公开(公告)号：CN210944855U

公开(公告)日：2020-07-07

申请号：CN201921509424.5

申请日：2019-09-11

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： S·克斯坦蒂尼 ,  D·阿斯萨内利 ,  A·L·博尔托洛蒂 ,  M·维梅尔卡蒂 ,  I·瓦里斯科

IPC: B81B7/02 ,  G03B21/00

Abstract: 本申请的实施方式涉及微机电装置、投影仪系统、便携式电子设备和电子装置。底部半导体区域被形成为包括：主子区域，延伸穿过覆盖半导体晶片的底部介电区域；以及次子区域，次子区域覆盖底部介电区域并围绕主子区域。第一顶部腔室和第二顶部腔室被形成为穿过晶片，界定固定本体和图案化结构，图案化结构包括与主子区域接触的中心部分以及与底部介电区域接触的可变形部分。底部腔室穿过底部半导体区域形成，直到底部介电区域，底部腔室侧向界定包括主子区域的加强区域并且留下暴露的部分底部介电区域和界定第一顶部腔室和第二顶部腔室的部分底部介电区域，暴露的部分底部介电区域与可变形部分接触。留下来由底部腔室暴露的部分被选择性地移除。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN206640794U

公开(公告)日：2017-11-14

申请号：CN201621446151.0

申请日：2016-12-27

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： M·佩尔勒蒂 ,  I·瓦里斯科 ,  L·拉玛格纳 ,  S·阿多尔诺 ,  G·加特瑞 ,  C·瓦尔扎希纳 ,  S·康蒂

IPC: H04R19/04

CPC classification number: C12R1/01 ,  C12P13/02

Abstract: 一种MEMS声换能器，其设置有：半导体材料的衬底，具有背表面和相对于垂直方向相反的前表面；形成在衬底内的第一腔，其从背表面延伸到前表面；膜，其布置在上表面处，悬置在第一腔的上方并沿着其周界锚定到衬底；以及梳齿状电极布置，其包括耦接到膜的多个可移动电极以及耦接到衬底并面向相应的可移动电极以形成感测电容器的多个固定电极，其中作为入射声波压力波的结果的膜的变形引起感测电容器的电容变化。特别地，梳齿状电极布置相对于膜垂直地放置并且平行于膜延伸。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN219009916U

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202221603668.1

申请日：2022-06-24

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： P·菲拉里 ,  F·F·维拉 ,  E·杜奇 ,  I·瓦里斯科 ,  F·德科利

IPC: B81B7/02 ,  B81B7/00 ,  B81C1/00

Abstract: 本公开的实施例涉及半导体器件。一种半导体器件，包括：单片半导体本体，半导体本体包括：第一主面；第二主面，与第一主面相对；衬底，包括导电类型；第一导电区，从第一主面延伸到衬底中，第一导电区具有导电类型；掩埋腔，在第一导电区中；隔膜，在掩埋腔和半导体本体的第一主表面之间延伸，隔膜具有面向掩埋腔的掩埋面；隔膜绝缘层，在隔膜的掩埋面上延伸；以及绝缘材料的横向绝缘区，其在第一主表面和隔膜绝缘层之间、在掩埋腔上方沿封闭线延伸到半导体本体中，横向绝缘区横向界定隔膜并且与隔膜绝缘层接触。利用本公开的实施例的半导体器件是可靠的，可以以高产率生产并且具有降低的成本。

公开(公告)号：CN210159064U

公开(公告)日：2020-03-20

申请号：CN201920317155.6

申请日：2019-03-13

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： D·朱斯蒂 ,  O·R·A·迪马尔科 ,  I·瓦里斯科

IPC: A61M16/20 ,  A61M16/00

Abstract: 本公开的各实施例涉及阀模块以及持续气道正压型的呼吸辅助装置。在此描述的阀模块包括半导体本体、在半导体本体中的彼此隔开一定距离的空腔、悬置在每个空腔之上以使能空腔的至少部分闭合的悬臂结构、以及用于每个悬臂结构的压电致动器。压电致动器被配置用于引起相应悬臂结构的正弯曲并且因此调节通过阀模块的气流的速率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利