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    具有亚苄基氰基乙酸酯基的抗蚀剂下层膜形成用组合物
    12.
    发明公开
    具有亚苄基氰基乙酸酯基的抗蚀剂下层膜形成用组合物 审中-实审

    公开(公告)号：CN116888537A

    公开(公告)日：2023-10-13

    申请号：CN202280017061.1

    申请日：2022-03-02

    Applicant: 日产化学株式会社

    Inventor： 窪寺俊 ,  西田登喜雄 ,  远藤勇树 ,  岸冈高广

    IPC: G03F7/11

    Abstract: 提供对抗蚀剂溶剂、作为碱水溶液的抗蚀剂显影液显示良好的耐性，同时仅对湿蚀刻药液显示除去性、优选为溶解性的抗蚀剂下层膜。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有：包含下述式(1)所示的部分结构的化合物(A)、和溶剂。(式中，R1、R2各自表示氢原子、碳原子数1～10的烷基或碳原子数6～40的芳基，X表示碳原子数1～10的烷基、羟基、碳原子数1～10的烷氧基、碳原子数1～10的烷氧基羰基、卤原子、氰基、硝基或它们的组合，Y表示直接键合、醚键、硫醚键或酯键，n表示0～4的整数，＊表示与化合物(A)残基的结合部分。)#imgabs0#

    药液耐性保护膜
    13.
    发明公开
    药液耐性保护膜 审中-实审

    公开(公告)号：CN116057103A

    公开(公告)日：2023-05-02

    申请号：CN202180061886.9

    申请日：2021-09-09

    Applicant: 日产化学株式会社

    Inventor： 西田登喜雄 ,  远藤勇树

    IPC: C08G59/40

    Abstract: 提供在半导体基板加工时具有针对湿蚀刻液的良好的掩模(保护)功能、低干蚀刻速度，进一步对高低差基板也被覆性和埋入性良好，埋入后的膜厚差小，能够形成平坦的膜的保护膜形成用组合物和使用该组合物而制造的保护膜、抗蚀剂下层膜、带有抗蚀剂图案的基板和半导体装置的制造方法。一种针对半导体用湿蚀刻液的保护膜形成用组合物，其包含：(A)具有下述式(1‑1)所示的单元结构的聚合物：(在式(1‑1)中，Ar表示苯环、萘环或蒽环，R1表示羟基、可以被甲基保护的巯基、可以被甲基保护的氨基、卤代基、或可以被杂原子取代或中断且可以被羟基取代的碳原子数1～10的烷基，n1表示0～3的整数，L1表示单键或碳原子数1～10的亚烷基，E表示环氧基，T1在n2＝1时表示单键、或可以被醚键、酯键或酰胺键中断的碳原子数1～10的亚烷基，T1在n2＝2时表示氮原子或酰胺键)；(B)除儿茶酚以外的具有酚性羟基的化合物或聚合物；(C)热产酸剂；以及(D)溶剂。

    药液耐性保护膜
    14.
    发明公开
    药液耐性保护膜 审中-实审

    公开(公告)号：CN115280241A

    公开(公告)日：2022-11-01

    申请号：CN202180021035.1

    申请日：2021-03-29

    Applicant: 日产化学株式会社

    Inventor： 桥本雄人 ,  西田登喜雄 ,  远藤勇树

    IPC: G03F7/11 ,  H01L21/027 ,  H01L21/306

    Abstract: 提供在半导体基板加工时针对湿蚀刻液的良好的掩模(保护)功能、此外保存稳定性优异的保护膜形成用组合物和使用该组合物而制造的保护膜、带有抗蚀剂图案的基板和半导体装置的制造方法。一种针对半导体用湿蚀刻液的保护膜形成用组合物，其包含具有下述式(1‑1)所示的单元结构的聚合物、热聚合引发剂和溶剂，(在式(1‑1)中，Ar表示苯环、萘环或蒽环，R1表示羟基、可以被甲基保护的巯基、可以被甲基保护的氨基、卤代基、或可以被杂原子取代或中断且可以被羟基取代的碳原子数1～10的烷基，n1表示0～3的整数，n2表示1或2，L1表示单键或碳原子数1～10的亚烷基，E表示环氧基，T1在n2＝1时表示单键、可以被醚键、酯键、或酰胺键中断的碳原子数1～10的亚烷基，T1在n2＝2时表示氮原子或酰胺键)。

    包含二醇结构的抗蚀剂下层膜形成用组合物
    16.
    发明公开
    包含二醇结构的抗蚀剂下层膜形成用组合物 审中-实审

    公开(公告)号：CN118295212A

    公开(公告)日：2024-07-05

    申请号：CN202410433349.8

    申请日：2021-06-11

    Applicant: 日产化学株式会社

    Inventor： 上林哲 ,  远藤勇树

    IPC: G03F7/11 ,  H01L21/033

    Abstract: 提供能够没有孔隙(空隙)地埋入微细化发展的半导体基板上的微细孔，在膜形成时的膜烧成时产生的升华物少的抗蚀剂下层膜形成用组合物、和兼具在半导体基板加工中作为对湿蚀刻药液的保护膜的功能的药液耐性保护膜组合物。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物或保护膜形成用组合物，其包含：下述式(1)所示的、理论分子量为999以下的化合物；以及有机溶剂。[在式(1)中，Z1包含含氮杂环，U为下述式(2)所示的一价有机基，p表示2～4的整数。][在式(2)中，R1表示碳原子数1～4的亚烷基，A1～A3各自独立地表示氢原子、甲基或乙基，X表示‑COO‑、‑OCO‑、‑O‑、‑S‑和‑NRa‑中的任一者，Ra表示氢原子或甲基。Y表示直接键合或可以被取代的碳原子数1～4的亚烷基，R2、R3和R4各自为氢原子、或者可以被取代的碳原子数1～10的烷基或碳原子数6～40的芳基，R5为氢原子或羟基，n表示整数0或1，m1和m2各自独立地表示整数0或1，＊表示向Z1结合的部分]#imgabs0#

    含有二醇结构的保护膜形成用组合物
    18.
    发明公开
    含有二醇结构的保护膜形成用组合物 审中-实审

    公开(公告)号：CN115917434A

    公开(公告)日：2023-04-04

    申请号：CN202180041589.8

    申请日：2021-06-11

    Applicant: 日产化学株式会社

    Inventor： 西田登喜雄 ,  桥本雄人 ,  远藤勇树

    IPC: G03F7/11

    Abstract: 本发明提供保护膜形成用组合物，其于半导体基板加工时具有对湿蚀刻液的良好掩模(保护)功能，具有低蚀刻速度，进而对高低差基板的被覆性和嵌埋性良好，嵌埋后的膜厚差小，能够形成平坦的膜。本发明还提供使用该组合物制造的保护膜、抗蚀剂下层膜、附抗蚀剂图案的基板和半导体装置的制造方法。一种防御半导体用湿蚀刻液的保护膜形成用组合物，包含分子量为1500以下的不含杂环的化合物、和有机溶剂，所述化合物的末端具有分子内至少包含1组相互邻接的2个羟基的结构，该组合物中存在的粒子的通过动态光散射法测得的平均粒径为3nm以下。

    包含二醇结构的抗蚀剂下层膜形成用组合物
    19.
    发明公开
    包含二醇结构的抗蚀剂下层膜形成用组合物 无效

    公开(公告)号：CN115698857A

    公开(公告)日：2023-02-03

    申请号：CN202180041796.3

    申请日：2021-06-11

    Applicant: 日产化学株式会社

    Inventor： 上林哲 ,  远藤勇树

    IPC: G03F7/11 ,  C08G65/34 ,  C08F220/20 ,  G03F7/20

    Abstract: 提供能够没有孔隙(空隙)地埋入微细化发展的半导体基板上的微细孔，在膜形成时的膜烧成时产生的升华物少的抗蚀剂下层膜形成用组合物、和兼具在半导体基板加工中作为对湿蚀刻药液的保护膜的功能的药液耐性保护膜组合物。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物或保护膜形成用组合物，其包含：下述式(1)所示的、理论分子量为999以下的化合物；以及有机溶剂。[在式(1)中，Z1包含含氮杂环，U为下述式(2)所示的一价有机基，p表示2～4的整数。][在式(2)中，R1表示碳原子数1～4的亚烷基，A1～A3各自独立地表示氢原子、甲基或乙基，X表示‑COO‑、‑OCO‑、‑O‑、‑S‑和‑NRa‑中的任一者，Ra表示氢原子或甲基。Y表示直接键合或可以被取代的碳原子数1～4的亚烷基，R2、R3和R4各自为氢原子、或者可以被取代的碳原子数1～10的烷基或碳原子数6～40的芳基，R5为氢原子或羟基，n表示整数0或1，m1和m2各自独立地表示整数0或1，*表示向Z1结合的部分]

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