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公开(公告)号：CN109952631B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN201780056169.0
申请日：2017-09-15
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/306 , C08G59/62 , C08G65/28 , G03F7/11 , G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 本发明的课题是提供针对过氧化氢水溶液的保护膜形成用组合物。解决手段是一种针对过氧化氢水溶液的保护膜形成用组合物，其包含：下述式(1a)所示的化合物、式(1b)所示的化合物、具有下述式(2)所示的取代基的分子量为300以上且小于800的化合物、或具有下述式(2)所示的取代基的重均分子量为300以上且小于800的化合物；以及溶剂，相对于除去该溶剂后的固体成分，含有上述式(1a)或式(1b)所示的化合物0.1质量％～60质量％，或含有具有上述式(2)所示的取代基的化合物10质量％～100质量％。(式中，R1表示碳原子数1～4的亚烷基或亚烯基、或直接结合，k表示0或1，m表示1～3的整数，n表示2～4的整数。)
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公开(公告)号：CN116419937A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202180076716.8
申请日：2021-11-16
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C08G65/38
Abstract: 提供能够响应即使不包含酸催化剂、交联剂也在低温下自固化、可以减少升华物量、可以获得弯曲耐性高的高硬度的膜这样的要求，并且，也可以作为交联剂而利用，如果作为交联剂利用则与现有的交联剂相比，显示高平坦化和高耐热性，而且，埋入性与现有品同等，光学常数、蚀刻耐性能够通过单体的选择而自由地变更的新的抗蚀剂下层膜形成用组合物。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含聚合物(X)以及溶剂，上述聚合物(X)包含具有ROCH2‑基(R为一价有机基、氢原子或它们的混合)的芳香族化合物A、与不同于A的碳原子数120以下的芳香族化合物B经由连接基‑O‑交替地结合而得的重复结构单元，并且上述重复结构单元中相对于1个A结合了1～6个B。
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公开(公告)号：CN111033380A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201880051389.9
申请日：2018-08-08
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , C09D4/00 , C09D7/40 , G03F7/20 , G03F7/40 , H01L21/027 , H01L21/3065
Abstract: 本发明的课题是提供形成具有对图案的填充性和平坦化性的被膜的高低差基板被覆用组合物。解决手段是一种光固化性高低差基板被覆用组合物，其包含：包含部分结构(I)和部分结构(II)的化合物(E)；溶剂(F)；以及交联性化合物(H)，并且该部分结构(II)包含通过环氧基与产质子化合物的反应而产生的羟基，该部分结构(I)为选自下述式(1-1)～式(1-5)中的至少一种部分结构、或由式(1-6)与式(1-7)或式(1-8)的组合构成的部分结构，部分结构(II)为下述式(2-1)或式(2-2)的部分结构。化合物(E)中，以成为0≤(环氧基)/(羟基)≤0.5的摩尔比包含环氧基和羟基，使部分结构(II)为0.01≤(部分结构(II))/(部分结构(I)+部分结构(II))≤0.8的摩尔比。
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公开(公告)号：CN110582728A
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201880028518.2
申请日：2018-04-10
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , C08K5/13 , C08K5/132 , C08L101/00
Abstract: 本发明的课题是提供耐受过氧化氢水溶液的保护膜形成用组合物。解决手段是一种耐受过氧化氢水溶液的保护膜形成用组合物，其包含：树脂；下述式(1a)、式(1b)或式(1c)所示的化合物；交联剂；交联催化剂；以及溶剂，其中，相对于上述树脂，以80质量％为上限含有上述式(1a)、式(1b)或式(1c)所示的化合物，并含有5质量％～40质量％的上述交联剂。(式中，X表示羰基或亚甲基，l和m各自独立地表示满足3≤l+m≤10的关系式的0～5的整数，n表示2～5的整数，u和v各自独立地表示满足3≤u+v≤8的关系式的0～4的整数，R1、R2、R3和R4各自独立地表示氢原子、羟基、可以具有至少1个羟基作为取代基且可以在主链具有至少1个双键的碳原子数1～10的烃基、或可以具有至少1个羟基作为取代基的碳原子数6～20的芳基，在R1、R2、R3和R4表示该碳原子数1～10的烃基的情况下，R1和R2、R3和R4可以与它们所结合的环碳原子一起形成苯环，该苯环可以具有至少1个羟基作为取代基，j和k各自独立地表示0或1。)
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公开(公告)号：CN109563234A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201780047436.8
申请日：2017-07-31
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C08G59/14 , C08G59/68 , G03F7/11 , G03F7/40 , H01L21/027
Abstract: 本发明的课题是提供用于在基板上形成具有平坦化性的被膜的光固化性组合物，其对图案的填充性高，能够形成不发生热收缩的涂膜。解决手段是一种光固化性组合物，其包含：包含光分解性含氮结构和/或光分解性含硫结构、和烃结构的至少1个化合物；以及溶剂。上述化合物为分子内具有1个以上光分解性含氮结构和/或光分解性含硫结构的化合物。上述化合物为光分解性含氮结构和/或光分解性含硫结构、和烃结构存在于同一分子内的化合物，或者上述化合物为光分解性含氮结构和/或光分解性含硫结构、和烃结构分别存在于不同分子间的化合物的组合。烃结构为碳原子数1～40的饱和或不饱和，且为直链、支链或环状的烃基。光分解性含氮结构包含通过紫外线照射而产生的反应性含氮官能团或反应性含碳官能团，光分解性含硫结构为包含通过紫外线照射而产生的有机硫自由基、或碳自由基的结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112166379B
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN201980035022.2
申请日：2019-05-21
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G8/02 , C08G10/00 , G03F7/004 , H01L21/027
Abstract: 提供显示高蚀刻耐性、良好的干蚀刻速度比和光学常数，对所谓高低差基板也被覆性良好，埋入后的膜厚差小，能够形成平坦的膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。此外，提供适合于该抗蚀剂下层膜形成用组合物的聚合物的制造方法、使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂下层膜、以及半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：碳原子数6～60的芳香族化合物(A)、与碳原子数3～60的环式羰基化合物(B)所具有的羰基的反应生成物；以及溶剂，上述反应生成物中，上述环式羰基化合物(B)的1个碳原子连接2个上述芳香族化合物(A)。
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公开(公告)号：CN119631022A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202380055741.7
申请日：2023-07-27
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G61/12 , G03F7/004 , G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 提供除了蚀刻耐性、耐热性以外，固化性、产生的升华物量、平坦化性、光学特性(曝光时的反射抑制)等各种其他特性也都满足的抗蚀剂下层膜形成用组合物。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有酚醛清漆树脂和溶剂，所述酚醛清漆树脂含有具有芳香环的结构单元A，该结构单元A包含下述式(A)表示的一种或两种以上的结构单元，R1为氢原子或特定的取代基，R2为任选的特定取代基，酚醛清漆树脂中的R1和R2中的至少一部分为具有碳原子数2～10的炔基链的取代基，n表示取代基R2的数量，在n为多个的情况下，多个R2可以相同也可以不同，*表示连接键。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN118974659A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202380031452.3
申请日：2023-03-20
Applicant: 日产化学株式会社
Abstract: 提供对高低差基板的埋入性和平坦化性优异，并且作为抗蚀剂下层膜的主要成分的聚合物的保存稳定性高的抗蚀剂下层膜形成用组合物、使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂图案形成法、和使用了该组合物的半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，是包含(a)下述式(I)所示的热产酸剂；(b)含有芳香族环的聚合物；(c)碱B2；和(d)溶剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物，在式(I)中，A1为可以被取代的直链、支链或环状的、饱和或不饱和的脂肪族烃基、可以被取代的芳香族环残基，在式(一)中，B1为抗衡碱，在B1和B2中，至少一种以上碱的pKa大于吡啶的pKa。[(A1(SO3)n]n‑(B1II)n+(一)。
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公开(公告)号：CN110582728B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN201880028518.2
申请日：2018-04-10
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , C08K5/13 , C08K5/132 , C08L101/00
Abstract: 本发明的课题是提供耐受过氧化氢水溶液的保护膜形成用组合物。解决手段是一种耐受过氧化氢水溶液的保护膜形成用组合物，其包含：树脂；下述式(1a)、式(1b)或式(1c)所示的化合物；交联剂；交联催化剂；以及溶剂，其中，相对于上述树脂，以80质量％为上限含有上述式(1a)、式(1b)或式(1c)所示的化合物，并含有5质量％～40质量％的上述交联剂。(式中，X表示羰基或亚甲基，l和m各自独立地表示满足3≤l+m≤10的关系式的0～5的整数，n表示2～5的整数，u和v各自独立地表示满足3≤u+v≤8的关系式的0～4的整数，R1、R2、R3和R4各自独立地表示氢原子、羟基、可以具有至少1个羟基作为取代基且可以在主链具有至少1个双键的碳原子数1～10的烃基、或可以具有至少1个羟基作为取代基的碳原子数6～20的芳基，在R1、R2、R3和R4表示该碳原子数1～10的烃基的情况下，R1和R2、R3和R4可以与它们所结合的环碳原子一起形成苯环，该苯环可以具有至少1个羟基作为取代基，j和k各自独立地表示0或1。)#imgabs0#
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公开(公告)号：CN110546570B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN201880027112.2
申请日：2018-04-20
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G61/12 , H01L21/027
Abstract: 提供兼具高蚀刻耐性、高耐热性和良好的涂布性的抗蚀剂下层膜形成用组合物、使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂下层膜及其制造方法、抗蚀剂图案的形成方法、以及半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其特征在于，包含下述式(1)[在式(1)中，AA表示单键或双键，X1表示‑N(R1)‑，X2表示‑N(R2)‑，X3表示‑CH(R3)‑，X4表示‑CH(R4)‑等，R1、R2、R3和R4表示氢原子、C1～20的直链状、支链状或环状的烷基等，R5、R6、R9和R10表示氢原子、羟基、烷基等，R7和R8表示苯环或萘环，n和o为0或1。]所示的化合物或由式(1)所示的化合物衍生的聚合物。将该组合物涂布在半导体基板上进行烧成而形成抗蚀剂下层膜，在其上任意选择地经由无机抗蚀剂下层膜而形成抗蚀剂膜，通过照射光或电子束、以及显影而形成抗蚀剂图案，通过抗蚀剂图案对下层膜进行蚀刻，通过被图案化了的下层膜对半导体基板进行加工而制造半导体装置。
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