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公开(公告)号：CN112673535B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN201980057302.3
申请日：2019-08-29
Applicant: 国立大学法人京都大学 , 斯坦雷电气株式会社
IPC: H01S5/183 , C30B25/18 , C30B29/38 , H01S5/323 , H01L21/365
Abstract: 一种由III族氮化物半导体形成的表面发射激光器元件，该表面发射激光器元件包括：第一导电类型的第一包覆层；第一导电类型的第一引导层，其包括光子晶体层和第一嵌入层，该光子晶体层形成在第一包覆层上并且具有在平行于层的面内以二维周期性排列的孔，该第一嵌入层形成在所述光子晶体层上并且封闭所述孔；第二嵌入层，其在第一嵌入层上晶体生长；有源层，其形成于第二嵌入层上；第二引导层，其形成于有源层上；以及与第一导电类型相反的第二导电类型的第二包覆层，所述第二包覆层形成于第二引导层上。第一嵌入层的表面设置有凹坑，该凹坑布置在与孔相对应的表面位置处。
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公开(公告)号：CN110337764B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201880013880.2
申请日：2018-02-27
Applicant: 国立大学法人京都大学 , 斯坦雷电气株式会社
Abstract: 本发明的通过MOVPE法制造由III族氮化物半导体制成的表面发射激光器的方法包括：(a)在基板上生长第一导电型的第一披覆层的步骤；(b)在所述第一披覆层上生长所述第一导电型的第一光导层的步骤；(c)在所述第一光导层中通过蚀刻在与所述第一光导层平行的面中形成具有二维周期性的空孔的步骤；(d)供应含有III族材料和氮源的气体并进行生长以便在所述空孔的开口上方形成具有预定面方向的晶面的凹部，从而闭合所述空孔的开口的步骤；和(e)在所述空孔的所述开口已闭合后，通过质量传输使所述凹部平坦化的步骤，其中在已进行了所述平坦化步骤后，所述空孔的至少一个侧表面是{10‑10}晶面。
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公开(公告)号：CN112673535A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN201980057302.3
申请日：2019-08-29
Applicant: 国立大学法人京都大学 , 斯坦雷电气株式会社
IPC: H01S5/183 , C30B25/18 , C30B29/38 , H01S5/323 , H01L21/365
Abstract: 一种由III族氮化物半导体形成的表面发射激光器元件，该表面发射激光器元件包括：第一导电类型的第一包覆层；第一导电类型的第一引导层，其包括光子晶体层和第一嵌入层，该光子晶体层形成在第一包覆层上并且具有在平行于层的面内以二维周期性排列的孔，该第一嵌入层形成在所述光子晶体层上并且封闭所述孔；第二嵌入层，其在第一嵌入层上晶体生长；有源层，其形成于第二嵌入层上；第二引导层，其形成于有源层上；以及与第一导电类型相反的第二导电类型的第二包覆层，所述第二包覆层形成于第二引导层上。第一嵌入层的表面设置有凹坑，该凹坑布置在与孔相对应的表面位置处。
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公开(公告)号：CN110337764A
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201880013880.2
申请日：2018-02-27
Applicant: 国立大学法人京都大学 , 斯坦雷电气株式会社
Abstract: 本发明的通过MOVPE法制造由III族氮化物半导体制成的表面发射激光器的方法包括：(a)在基板上生长第一导电型的第一披覆层的步骤；(b)在所述第一披覆层上生长所述第一导电型的第一光导层的步骤；(c)在所述第一光导层中通过蚀刻在与所述第一光导层平行的面中形成具有二维周期性的空孔的步骤；(d)供应含有III族材料和氮源的气体并进行生长以便在所述空孔的开口上方形成具有预定面方向的晶面的凹部，从而闭合所述空孔的开口的步骤；和(e)在所述空孔的所述开口已闭合后，通过质量传输使所述凹部平坦化的步骤，其中在已进行了所述平坦化步骤后，所述空孔的至少一个侧表面是{10-10}晶面。
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