-
公开(公告)号：CN114127202A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202080051887.0
申请日：2020-06-22
Applicant: 日产化学株式会社
Abstract: 本发明的课题是提供形成具有对图案的填充性和平坦化性的覆膜的高低差基板被覆用组合物。解决该课题的手段是一种高低差基板被覆用组合物，其是包含主剂化合物(A)和溶剂的高低差基板被覆用组合物，该组合物可通过光照或加热而固化，所述化合物(A)是包含由下述式(A‑1)、式(A‑2)或式(A‑3)表示的局部结构的化合物，式(A‑1)和式(A‑2)中，虚线表示与芳香环的键接，芳香环是构成聚合物骨架的芳香环或构成单体的芳香环，n表示1或2的整数。式(A‑3)中，点划线表示与构成聚合物骨架的链状碳链、脂环式碳环或芳香环的键接，Q表示单键、或者含有醚键、酯键、氨基甲酸酯键、碳原子数1～3的亚烷基键或酰胺键的有机基团，m表示1；但是，式(A‑3)中不包含式(A‑1)。
-
公开(公告)号：CN110809738A
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201880041969.X
申请日：2018-06-22
Applicant: 日产化学株式会社
Abstract: 本发明的课题是提供包含涂布于具备具有高低差的部分和不具有高低差的部分的半导体基板上表面的工序，在所形成的抗蚀剂下层膜中，将该具有高低差的部分和该不具有高低差的部分的抗蚀剂下层膜的高低差(Iso-dense偏差)(逆高低差)降低5nm以上的方法。解决手段是一种降低抗蚀剂下层膜的高低差(Iso-dense偏差)的方法，其包含下述工序：向包含(A)聚合物和(D)溶剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物中进一步添加(C)氟系表面活性剂的工序；以及将添加了(C)氟系表面活性剂的该组合物涂布于具备具有高低差的部分和不具有高低差的部分的半导体基板上表面的工序，从而将该具有高低差的部分与不具有高低差的部分的抗蚀剂下层膜的高低差(逆高低差)降低5nm以上。
-
公开(公告)号：CN108780279A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201780015881.6
申请日：2017-03-07
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/20 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/11 , G03F7/20 , G03F7/26 , H01L21/027
Abstract: 本发明的课题是提供，能够形成具有对图案的填充性和平坦化性的被膜的高低差基板被覆用组合物。作为解决方法是一种光固化性高低差基板被覆用组合物，其包含化合物(E)和溶剂(F)，上述化合物(E)包含部分结构(I)和部分结构(II)，并且该部分结构(II)包含通过环氧基与能够产生质子的化合物之间的反应而产生的羟基，该部分结构(I)为选自下述式(1-1)～式(1-5)中的至少一种、或是式(1-6)与式(1-7)或式(1-8)的组合，部分结构(II)为下述式(2-1)或式(2-2)的部分结构。此外，关于上述组合物，在化合物(E)中，以0≤(环氧基)/(羟基)≤0.5的摩尔比包含环氧基和羟基，以0.01≤(部分结构(II))/(部分结构(I)+部分结构(II))≤0.8的摩尔比包含部分结构(II)。
-
公开(公告)号：CN118633140A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202380019390.4
申请日：2023-01-30
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/027 , C08G8/00 , C08G12/00 , C08G14/00 , B29C59/02
Abstract: 提供显示良好的平坦化性，通过烧成而获得具有高的疏水性和气体透过性的膜，能够提高与疏水性的上层膜的密合性，而且通过变更树脂的分子骨架从而可以调整为适应于工艺的光学常数、蚀刻速度的纳米压印用抗蚀剂下层膜形成用组合物。一种纳米压印用抗蚀剂下层膜形成用组合物，是包含含有芳香族环的化合物、和有机溶剂的纳米压印用抗蚀剂下层膜形成用组合物，该组合物能够形成在同一温度下在大气中烧成时和在氮气气氛下烧成时的相对于纯水的接触角之差为26度以内的膜。
-
公开(公告)号：CN117980823A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202280063689.5
申请日：2022-09-13
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , C07C211/04 , C07C211/05 , C07C211/06 , C07C309/04 , C07C309/06 , C07C309/25 , C07C309/30 , C07C309/35 , C07C309/40 , C09K3/00
Abstract: 提供可以形成对高低差基板的埋入性和平坦化性优异，并且保存稳定性高，膜的固化开始温度低，升华物的产生量少，在光致抗蚀剂溶剂中不溶出的膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物、使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂图案形成法、和半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：下述式(I)所示的热产酸剂；聚合物(G)，上述聚合物(G)为单元结构(i)与单元结构(ii)经由共价键而结合的酚醛清漆树脂，上述单元结构(i)具有可以具有取代基的芳香族环，上述单元结构(ii)包含可以具有取代基的芳香族环式有机基、可以具有取代基的非芳香族单环式有机基、或可以具有取代基的、包含至少1个非芳香族单环的4～25元的二环、三环或四环式有机基，上述共价键是上述单元结构(i)的芳香族环上的碳原子与上述单元结构(ii)的非芳香族单环上的碳原子的共价键；以及溶剂。(A‑SO3)‑(BH)+(I)[在式(I)中，A为可以被取代的直链、支链、或环状的饱和、或不饱和的脂肪族烃基、可以被取代的芳基、或可以被取代的杂芳基，B为具有6.5以上的pKa的碱]。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114127202B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202080051887.0
申请日：2020-06-22
Applicant: 日产化学株式会社
Abstract: 本发明的课题是提供形成具有对图案的填充性和平坦化性的覆膜的高低差基板被覆用组合物。解决该课题的手段是一种高低差基板被覆用组合物，其是包含主剂化合物(A)和溶剂的高低差基板被覆用组合物，该组合物可通过光照或加热而固化，所述化合物(A)是包含由下述式(A‑1)、式(A‑2)或式(A‑3)表示的局部结构的化合物，式(A‑1)和式(A‑2)中，虚线表示与芳香环的键接，芳香环是构成聚合物骨架的芳香环或构成单体的芳香环，n表示1或2的整数。式(A‑3)中，点划线表示与构成聚合物骨架的链状碳链、脂环式碳环或芳香环的键接，Q表示单键、或者含有醚键、酯键、氨基甲酸酯键、碳原子数1～3的亚烷基键或酰胺键的有机基团，m表示1；但是，式(A‑3)中不包含式(A‑1)。
-
公开(公告)号：CN116235112A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202180066096.X
申请日：2021-09-22
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11
Abstract: 在半导体装置制造的光刻工艺中，在使用抗蚀剂下层膜形成用组合物而形成抗蚀剂下层膜时，在烧成时产生来源于上述聚合物树脂、交联剂、交联催化剂等低分子化合物的升华成分(升华物)成为问题。本发明的解决手段是本发明的抗蚀剂下层膜形成用组合物用交联催化剂使用具有氟烷基的有机酸或具有氟烷基的有机酸盐，从而包含该交联催化剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物可以有效地抑制成膜时的来源于抗蚀剂下层膜中的低分子成分的升华物。
-
公开(公告)号：CN112470076A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201980048174.6
申请日：2019-07-19
Applicant: 日产化学株式会社
Abstract: 包含附加了下式(1)所示的基团的聚合物。(在式(1)中，Rx、Sy和Sz各自独立地为氢原子或一价有机基，Ry和Rz各自独立地为单键或二价有机基，环Ary和环Arz各自独立地为碳原子数4～20的环状烷基或碳原子数6～30的芳基，并且，可以彼此结合而在环Ary和环Arz之间形成新的环，ny为0以上并且为能够在环Ary上取代的最大数以下的整数，nz为0以上并且为能够在环Arz上取代的最大数以下的整数，※为与聚合物的结合位置。)
-
公开(公告)号：CN118974659A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202380031452.3
申请日：2023-03-20
Applicant: 日产化学株式会社
Abstract: 提供对高低差基板的埋入性和平坦化性优异，并且作为抗蚀剂下层膜的主要成分的聚合物的保存稳定性高的抗蚀剂下层膜形成用组合物、使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂图案形成法、和使用了该组合物的半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，是包含(a)下述式(I)所示的热产酸剂；(b)含有芳香族环的聚合物；(c)碱B2；和(d)溶剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物，在式(I)中，A1为可以被取代的直链、支链或环状的、饱和或不饱和的脂肪族烃基、可以被取代的芳香族环残基，在式(一)中，B1为抗衡碱，在B1和B2中，至少一种以上碱的pKa大于吡啶的pKa。[(A1(SO3)n]n‑(B1II)n+(一)。
-
公开(公告)号：CN113906077B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202080033573.8
申请日：2020-05-14
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C08G59/17 , C08G59/62 , G03F7/11 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供显示高的蚀刻耐性、良好的干蚀刻速度比及光学常数，即使对所谓高低差基板也被覆性良好，埋入后的膜厚差小，可形成平坦的膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。此外，提供使用该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂下层膜及半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有下述式(A)表示的化合物的一种或二种以上、下述式(B)表示的聚合物的一种或二种以上及溶剂；(式(A)中，X表示碳原子数2～50的n价有机基，n个Y分别独立地表示具有至少1个羟基的碳原子数6～60的芳香族烃基，n表示1～4的整数)；[式(B)中，R1表示氢原子或甲基，R2表示选自下述式(B‑1)～(B‑3)中的至少一种基；(式(B‑1)～(B‑3)中，*表示与邻接的氧原子的键结部位)]。#imgabs0#
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
30
records
(took 0.03 seconds)
