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公开(公告)号：CN117461152A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202280041661.1
申请日：2022-06-06
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
Abstract: 本发明特征在于具有：基板；设置在基板的上表面上的发光元件；设置在所述发光元件上的波长转换部件，其具有覆盖发光元件的上表面的底部，具有从底部向上延伸的多个突出部，并且转换从发光元件出射的光的波长；和光学部件，其具有在波长转换部件上连续延伸的基部和在基部的上表面上的多个突出部的正上方的区域中的多个透镜部，该多个突出部包括具有朝向上侧缩窄的形状的缩窄部分。
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公开(公告)号：CN119997686A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202411591810.9
申请日：2024-11-08
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
Inventor： 梁吉镐
IPC: H10H20/84 , H10H20/851 , H10H20/01
Abstract: 本发明提供一种半导体发光装置及其制造方法。能够通过表面活化接合在大气中进行荧光体板与发光元件的接合。半导体发光装置具有包含半导体发光层的发光元件和与发光元件接合的荧光体板。在发光元件与荧光体板之间配置有使发光元件发出的光透过的、由电介质构成的缓冲层。发光元件与荧光体板隔着缓冲层接合。缓冲层是非晶体。
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公开(公告)号：CN119278675A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202380042703.8
申请日：2023-06-01
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
IPC: H10H20/857 , H01L21/52
Abstract: 提供半导体发光装置，其为将搭载有发光元件的子安装基板超声波接合于金属基板而成的结构，并且接合面的可靠性高。具有发光元件、搭载有发光元件的陶瓷制的子安装基板、以及搭载有子安装基板的金属制的安装基板。子安装基板在与安装基板接合的接合面具备金属层。子安装基板的金属层与安装基板不经由接合材料而直接接合。在该接合面含有孔隙。关于孔隙的含有比例，接合面内的主平面内的中央区域比周边部的区域多。
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公开(公告)号：CN107306012B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201710251625.9
申请日：2017-04-18
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
IPC: H01S5/183
Abstract: 本申请涉及垂直腔发光元件及其制造方法。具体地，该垂直腔发光元件包括：第一导电型半导体层、有源层以及第二导电型半导体层，它们以该顺序形成在第一反射器上；绝缘电流限制层，该绝缘电流限制层形成在第二导电型半导体层上；透明电极，该透明电极覆盖贯穿开口和电流限制层，并且经由贯穿开口与第二导电型半导体层接触；以及第二反射器，该第二反射器形成在透明电极上。在贯穿开口中彼此接触的、透明电极的对应于开口的部分和第二导电型半导体层的对应于开口的部分中的至少一者包括：沿着贯穿开口的内周布置的第一电阻区域，和布置在贯穿开口的中心区域上的第二电阻区域。
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公开(公告)号：CN119546010A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411128049.5
申请日：2024-08-16
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
Inventor： 梁吉镐
IPC: H10H20/851 , H10H20/85 , H10H20/01
Abstract: 提供一种半导体发光装置的制造方法。通过表面活化接合将荧光体板与发光元件接合、将荧光体板与发光元件分割而制造各个半导体发光层，在该方法中，制造成品率提高。对发光元件板的上表面进行研磨，对荧光体板的下表面进行研磨，在发光元件之上搭载荧光体板，进行加热以及加压，形成层叠体。从荧光体板侧向与多个半导体发光层的间隙对应的位置的层叠体切入切口。从发光元件侧，在多个半导体发光层之间的间隙的积层体形成缺口。将切口的前端与缺口的前端之间的层叠体割断而将半导体发光装置单片化。切口和缺口中的一方以超过荧光体板与发光元件板的接合面的深度形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107306012A
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201710251625.9
申请日：2017-04-18
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
IPC: H01S5/183
Abstract: 本申请涉及垂直腔发光元件及其制造方法。具体地，该垂直腔发光元件包括：第一导电型半导体层、有源层以及第二导电型半导体层，它们以该顺序形成在第一反射器上；绝缘电流限制层，该绝缘电流限制层形成在第二导电型半导体层上；透明电极，该透明电极覆盖贯穿开口和电流限制层，并且经由贯穿开口与第二导电型半导体层接触；以及第二反射器，该第二反射器形成在透明电极上。在贯穿开口中彼此接触的、透明电极的对应于开口的部分和第二导电型半导体层的对应于开口的部分中的至少一者包括：沿着贯穿开口的内周布置的第一电阻区域，和布置在贯穿开口的中心区域上的第二电阻区域。
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公开(公告)号：CN101764185B
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN200910266316.4
申请日：2009-12-24
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
IPC: H01L33/20 , H01L21/205 , H01L21/78
CPC classification number: H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02636 , H01L33/007 , H01L33/0079
Abstract: 本发明涉及半导体器件以及半导体器件制造方法。通过以交替方式进行以彼此不同的生长速率生长III族氮化物的第一和第二生长步骤的多个循环，在生长基板上形成具有多个空腔的空腔包含层。随后在空腔包含层上形成半导体外延层，之后将支承基板接合到半导体外延层。将生长基板从空腔包含层分离。
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公开(公告)号：CN117461153A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202280041667.9
申请日：2022-06-06
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
IPC: H01L33/54
Abstract: 发光装置特征在于具有：基板；设置在基板的上表面上的发光元件；设置在所述发光元件上的波长转换部件，其具有覆盖发光元件的上表面的底部，具有从底部向上延伸的多个突出部，并且转换从发光元件出射的光的波长；和光学部件，其具有在波长转换部件上连续延伸的基部和在基部的上表面上的多个突出部的正上方的区域中的多个透镜部，所述多个突出部具有比所述多个突出部的上表面平滑的侧面。
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公开(公告)号：CN107370021B
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201710324564.4
申请日：2017-05-10
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
IPC: H01S5/42
Abstract: 表面发射激光器装置。提供了包括多个表面发射激光器元件并且能够显著减少光的串扰和暗线的形成的表面发射激光器装置。该表面发射激光器装置包括：安装基板；表面发射激光器阵列，所述表面发射激光器阵列包括在所述安装基板上并排布置的多个表面发射激光器元件；多个光吸收层，所述多个光吸收层分别形成在所述多个表面发射激光器元件上，并且各包括开口；以及多个波长转换板，所述多个波长转换板分别形成在所述多个光吸收层上，并且各包括荧光板和覆盖所述荧光板的侧面的光反射膜。
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公开(公告)号：CN107370021A
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201710324564.4
申请日：2017-05-10
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
IPC: H01S5/42
CPC classification number: H01S5/423 , F21Y2105/10 , F21Y2115/30 , H01S5/005 , H01S5/0224 , H01S5/028 , H01S5/0425 , H01S5/18305 , H01S5/18308 , H01S5/18341 , H01S5/18361 , H01S5/18369 , H01S5/18394 , H01S5/34333
Abstract: 表面发射激光器装置。提供了包括多个表面发射激光器元件并且能够显著减少光的串扰和暗线的形成的表面发射激光器装置。该表面发射激光器装置包括：安装基板；表面发射激光器阵列，所述表面发射激光器阵列包括在所述安装基板上并排布置的多个表面发射激光器元件；多个光吸收层，所述多个光吸收层分别形成在所述多个表面发射激光器元件上，并且各包括开口；以及多个波长转换板，所述多个波长转换板分别形成在所述多个光吸收层上，并且各包括荧光板和覆盖所述荧光板的侧面的光反射膜。
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