公开(公告)号：CN118632618A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202310194777.5

申请日：2023-03-01

Applicant: 张江国家实验室

Inventor： 熊诗圣 ,  周竞

IPC: H10N70/20 ,  H10N79/00

Abstract: 本发明提供一种基于氧化物纳米柱通道的忆阻器、系统及其制备方法，通过PS‑b‑PMMA嵌段共聚物薄膜自组装和金属氧化物的连续循环渗透沉积制造，并在PS‑r‑PMMA无规共聚物作为分子刷的作用下，实现含金属氧化物的PMMA纳米柱的形成，并且其方向沿厚度方向延伸，实现导电细丝的定向生长与断裂，从而提高器件的一致性和稳定性，在神经形态系统设计与实现方面具有巨大的应用潜力；另外，该制备方法兼容CMOS工艺，能够高效、低成本制造大规模忆阻器阵列，利于产业化批量生产；再者，在每一个忆阻器阵列交叉点上集成多个阻变层，通过外部电信号的调控，同时导通多个阻变层，从而减少忆阻器阵列制备难度，提高忆阻器阵列的鲁棒性。

公开(公告)号：CN117891134A

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202211226812.9

申请日：2022-10-09

Applicant: 张江国家实验室

Inventor： 周恒宇 ,  李思坤 ,  张涛 ,  熊诗圣

IPC: G03F7/20 ,  G03F1/70 ,  H01L21/027

Abstract: 本申请公开了用于对半导体特征结构进行分配的方法。一种方法包括：获得指示半导体特征结构的位置的位置信息；基于设计约束参数和位置信息，确定初步分组染色分配结果，设计约束参数包括参考染色数；基于设计约束参数和初步元素组的子集中的半导体特征结构的位置信息，更新初步分组染色分配结果，以获得染色数小于或等于参考染色数的优化分组染色分配结果，该子集包括其余初步元素组和相关联的初步元素组，该其余初步元素组是超出参考染色数指示数量的不同染色值对应的初步元素组的初步元素组；以及基于设计约束参数和优化分组染色分配结果，将半导体特征结构与相应的掩模层相匹配。

公开(公告)号：CN117810065A

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN202211164883.0

申请日：2022-09-23

Applicant: 张江国家实验室

Inventor： 胡晓华 ,  张蕊 ,  吴智勇 ,  熊诗圣

IPC: H01L21/027

Abstract: 本发明涉及一种利用聚焦太阳能退火工艺进行嵌段共聚物(Block Copolymer,BCP)自组装的方法，包括如下步骤：(1)在衬底上接枝无规共聚物；(2)在所述无规共聚物上涂覆包含与所述无规共聚物相对应的嵌段共聚物的材料；以及(3)利用聚焦太阳能退火工艺来驱动所述BCP进行微相分离，从而使所述BCP在所述衬底上进行自组装以形成有序结构。通过采用聚焦太阳能退火工艺，可在平面衬底以及图形引导模板上使BCP实现微相分离，能够显著降低BCP光刻的能耗、工艺时间及成本。

公开(公告)号：CN117801313A

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN202211209262.X

申请日：2022-09-30

Applicant: 张江国家实验室

Inventor： 熊诗圣 ,  吴智勇 ,  徐兴冉 ,  李自力 ,  董庆树 ,  李卫华

IPC: C08J3/00 ,  H01L21/027 ,  C08L101/00

Abstract: 本发明提供一种嵌段共聚物共混导向自组装方法，使用由第一嵌段共聚物和第二嵌段共聚物组成的共混物来进行导向自组装，所述第一嵌段共聚物所包含的两种或两种以上的均聚物与所述第二嵌段共聚物所包含的两种或两种以上的均聚物的分子结构相同，且所述第一嵌段共聚物的分子量大于所述第二嵌段共聚物的分子量，所述共混物中，所述第一嵌段共聚物与所述第二嵌段共聚物的体积百分比为50％：50％以上。通过嵌段共聚物的共混来改善导向自组装的工艺窗口，提高DSA工艺技术的良率，拓宽DSA工艺的适用范围。