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公开(公告)号：CN118083901A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202311565301.4
申请日：2023-11-22
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开涉及用于高频应用的MEMS换能器器件以及制造方法。MEMS器件包括：信号处理组件；包括多个换能器器件的换能模块；增强结构，至少部分地围绕于每个换能器器件；针对每个换能器器件的一个或多个耦合支柱，一个或多个耦合支柱在增强结构上延伸并且被配置为将换能模块物理地耦合以及电耦合至信号处理组件，从而承载换能器器件的控制信号。每个导电耦合原件具有截面，所述截面的形状诸如最大化与相应的换能器器件周围的增强结构重叠的表面的形状。所述形状包括等于或大于3的尖点数的内摆线；三角形；四边形。
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公开(公告)号：CN117123456A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202310604984.3
申请日：2023-05-26
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: B06B1/06
Abstract: 本公开涉及具有高灵敏度的压电微加工压力换能器及相关制造工艺。一种微机械压力换能器，包括：半导体材料的固定体，其横向界定主腔体；传导结构，其悬置在所述主腔体上并包括至少一对可变形结构和可移动区域，所述可移动区域由半导体材料形成并通过所述可变形结构机械耦合到所述固定体。每个可变形结构包括：半导体材料的支撑结构，其包括第一梁和第二梁，所述第一梁和所述第二梁各自具有分别固定到所述固定体和所述可移动区域的端部，所述第一梁以一定距离叠置在所述第二梁上；以及至少一个压电换能结构，机械地耦合到第一梁。压电换能结构是电可控的，使得它们引起相应支撑结构的相应变形和可移动区域沿平移方向的相应平移。
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公开(公告)号：CN114377931B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202111202185.0
申请日：2021-10-15
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: B06B1/06
Abstract: 本公开的实施例涉及压电式微机械超声换能器。PMUT器件包括薄膜元件，该薄膜元件垂直于第一方向延伸并且被配置为通过关于平衡位置振荡来生成和接收超声波的。PMUT器件包括至少两个压电元件，其中每个压电元件沿着第一方向位于薄膜元件之上并且被配置为当电信号被施加到压电元件时引起薄膜元件振荡，以及响应于薄膜元件的振荡而生成电信号。薄膜元件沿垂直于第一方向的平面具有叶瓣形状，其中叶瓣形状包括至少两个叶瓣。对于每个压电构件，薄膜元件包括对应的薄膜部分，该对应的薄膜部分包括对应的叶瓣，其中每个压电构件位于其对应的薄膜部分之上。
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公开(公告)号：CN114377931A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202111202185.0
申请日：2021-10-15
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: B06B1/06
Abstract: 本公开的实施例涉及压电式微机械超声换能器。PMUT器件包括薄膜元件，该薄膜元件垂直于第一方向延伸并且被配置为通过关于平衡位置振荡来生成和接收超声波的。PMUT器件包括至少两个压电元件，其中每个压电元件沿着第一方向位于薄膜元件之上并且被配置为当电信号被施加到压电元件时引起薄膜元件振荡，以及响应于薄膜元件的振荡而生成电信号。薄膜元件沿垂直于第一方向的平面具有叶瓣形状，其中叶瓣形状包括至少两个叶瓣。对于每个压电构件，薄膜元件包括对应的薄膜部分，该对应的薄膜部分包括对应的叶瓣，其中每个压电构件位于其对应的薄膜部分之上。
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公开(公告)号：CN114377930A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202111201843.4
申请日：2021-10-15
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: B06B1/06
Abstract: 公开了减小自由振荡的压电微机械超声换能器。一种PMUT设备包括膜元件，该膜元件适于通过在相应的共振频率下围绕平衡位置振荡来产生和接收超声波。压电元件沿第一方向位于膜元件上方，并且被配置为当电信号施加到压电元件时使膜元件振荡，并且响应于膜元件的振荡而产生电信号。阻尼器被配置为减少膜元件的自由振荡，并且阻尼器包括围绕膜元件的阻尼器腔，以及聚合物构件，该聚合物构件的至少一部分沿第一方向在阻尼器腔上方。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113620233A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110492170.6
申请日：2021-05-06
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: MEMS致动器由以下部件形成：基底，围绕腔体；可变形结构，悬置在腔体上；致动结构，由第一压电材料的第一压电区域形成，由可变形结构支撑并且被配置为引起可变形结构的变形；以及检测结构，由第二压电材料的第二压电区域形成，由可变形结构支撑并且被配置为检测可变形结构的变形。
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公开(公告)号：CN108656747B
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN201710907948.9
申请日：2017-09-29
Applicant: 意法半导体股份有限公司 , 意法半导体公司
Abstract: 本公开涉及流体喷射装置、打印头、打印机和用于制造喷射装置的方法。用于流体的喷射装置包括固体主体，固体主体包括：第一半导体主体，包括用于容纳流体的室、与室流体连接的喷嘴、以及操作性地连接到室的致动器，以在使用时在流体中生成一个或多个压力波，使得流体从喷嘴喷射；以及第二半导体主体，包括用于将流体馈送到室的、耦合到第一半导体主体的通道，使得通道与室流体连接。第二半导体主体集成了阻尼腔，在阻尼腔之上延伸有阻尼膜，阻尼腔和阻尼膜横向延伸到通道，以馈送流体。
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公开(公告)号：CN116140172A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211449389.9
申请日：2022-11-18
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及去除所述半导体本体的从所述第二表面向所述第二腔室的一个或多个相应的选择性部分。一种MEMS超声换能器MUT器件，包括具有第一主表面和第二主表面的半导体本体并且包括：第一腔室，其在距所述第一主表面一定距离处延伸到所述半导体本体中；由所述半导体本体在所述第一主表面和所述第一腔室之间形成的膜；膜上的压电元件；在所述第一腔室和所述第二主表面之间延伸到所述半导体本体中的第二腔室；中心流体通道，所述中心流体通道从所述第二主表面到所述第一腔室延伸到所述半导体本体中并且横穿所述第二腔室；以及一个或多个横向流体通道，所述一个或多个横向流体通道从所述第二主表面延伸到所述半导体本体中到达所述第二腔室。
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公开(公告)号：CN112992192B
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202011360102.6
申请日：2020-11-27
Applicant: 意法半导体股份有限公司(IT)
Abstract: 本公开的各种实施例提供了用于硬盘存储器系统的读/写设备以及对应的制造工艺。该读/写设备包括固定结构；膜区域，包括被约束到固定结构的第一膜和第二膜以及介于第一膜与第二膜之间的中心部分；第一压电致动器和第二压电致动器，分别被机械地耦合到第一膜和第二膜；以及读/写头，被固定到膜区域的中心部分。可以控制第一压电致动器和第二压电致动器以导致第一膜和第二膜的对应的变形，第一膜和第二膜的所述变形导致读/写头相对于固定结构的对应的移动。
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公开(公告)号：CN115103280A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202111441249.2
申请日：2021-11-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 一种用于在传播介质中转换声波的微机械装置，包括：本体；第一电极结构，叠加至本体并且与本体电绝缘，第一电极结构和本体在它们之间限定第一掩埋腔；以及第一压电元件，叠加至第一电极结构，其中，本体、第一电极结构和掩埋腔形成第一电容式超声换能器，并且第一电极结构和第一压电元件形成第一压电超声换能器。
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