公开(公告)号：CN206767639U

公开(公告)日：2017-12-19

申请号：CN201720315465.5

申请日：2017-03-28

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： A·托齐奥 ,  L·科索

IPC: B81B7/02 ,  B81B7/00

CPC classification number: B81B7/007 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2207/092 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/00246 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0771 ,  B81C2203/0792

Abstract: 公开了集成半导体器件。一种用于制造集成半导体器件(55)的工艺，包括：形成MEMS结构(26)；形成ASIC电子电路(36)；以及将该MEMS结构电耦合至该ASIC电子电路(36)。该MEMS结构和该ASIC电子电路从包括半导体材料的同一衬底(20)开始集成；其中，该MEMS结构(26)形成在该衬底的第一表面(20a)处，并且该ASIC电子电路形成在该衬底(20)的第二表面(20b’)处，在横向于该第一表面(20a)和该第二表面(20b’)的延伸部的水平平面的方向上，该第二表面与该第一表面(20a)竖直相反。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN218491481U

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN202222274913.5

申请日：2022-08-29

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： P·菲拉里 ,  L·科索 ,  F·F·维拉 ,  S·尼科利 ,  L·拉玛格纳

IPC: B81B7/02 ,  B81B7/00 ,  B81C1/00 ,  G01L9/12 ,  G01P15/125 ,  G01C19/00

Abstract: 本公开涉及半导体器件。半导体器件包括：第一微机电系统器件；第二微机电系统器件；衬底；第一电极，第一电极被耦合到在衬底上延伸的第一微机电系统器件；第一电极上的第一层；在第一层上的、对蚀刻化学溶液不可渗透的保护层；在保护层上的、多孔材料的膜层，膜层对蚀刻化学溶液可渗透；被膜层重叠的腔；第一结构层，第一结构层密封膜层的孔并且与膜层形成第一微机电系统器件的悬置结构，悬置结构是通过腔电容性耦合到第一电极的第二电极；以及第二结构层在第一结构层上，并且第二结构层包括：第二微机电系统器件的可移动结构；以及第一微机电系统器件的第一电极和第二电极的偏置结构。由此，提供了改进的半导体器件。

公开(公告)号：CN215756431U

公开(公告)日：2022-02-08

申请号：CN202121072705.6

申请日：2021-05-19

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： G·阿勒加托 ,  L·科索 ,  I·格尔米 ,  C·瓦尔扎希纳

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02

Abstract: 本公开的实施例涉及MEMS设备。该设备包括：衬底；第一结构层，具有第一厚度并且在衬底上延伸；第二结构层，具有第二厚度并且在第一结构层上延伸；多个第一沟槽，延伸通过第一结构层并且限定第一功能元件；多个第二沟槽，延伸通过第二结构层并且限定覆盖第一功能元件的第二功能元件；多个第三沟槽，延伸通过第一结构层和第二结构层，其中第一结构层和第二结构层形成支撑结构，具有第三厚度，支撑结构被锚定到衬底并且支撑第一功能元件和第二功能元件，第一间隙区在第一功能元件与第二功能元件之间延伸并且围绕支撑结构。利用本公开的实施例可以有利地允许多个微机械结构被布置在单个管芯中，允许整体大小被减小，降低制造成本，改善设备集成。