公开(公告)号：CN1750284A

公开(公告)日：2006-03-22

申请号：CN200510098629.5

申请日：2005-09-05

Applicant: 斯坦雷电气株式会社

Inventor： 园田纯一 ,  小林静一郎 ,  吉水和之

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/405 ,  H01L23/4827 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/38 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0105

Abstract: 本发明提供了高品质的半导体元件。该半导体元件具有：基板、在基板上方形成的复合接合层、在复合接合层上方形成的第1电极、在包含第1电极的区域中形成的半导体层和在半导体层上的一部分区域中形成的第2电极，并且，在接合包含基板和第1接合层的支撑基板与包含半导体层、第1电极和第2接合层的半导体层叠结构时形成复合接合层，第1或第2接合层包含共晶成分，支撑基板和半导体层叠结构的至少一方具有含有扩散材料的扩散材料层，并且，第1或第2接合层的一方所包含的共晶成分与另一方的接合层混合而形成第1混合体，进而第1混合体与扩散材料层所包含的扩散材料混合而形成熔融温度高于第1混合体的熔融温度的第2混合体，由此形成复合接合层。

公开(公告)号：CN110337764B

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN201880013880.2

申请日：2018-02-27

Applicant: 国立大学法人京都大学 ,  斯坦雷电气株式会社

Inventor： 野田进 ,  田中良典 ,  M·德佐伊萨 ,  园田纯一 ,  小泉朋朗 ,  江本渓

IPC: H01S5/18 ,  C23C16/34 ,  C30B29/38 ,  H01L21/205 ,  H01S5/12 ,  H01S5/343

Abstract: 本发明的通过MOVPE法制造由III族氮化物半导体制成的表面发射激光器的方法包括：(a)在基板上生长第一导电型的第一披覆层的步骤；(b)在所述第一披覆层上生长所述第一导电型的第一光导层的步骤；(c)在所述第一光导层中通过蚀刻在与所述第一光导层平行的面中形成具有二维周期性的空孔的步骤；(d)供应含有III族材料和氮源的气体并进行生长以便在所述空孔的开口上方形成具有预定面方向的晶面的凹部，从而闭合所述空孔的开口的步骤；和(e)在所述空孔的所述开口已闭合后，通过质量传输使所述凹部平坦化的步骤，其中在已进行了所述平坦化步骤后，所述空孔的至少一个侧表面是{10‑10}晶面。

公开(公告)号：CN110337764A

公开(公告)日：2019-10-15

申请号：CN201880013880.2

申请日：2018-02-27

Applicant: 国立大学法人京都大学 ,  斯坦雷电气株式会社

Inventor： 野田进 ,  田中良典 ,  M·德佐伊萨 ,  园田纯一 ,  小泉朋朗 ,  江本渓

IPC: H01S5/18 ,  C23C16/34 ,  C30B29/38 ,  H01L21/205 ,  H01S5/12 ,  H01S5/343

Abstract: 本发明的通过MOVPE法制造由III族氮化物半导体制成的表面发射激光器的方法包括：(a)在基板上生长第一导电型的第一披覆层的步骤；(b)在所述第一披覆层上生长所述第一导电型的第一光导层的步骤；(c)在所述第一光导层中通过蚀刻在与所述第一光导层平行的面中形成具有二维周期性的空孔的步骤；(d)供应含有III族材料和氮源的气体并进行生长以便在所述空孔的开口上方形成具有预定面方向的晶面的凹部，从而闭合所述空孔的开口的步骤；和(e)在所述空孔的所述开口已闭合后，通过质量传输使所述凹部平坦化的步骤，其中在已进行了所述平坦化步骤后，所述空孔的至少一个侧表面是{10-10}晶面。

公开(公告)号：CN100511735C

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200510098629.5

申请日：2005-09-05

Applicant: 斯坦雷电气株式会社

Inventor： 园田纯一 ,  小林静一郎 ,  吉水和之

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/405 ,  H01L23/4827 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/38 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0105

Abstract: 本发明提供了高品质的半导体元件。该半导体元件具有：基板、在基板上方形成的复合接合层、在复合接合层上方形成的第1电极、在包含第1电极的区域中形成的半导体层、和在半导体层上的一部分区域中形成的第2电极，并且，在接合包含基板和第1接合层的支撑基板与包含半导体层、第1电极和第2接合层的半导体层叠结构时形成复合接合层，第1或第2接合层包含共晶成分，支撑基板和半导体层叠结构的至少一方具有含有扩散材料的扩散材料层，并且，第1或第2接合层的一方所包含的共晶成分与另一方的接合层混合而形成第1混合体，进而第1混合体与扩散材料层所包含的扩散材料混合而形成熔融温度高于第1混合体的熔融温度的第2混合体，由此形成复合接合层。