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    层叠体及剥离剂组合物
    11.
    发明公开
    层叠体及剥离剂组合物 审中-实审

    公开(公告)号：CN115989142A

    公开(公告)日：2023-04-18

    申请号：CN202180052586.4

    申请日：2021-08-20

    Applicant: 日产化学株式会社

    Inventor： 奥野贵久 ,  臼井友辉 ,  绪方裕斗 ,  森谷俊介 ,  柳井昌树 ,  新城彻也

    IPC: B32B27/00

    Abstract: 一种层叠体，其特征在于，具备：半导体基板；支承基板；设为与上述半导体基板相接的剥离层；以及设于上述支承基板与上述剥离层之间的粘接层，上述剥离层是由包含主要由聚二甲基硅氧烷组成的聚有机硅氧烷成分的剥离剂组合物得到的膜，上述聚有机硅氧烷成分在25℃下的粘度为5.50×103Pa·s～0.75×103Pa·s，上述膜的厚度为0.01μm～4.90μm。

    半导体基板的清洗方法、经加工的半导体基板的制造方法以及剥离用组合物
    12.
    发明公开
    半导体基板的清洗方法、经加工的半导体基板的制造方法以及剥离用组合物 审中-实审

    公开(公告)号：CN115335967A

    公开(公告)日：2022-11-11

    申请号：CN202180023489.2

    申请日：2021-03-22

    Applicant: 日产化学株式会社

    Inventor： 奥野贵久 ,  柳井昌树 ,  福田拓也 ,  绪方裕斗 ,  森谷俊介 ,  荻野浩司 ,  新城彻也

    IPC: H01L21/304 ,  C11D7/24

    Abstract: 本发明提供一种半导体基板的清洗方法，其包括使用剥离用组合物来剥离半导体基板上的粘接层的工序，上述剥离用组合物包含溶剂，不包含盐，上述溶剂包含80质量％以上的式(L0)～(L4)中的任一式所示的有机溶剂。(式中，L101～L112分别独立地表示氢原子、碳原子数1～5的烷基、碳原子数2～5的烯基或碳原子数2～5的炔基，L101～L112中的至少一个表示碳原子数1～5的烷基、碳原子数2～5的烯基或碳原子数2～5的炔基，L201～L210分别独立地表示氢原子、碳原子数1～5的烷基、碳原子数2～5的烯基或碳原子数2～5的炔基，L201～L210中的至少一个表示碳原子数1～5的烷基、碳原子数2～5的烯基或碳原子数2～5的炔基，L301～L308分别独立地表示氢原子、碳原子数1～5的烷基、碳原子数2～5的烯基或碳原子数2～5的炔基，L301～L308中的至少一个表示碳原子数1～5的烷基、碳原子数2～5的烯基或碳原子数2～5的炔基，L401～L408分别独立地表示氢原子、碳原子数1～5的烷基、碳原子数2～5的烯基或碳原子数2～5的炔基，L401～L408中的至少一个表示碳原子数1～5的烷基、碳原子数2～5的烯基或碳原子数2～5的炔基)。

    抗蚀剂下层膜形成用组合物
    13.
    发明公开
    抗蚀剂下层膜形成用组合物 无效

    公开(公告)号：CN110869852A

    公开(公告)日：2020-03-06

    申请号：CN201880045116.3

    申请日：2018-08-14

    Applicant: 日产化学株式会社

    Inventor： 绪方裕斗 ,  臼井友辉 ,  远藤雅久 ,  岸冈高广

    IPC: G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

    Abstract: 本发明的课题是提供新的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含具有下述式(1)所示的结构单元的共聚物和溶剂。(在上述式中，X表示碳原子数2～10的二价链状烃基，该二价链状烃基可以在主链具有至少1个硫原子或氧原子，此外可以具有至少1个羟基作为取代基，R表示碳原子数1～10的链状烃基，2个n分别表示0或1。)

    具有乙内酰脲环的化合物的制造方法
    15.
    发明公开
    具有乙内酰脲环的化合物的制造方法 无效

    公开(公告)号：CN109415350A

    公开(公告)日：2019-03-01

    申请号：CN201780039711.1

    申请日：2017-06-13

    Applicant: 日产化学株式会社

    Inventor： 后藤裕一 ,  远藤雅久 ,  绪方裕斗 ,  孙军

    IPC: C07D403/14

    CPC classification number: C07D403/14

    Abstract: 本发明的课题是提供具有乙内酰脲环的化合物的新的制造方法。解决手段是一种具有乙内酰脲环的化合物的制造方法，其具有下述工序：在包含至少30质量％的乙醇和/或至少10质量％的丙醇的醇类中，在催化剂的存在下，使下述式(1)所示的化合物与下述式(2)所示的化合物以相对于该式(1)所示的化合物1摩尔当量为3摩尔当量的该式(2)所示的化合物的比例反应，而获得包含下述式(3)所示的化合物的溶液的反应工序；以及向上述溶液中加入阳离子交换树脂和阴离子交换树脂，接着将其进行搅拌，然后进行过滤的离子交换处理工序。(式中，A1表示三价脂肪族基、或具有芳香族环或杂环的三价基团，Z1表示直接结合、-O-基或-C(＝O)O-基，R1和R2各自独立地表示氢原子或甲基，X表示碳原子数1～3的羟基烷基、碳原子数2～5的烷氧基烷基或碳原子数1～3的烷基。)

    含有烷氧基的抗蚀剂下层膜形成用组合物
    18.
    发明公开
    含有烷氧基的抗蚀剂下层膜形成用组合物 审中-实审

    公开(公告)号：CN118215886A

    公开(公告)日：2024-06-18

    申请号：CN202280073818.9

    申请日：2022-11-09

    Applicant: 日产化学株式会社

    Inventor： 绪方裕斗 ,  田村护

    IPC: G03F7/11 ,  C08G59/26 ,  C08G59/40 ,  G03F7/004 ,  H01L21/027

    Abstract: 一种EB或EUV光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有膜形成成分和溶剂，上述膜形成成分包含20质量％以上的含有特定结构的成分，上述含有特定结构的成分包含含有芳香族环的第1结构和含有氮原子的第2结构中的至少任一者，上述第1结构包含与上述芳香族环直接连接的下述式(1)所示的基团，上述第2结构包含与上述氮原子直接连接的下述式(1)所示的基团。(在式(1)中，R1表示碳原子数1～6的亚烷基，R2表示氢原子、碳原子数1～6的烷基、或总碳原子数2～10的烷氧基烷基。*表示结合键。)*‑R1‑O‑R2。

    层叠体、剥离剂组合物以及经加工的半导体基板的制造方法
    19.
    发明公开
    层叠体、剥离剂组合物以及经加工的半导体基板的制造方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN117083697A

    公开(公告)日：2023-11-17

    申请号：CN202280025525.3

    申请日：2022-03-24

    Applicant: 日产化学株式会社

    Inventor： 绪方裕斗 ,  奥野贵久 ,  新城彻也

    IPC: H01L21/304

    Abstract: 本发明涉及一种层叠体，其特征在于，具有：半导体基板、透光性的支承基板、以及设于所述半导体基板与所述支承基板之间的粘接层和剥离层，所述层叠体用于：在所述剥离层吸收了从所述支承基板侧照射的光后所述半导体基板与所述支承基板剥离，所述剥离层是由剥离剂组合物形成的层，所述剥离剂组合物含有具有第一结构和作为第二结构的硅氧烷结构的化合物，所述第一结构是吸收所述光的结构，并且通过吸收所述光而有助于所述半导体基板与所述支承基板变得容易剥离。

    抗蚀剂下层膜形成用组合物
    20.
    发明授权
    抗蚀剂下层膜形成用组合物 有权

    公开(公告)号：CN110546569B

    公开(公告)日：2023-11-17

    申请号：CN201880027076.X

    申请日：2018-04-27

    Applicant: 日产化学株式会社

    Inventor： 绪方裕斗 ,  桥本雄人 ,  田村护 ,  岸冈高广

    IPC: G03F7/11 ,  C08G59/18

    Abstract: 本发明的课题是提供在曝光时作为防反射膜起作用，并且可以埋入狭窄空间和高长宽比的凹部，进一步相对于过氧化氢水溶液的耐性优异的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含树脂、下述式(1a)或式(1b)所示的化合物、和溶剂，相对于上述树脂，含有0.01质量％～60质量％的上述式(1a)或式(1b)所示的化合物。(式中，X表示羰基或亚甲基，l和m各自独立地表示满足3≤l+m≤10的关系式的整数0～5，n表示整数2～5。)#imgabs0#

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