公开(公告)号：CN105304791A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201510427078.6

申请日：2015-07-20

Applicant: 斯坦雷电气株式会社

Inventor： 吉水和之 ,  长谷川真之

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/50 ,  H01L33/56

CPC classification number: H01L33/486 ,  H01L33/58 ,  H01L33/62 ,  H01L51/50 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L33/501 ,  H01L33/56

Abstract: 本发明涉及一种表面安装发光器件。侧发光型和导向框架型表面安装发光器件可以包括具有空腔的外壳、具有从所述空腔露出的第一安装表面的第一导线框架和具有从所述空腔露出的第二安装表面的第二导线框架。发光芯片可以安装在第一和第二安装表面中的一个上，所述第一和第二安装表面相对于彼此以基本相同水平和平衡形状延伸以用作外部电极。包括至少一种荧光剂的封装树脂还可以将发光芯片封装在空腔内。因而，本发明能够提供一种可靠的表面安装发光器件，该表面安装发光器件能够以高位置精度容易地安装在安装板上，并且能够在与所述安装板基本平行的方向上利用高亮度芯片发射具有高发光强度的各种颜色的光。

公开(公告)号：CN100511735C

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200510098629.5

申请日：2005-09-05

Applicant: 斯坦雷电气株式会社

Inventor： 园田纯一 ,  小林静一郎 ,  吉水和之

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/405 ,  H01L23/4827 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/38 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0105

Abstract: 本发明提供了高品质的半导体元件。该半导体元件具有：基板、在基板上方形成的复合接合层、在复合接合层上方形成的第1电极、在包含第1电极的区域中形成的半导体层、和在半导体层上的一部分区域中形成的第2电极，并且，在接合包含基板和第1接合层的支撑基板与包含半导体层、第1电极和第2接合层的半导体层叠结构时形成复合接合层，第1或第2接合层包含共晶成分，支撑基板和半导体层叠结构的至少一方具有含有扩散材料的扩散材料层，并且，第1或第2接合层的一方所包含的共晶成分与另一方的接合层混合而形成第1混合体，进而第1混合体与扩散材料层所包含的扩散材料混合而形成熔融温度高于第1混合体的熔融温度的第2混合体，由此形成复合接合层。

公开(公告)号：CN1750284A

公开(公告)日：2006-03-22

申请号：CN200510098629.5

申请日：2005-09-05

Applicant: 斯坦雷电气株式会社

Inventor： 园田纯一 ,  小林静一郎 ,  吉水和之

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/405 ,  H01L23/4827 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/38 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0105

Abstract: 本发明提供了高品质的半导体元件。该半导体元件具有：基板、在基板上方形成的复合接合层、在复合接合层上方形成的第1电极、在包含第1电极的区域中形成的半导体层和在半导体层上的一部分区域中形成的第2电极，并且，在接合包含基板和第1接合层的支撑基板与包含半导体层、第1电极和第2接合层的半导体层叠结构时形成复合接合层，第1或第2接合层包含共晶成分，支撑基板和半导体层叠结构的至少一方具有含有扩散材料的扩散材料层，并且，第1或第2接合层的一方所包含的共晶成分与另一方的接合层混合而形成第1混合体，进而第1混合体与扩散材料层所包含的扩散材料混合而形成熔融温度高于第1混合体的熔融温度的第2混合体，由此形成复合接合层。