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公开(公告)号：CN113574044A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202080020807.5
申请日：2020-03-12
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C07C43/23 , C07C69/767 , C08G8/20 , C08G59/04 , C08L101/00 , G03F7/11 , G03F7/20 , G03F7/26 , H01L21/027
Abstract: 提供一种组合物，是用于形成不溶于抗蚀剂溶剂、光学常数良好、蚀刻速率高的抗蚀剂下层膜的组合物，其对高低差基板的埋入性和平坦化性优异。包含(A)下述式(I)所示的交联性化合物、和(D)溶剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物。[在式(I)中，m为1～30的整数，T为单键、饱和烃基、芳香族基、或不饱和环状烃基，G1、G2、G3、G4、G5和G6各自独立地为(i)或(ii)，n各自独立地为1～8的整数，n个R各自独立地为氢原子、脂肪族烃基、或脂环式烃基，A各自独立地为可以被亚烷基中断的芳基，Z1、Z2、Z3、Z4、Z5、Z6各自独立地表示烷基、芳基、羟基、环氧基或氢原子。]
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公开(公告)号：CN119998732A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202380071127.X
申请日：2023-10-03
Applicant: 日产化学株式会社
Abstract: 本发明提供一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其为EB或EUV光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，且包含具有下述式(1)表示的结构的聚合物、和溶剂。(式(1)中，R1和R2各自独立地表示可被卤素原子取代的碳原子数为1～6的烷基、或卤素原子。m1和m2各自独立地表示0～4的整数。R1为2个以上时，2个以上的R1可以相同，也可以不同。R2为2个以上时，2个以上的R2可以相同，也可以不同。*表示键合位置。)#imgabs0#
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113906077B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202080033573.8
申请日：2020-05-14
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C08G59/17 , C08G59/62 , G03F7/11 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供显示高的蚀刻耐性、良好的干蚀刻速度比及光学常数，即使对所谓高低差基板也被覆性良好，埋入后的膜厚差小，可形成平坦的膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。此外，提供使用该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂下层膜及半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有下述式(A)表示的化合物的一种或二种以上、下述式(B)表示的聚合物的一种或二种以上及溶剂；(式(A)中，X表示碳原子数2～50的n价有机基，n个Y分别独立地表示具有至少1个羟基的碳原子数6～60的芳香族烃基，n表示1～4的整数)；[式(B)中，R1表示氢原子或甲基，R2表示选自下述式(B‑1)～(B‑3)中的至少一种基；(式(B‑1)～(B‑3)中，*表示与邻接的氧原子的键结部位)]。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN118276405A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410452510.6
申请日：2022-01-26
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/09 , G03F7/00 , C08G63/688
Abstract: 本发明提供能够形成所期望的抗蚀剂图案的抗蚀剂下层膜形成用组合物、及使用该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂图案制造方法、半导体装置的制造方法。该抗蚀剂下层膜形成用组合物包含具有下述式(I)表示的单元结构的聚合物、和溶剂，式(I)中，A1、A2、A3、A4、A5及A6各自独立地表示氢原子、甲基或乙基，Q1表示2价的有机基团，R1表示包含碳原子数为6～40的芳香环结构的4价有机基团，L1及L2各自独立地表示氢原子、或可被羟基取代也可被氧原子中断的碳原子数为1～10的烷基。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN116806328A
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202280011863.1
申请日：2022-01-26
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11
Abstract: 本发明提供能够形成所期望的抗蚀剂图案的抗蚀剂下层膜形成用组合物、及使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂图案制造方法、半导体装置的制造方法。该膜形成用组合物包含具有下述式(I)表示的单元结构的聚合物、和溶剂，式(I)中，A1、A2、A3、A4、A5及A6各自独立地表示氢原子、甲基或乙基，Q1表示2价的有机基团，R1表示4价的有机基团，R2表示碳原子数为2～10的烯基或炔基。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN113906077A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202080033573.8
申请日：2020-05-14
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C08G59/17 , C08G59/62 , G03F7/11 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供显示高的蚀刻耐性、良好的干蚀刻速度比及光学常数，即使对所谓高低差基板也被覆性良好，埋入后的膜厚差小，可形成平坦的膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。此外，提供使用该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂下层膜及半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有下述式(A)表示的化合物的一种或二种以上、下述式(B)表示的聚合物的一种或二种以上及溶剂；(式(A)中，X表示碳原子数2～50的n价有机基，n个Y分别独立地表示具有至少1个羟基的碳原子数6～60的芳香族烃基，n表示1～4的整数)；[式(B)中，R1表示氢原子或甲基，R2表示选自下述式(B‑1)～(B‑3)中的至少一种基；(式(B‑1)～(B‑3)中，*表示与邻接的氧原子的键结部位)]。
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公开(公告)号：CN112513738A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201980050814.7
申请日：2019-07-18
Applicant: 日产化学株式会社
Abstract: 本申请的课题是提供一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其用于形成能够在制造半导体装置的光刻工艺中很好地作为防反射膜和平坦化膜使用的抗蚀剂下层膜。解决手段是，一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有树脂、酸催化剂或其盐、以及溶剂，并且所述抗蚀剂下层膜形成用组合物不含有作为单体的交联剂，所述树脂具有主链包含至少1个‑C(＝O)‑O‑基的重复结构单元和侧链包含至少1个羟基的重复结构单元，或者具有主链包含至少1个‑C(＝O)‑O‑基且侧链包含至少1个羟基的重复结构单元，这些重复结构单元中不具有包含环氧环或氧杂环丁烷环的有机基，相对于该树脂100质量份，所述酸催化剂或其盐为0.1～10质量份，该酸催化剂为一元酸时，25℃水中的酸解离常数pKa为‑0.5以下，或者该酸催化剂为多元酸时，25℃水中的酸解离常数pKa1为‑0.5以下。
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