,  H01S5/30

Abstract: 在衬底主体的基于氮化物的化合物半导体基层上直接形成金属层,其中金属层包括从这样一组金属中选择的至少一种,该组金属借助于热处理,促使从基层中去掉构成原子;借助于热能的提供,形成穿过所述金属层的许多小孔,并在基于氮化物的化合物半导体基层中形成很多空隙;利用在开始工序中填充所述空隙和后继的在多孔金属层上的主外延生长,以在所述金属层上形成外延生长的基于氮化物的化合物半导体晶体层。