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公开(公告)号：CN107306012B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201710251625.9
申请日：2017-04-18
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
IPC: H01S5/183
Abstract: 本申请涉及垂直腔发光元件及其制造方法。具体地，该垂直腔发光元件包括：第一导电型半导体层、有源层以及第二导电型半导体层，它们以该顺序形成在第一反射器上；绝缘电流限制层，该绝缘电流限制层形成在第二导电型半导体层上；透明电极，该透明电极覆盖贯穿开口和电流限制层，并且经由贯穿开口与第二导电型半导体层接触；以及第二反射器，该第二反射器形成在透明电极上。在贯穿开口中彼此接触的、透明电极的对应于开口的部分和第二导电型半导体层的对应于开口的部分中的至少一者包括：沿着贯穿开口的内周布置的第一电阻区域，和布置在贯穿开口的中心区域上的第二电阻区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107306012A
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201710251625.9
申请日：2017-04-18
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
IPC: H01S5/183
Abstract: 本申请涉及垂直腔发光元件及其制造方法。具体地，该垂直腔发光元件包括：第一导电型半导体层、有源层以及第二导电型半导体层，它们以该顺序形成在第一反射器上；绝缘电流限制层，该绝缘电流限制层形成在第二导电型半导体层上；透明电极，该透明电极覆盖贯穿开口和电流限制层，并且经由贯穿开口与第二导电型半导体层接触；以及第二反射器，该第二反射器形成在透明电极上。在贯穿开口中彼此接触的、透明电极的对应于开口的部分和第二导电型半导体层的对应于开口的部分中的至少一者包括：沿着贯穿开口的内周布置的第一电阻区域，和布置在贯穿开口的中心区域上的第二电阻区域。
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公开(公告)号：CN107370021B
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201710324564.4
申请日：2017-05-10
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
IPC: H01S5/42
Abstract: 表面发射激光器装置。提供了包括多个表面发射激光器元件并且能够显著减少光的串扰和暗线的形成的表面发射激光器装置。该表面发射激光器装置包括：安装基板；表面发射激光器阵列，所述表面发射激光器阵列包括在所述安装基板上并排布置的多个表面发射激光器元件；多个光吸收层，所述多个光吸收层分别形成在所述多个表面发射激光器元件上，并且各包括开口；以及多个波长转换板，所述多个波长转换板分别形成在所述多个光吸收层上，并且各包括荧光板和覆盖所述荧光板的侧面的光反射膜。
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公开(公告)号：CN107370021A
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201710324564.4
申请日：2017-05-10
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
IPC: H01S5/42
CPC classification number: H01S5/423 , F21Y2105/10 , F21Y2115/30 , H01S5/005 , H01S5/0224 , H01S5/028 , H01S5/0425 , H01S5/18305 , H01S5/18308 , H01S5/18341 , H01S5/18361 , H01S5/18369 , H01S5/18394 , H01S5/34333
Abstract: 表面发射激光器装置。提供了包括多个表面发射激光器元件并且能够显著减少光的串扰和暗线的形成的表面发射激光器装置。该表面发射激光器装置包括：安装基板；表面发射激光器阵列，所述表面发射激光器阵列包括在所述安装基板上并排布置的多个表面发射激光器元件；多个光吸收层，所述多个光吸收层分别形成在所述多个表面发射激光器元件上，并且各包括开口；以及多个波长转换板，所述多个波长转换板分别形成在所述多个光吸收层上，并且各包括荧光板和覆盖所述荧光板的侧面的光反射膜。
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公开(公告)号：CN114051682B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202080048727.0
申请日：2020-06-17
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
Abstract: 一种垂直谐振器型发光元件包括：基板(11)；形成于基板上的第一多层膜反射镜(12)；形成于第一多层膜反射镜上并具有第一导电类型的第一半导体层(13N)；形成于第一半导体层上的发光层(13A)；形成于发光层上并具有与第一导电类型相反的第二导电类型、同时在上表面上具有凸部(13PB)的第二半导体层(13P)；覆盖第二半导体层的上表面、同时具有暴露出凸部的上表面上的第二半导体层的开口的绝缘层(14)，所述凸部终止于上表面上；形成于绝缘层上以覆盖第二半导体层的上表面的透光电极层(15)，所述上表面通过绝缘层的开口暴露出来；以及形成于透光电极层上并与第一多层膜反射镜一起构成谐振器的第二多层膜反射镜(16)。
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公开(公告)号：CN114051682A
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202080048727.0
申请日：2020-06-17
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
Abstract: 一种垂直谐振器型发光元件包括：基板(11)；形成于基板上的第一多层膜反射镜(12)；形成于第一多层膜反射镜上并具有第一导电类型的第一半导体层(13N)；形成于第一半导体层上的发光层(13A)；形成于发光层上并具有与第一导电类型相反的第二导电类型、同时在上表面上具有凸部(13PB)的第二半导体层(13P)；覆盖第二半导体层的上表面、同时具有暴露出凸部的上表面上的第二半导体层的开口的绝缘层(14)，所述凸部终止于上表面上；形成于绝缘层上以覆盖第二半导体层的上表面的透光电极层(15)，所述上表面通过绝缘层的开口暴露出来；以及形成于透光电极层上并与第一多层膜反射镜一起构成谐振器的第二多层膜反射镜(16)。
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