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公开(公告)号：CN1303131A
公开(公告)日：2001-07-11
申请号：CN00129988.3
申请日：2000-10-23
Applicant: 日本电气株式会社
Inventor： 砂川晴夫 , 松本良成 , 碓井彰
IPC: H01L27/00
CPC classification number: C30B23/02 , C30B25/02 , C30B25/18
Abstract: 在蓝宝石(Al2O3)衬底11的(0001)晶面上形成GaN膜12后,通过湿腐蚀而留下岛状GaN膜12。该岛状的GaN膜12的上部由单晶体层构成。通过进行外延生长而留下岛状的GaN膜12,就可以获得几乎没有晶体缺陷的GaN膜12。
