公开(公告)号：CN110164763A

公开(公告)日：2019-08-23

申请号：CN201910115403.3

申请日：2019-02-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： Y·林 ,  Q·周 ,  Y·张

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/336

Abstract: 本文所述的实施方式涉及基板处理方法。所述方法包括在基板上形成经图案化的硬掩模材料，在基板的暴露区域上形成第一心轴结构，以及在基板上在硬掩模材料和第一心轴结构上方沉积间隙填充材料。去除第一心轴结构以形成包含硬掩模材料和间隙填充材料的第二心轴结构，并且使用第二心轴结构作为掩模来蚀刻基板以形成鳍片结构。

公开(公告)号：CN110016645A

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201910305677.9

申请日：2014-07-15

Applicant: 应用材料公司

Inventor： J·Y·孙 ,  B·P·卡农戈 ,  V·菲鲁兹多尔 ,  Y·张

IPC: C23C14/22 ,  C23C14/04 ,  C23C14/06 ,  C23C14/08 ,  C23C14/18 ,  C23C14/30 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明涉及用于处理腔室的腔室部件、抗等离子体盖或喷嘴及制造制品的方法。制造制品的方法包含提供用于蚀刻反应器的盖或喷嘴。随后执行离子辅助沉积(IAD)以在盖或喷嘴的至少一个表面上沉积保护层，其中，保护层是具有小于300μm的厚度以及10微英寸或更小的平均表面粗糙度的抗等离子体的稀土氧化物膜。

公开(公告)号：CN105378900A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201480040772.6

申请日：2014-07-15

Applicant: 应用材料公司

Inventor： J·Y·孙 ,  B·P·卡农戈 ,  V·菲鲁兹多尔 ,  Y·张

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/683 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01J37/32642 ,  C23C14/0015 ,  C23C14/0031 ,  C23C14/08 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32495 ,  Y10T428/1317

Abstract: 一种制造制品的方法包括提供用于蚀刻反应器的环。随后，执行离子辅助沉积(IAD)以在环的至少一个表面上沉积保护层，其中，保护层是抗等离子体的稀土氧化物膜，所述抗等离子体的稀土氧化物膜具有小于300微米的厚度以及小于6微英寸的平均表面粗糙度。

公开(公告)号：CN107978507B

公开(公告)日：2019-12-06

申请号：CN201711394369.5

申请日：2014-07-15

Applicant: 应用材料公司

Inventor： J·Y·孙 ,  B·P·卡农戈 ,  V·菲鲁兹多尔 ,  Y·张

IPC: H01J37/32 ,  C23C14/08 ,  C23C14/00

Abstract: 本发明涉及用于处理腔室的腔室部件和制造制品的方法。一种制造制品的方法包括提供用于蚀刻反应器的环。随后，执行离子辅助沉积(IAD)以在环的至少一个表面上沉积保护层，其中，保护层是抗等离子体的稀土氧化物膜，所述抗等离子体的稀土氧化物膜具有小于300微米的厚度以及小于6微英寸的平均表面粗糙度。

公开(公告)号：CN109308988A

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201811100401.9

申请日：2014-07-15

Applicant: 应用材料公司

Inventor： J·Y·孙 ,  B·P·卡农戈 ,  V·菲鲁兹多尔 ,  Y·张

IPC: H01J37/32 ,  C23C14/00 ,  C23C14/08

Abstract: 本发明涉及用于处理腔室的腔室部件和制造制品的方法。一种制造制品的方法包括提供用于蚀刻反应器的环。随后，执行离子辅助沉积(IAD)以在环的至少一个表面上沉积保护层，其中，保护层是抗等离子体的稀土氧化物膜，所述抗等离子体的稀土氧化物膜具有小于300微米的厚度以及小于6微英寸的平均表面粗糙度。