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公开(公告)号：CN114051682A
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202080048727.0
申请日：2020-06-17
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
Abstract: 一种垂直谐振器型发光元件包括：基板(11)；形成于基板上的第一多层膜反射镜(12)；形成于第一多层膜反射镜上并具有第一导电类型的第一半导体层(13N)；形成于第一半导体层上的发光层(13A)；形成于发光层上并具有与第一导电类型相反的第二导电类型、同时在上表面上具有凸部(13PB)的第二半导体层(13P)；覆盖第二半导体层的上表面、同时具有暴露出凸部的上表面上的第二半导体层的开口的绝缘层(14)，所述凸部终止于上表面上；形成于绝缘层上以覆盖第二半导体层的上表面的透光电极层(15)，所述上表面通过绝缘层的开口暴露出来；以及形成于透光电极层上并与第一多层膜反射镜一起构成谐振器的第二多层膜反射镜(16)。
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公开(公告)号：CN113491045A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202080015818.4
申请日：2020-01-20
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
IPC: H01S5/183
Abstract: 一种垂直腔面发光器件包括：基板、第一多层膜反射镜、发光结构层和第二多层膜反射镜。第一多层膜反射镜形成在基板上。发光结构层形成在第一多层膜反射镜上。发光结构层包括发光层。第二多层膜反射镜形成在发光结构层上。第二多层薄膜反射镜构成第一多层膜反射镜和第二多层膜反射镜之间的共振器。第二多层膜反射镜包括第一多层膜、中间膜和第二多层膜。第一多层膜具有由低折射率材料制成的低折射率膜和由折射率高于低折射率材料的折射率的高折射率材料制成的高折射率膜。低折射率膜和高折射率膜交替堆叠。中间膜覆盖第一多层膜的上表面。中间膜对从发光层发射的光具有透光性。第二多层膜被形成为部分覆盖中间膜的上表面。第二多层膜具有由低折射率材料制成的低折射率膜和由高折射率材料制成的高折射率膜。低折射率膜和高折射率膜交替堆叠。中间膜的膜厚度基于从发光层发射的光在中间膜内的波长的1/2。
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公开(公告)号：CN1828959A
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200610056768.6
申请日：2006-03-06
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L23/482
CPC classification number: H01L33/40 , H01L24/05 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L33/30 , H01L33/38 , H01L2224/04042 , H01L2224/05556 , H01L2224/05599 , H01L2224/05644 , H01L2224/05666 , H01L2224/05669 , H01L2224/45144 , H01L2224/48463 , H01L2224/48644 , H01L2224/48666 , H01L2224/48669 , H01L2224/85399 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/10349 , H01L2924/12032 , H01L2924/12041 , H01L2924/3025 , H01L2924/00
Abstract: 在现有的实现了使被焊盘电极覆盖的部分不发光、提高光的取出效率的半导体发光元件中，产生了如下问题：在焊盘电极中，容易混入构成线状电极的材料，由于Au线的接合力不足而容易产生损坏等。本发明提供了一种半导体发光元件，在元件(1)的最表面半导体层(1a)的表面，具有焊盘电极(3)，在最表面半导体层和焊盘电极之间进行肖特基接合，在网状地覆盖除焊盘电极占据的部分之外的表面的线状电极(2)和最表面半导体层之间，进行欧姆接合，焊盘电极和线状电极在一部分接触，进行欧姆接合，在线状电极和焊盘电极的接触部，焊盘电极的层结构中的势垒金属层(3b)覆盖线状电极的层结构中的上部以及侧面的一部分或全部，从而使线状电极的构件不混入焊盘电极，来解决课题。
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公开(公告)号：CN1750284A
公开(公告)日：2006-03-22
申请号：CN200510098629.5
申请日：2005-09-05
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/405 , H01L23/4827 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L33/0079 , H01L33/38 , H01L33/62 , H01L2224/29124 , H01L2224/29144 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2224/83075 , H01L2224/83203 , H01L2224/92247 , H01L2924/01322 , H01L2924/12036 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/0105
Abstract: 本发明提供了高品质的半导体元件。该半导体元件具有：基板、在基板上方形成的复合接合层、在复合接合层上方形成的第1电极、在包含第1电极的区域中形成的半导体层和在半导体层上的一部分区域中形成的第2电极，并且，在接合包含基板和第1接合层的支撑基板与包含半导体层、第1电极和第2接合层的半导体层叠结构时形成复合接合层，第1或第2接合层包含共晶成分，支撑基板和半导体层叠结构的至少一方具有含有扩散材料的扩散材料层，并且，第1或第2接合层的一方所包含的共晶成分与另一方的接合层混合而形成第1混合体，进而第1混合体与扩散材料层所包含的扩散材料混合而形成熔融温度高于第1混合体的熔融温度的第2混合体，由此形成复合接合层。
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