公开(公告)号：CN110112053B

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN201910130024.1

申请日：2014-03-06

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 王安川 ,  X·陈 ,  Z·李 ,  H·哈玛纳 ,  Z·陈 ,  C-M·徐 ,  J·黄 ,  N·K·英格尔 ,  D·卢博米尔斯基 ,  S·文卡特拉马 ,  R·撒库尔

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/263 ,  H01L21/268 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  H01L21/683 ,  H01J37/32 ,  C23C16/44

Abstract: 本发明涉及组合处理腔室和处置腔室。提供用于控制湿气污染物造成的工艺缺陷的系统、腔室及工艺。系统可提供用于腔室的配置以在真空或受控环境中施行多项操作。腔室可包括组合腔室设计中的配置以提供附加处理功能。方法可提供对老化缺陷的限制、防止及修正，该等老化缺陷可由系统工具施行的蚀刻工艺造成。

公开(公告)号：CN104641455B

公开(公告)日：2018-01-12

申请号：CN201380048351.3

申请日：2013-08-26

Applicant: 应用材料公司

Inventor： Z·陈 ,  J·张 ,  C-M·徐 ,  S·朴 ,  A·王 ,  N·K·英格尔

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32357

Abstract: 描述一种在图案化异质结构上蚀刻暴露的氧化硅的方法，且该方法包括从含氟前体所形成的远端等离子体蚀刻。来自该远端等离子体的等离子体流出物流进基板处理区域，在该基板处理区域中该等离子体流出物与含氮和氢前体组合。在该基板于相较于典型的SiconiTM工艺为高温时，从而产生的反应物以高氧化硅选择性蚀刻该图案化异质结构。该蚀刻进行不会在该基板表面上产生残余物。该方法可用以在移除极少量或不移除硅、多晶硅、氮化硅或氮化钛的同时移除氧化硅。

公开(公告)号：CN103843117B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201280049052.7

申请日：2012-10-04

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·王 ,  J·张 ,  N·K·英格尔 ,  Y·S·李

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32357 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/32137

Abstract: 描述了蚀刻图案化的非均相结构上的暴露硅的方法，且方法包括自含氟前体与含氢前体形成的远端等离子体蚀刻。将来自远端等离子体的等离子体流出物流入基板处理区中，等离子体流出物在基板处理区中与硅的暴露区反应。等离子体流出物与图案化的非均相结构反应，以选择性移除硅同时非常缓慢地移除其他暴露材料。硅的选择性部分是因为含氢前体在远端等离子体中的数量优势，此数量优势氢终止图案化的非均相结构上的表面。含氟前体的低很多流动逐渐以氟取代氢终止硅上的氢，藉此自硅的暴露区选择性地移除硅。方法亦可用来在远快于氧化硅、氮化硅与多种含金属材料下选择性地移除硅。

公开(公告)号：CN103765562B

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201280041735.8

申请日：2012-08-31

Applicant: 应用材料公司

Inventor： Y·王 ,  A·王 ,  J·张 ,  N·K·英格尔 ,  Y·S·李

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/32137

Abstract: 描述了一种抑制对图案化异质结构上的暴露的含硅与氮材料的蚀刻速率的方法，且所述方法包括两阶段远端等离子体蚀刻。相对于氮化硅及含硅与氮的其他材料，使用本方法可增加硅的蚀刻选择性。远端等离子体蚀刻的第一阶段将等离子体流出物与图案化异质结构反应，以在含硅与氮材料上形成保护性固态副产物。第一阶段的等离子体流出物由前驱物（包括三氟化氮及氢气（H2））的组合的远端等离子体形成。远端等离子体蚀刻的第二阶段亦将等离子体流出物与图案化异质结构反应，以选择性地移除缺乏保护性固态副产物的材料。第二阶段的等离子体流出物由含氟前驱物的远端等离子体形成。

公开(公告)号：CN103748666B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201280040443.2

申请日：2012-08-06

Applicant: 应用材料公司

Inventor： Y·王 ,  A·王 ,  J·张 ,  N·K·英格尔 ,  Y·S·李

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32357 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/32137

Abstract: 描述了一种在图案化异质结构上抑制对暴露的含硅与氧材料的蚀刻速率的方法，且该方法包括两阶段远端等离子体蚀刻。使用本文的技术增加选择性的材料的范例包括氮化硅及硅。远端等离子体蚀刻的第一阶段将等离子体流出物与图案化异质结构反应，以在含硅与氧材料上形成保护性固态副产物。第一阶段的等离子体流出物由前体组合的远端等离子体形成，前体组合包括含氮前体及含氢前体。远端等离子体蚀刻的第二阶段亦将等离子体流出物与图案化异质结构反应，以选择性地移除缺乏保护性固态副产物的材料。第二阶段的等离子体流出物由含氟前体的远端等离子体形成。

公开(公告)号：CN104641456A

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201380048484.0

申请日：2013-08-30

Applicant: 应用材料公司

Inventor： N·K·英格尔 ,  A·王 ,  X·陈

IPC: H01L21/3065

Abstract: 本发明描述了关于半导体处理腔室的系统及方法。示例性腔室可包括与腔室的第一出入口流体耦接的第一远端等离子体系统，及与腔室的第二出入口流体耦接的第二远端等离子体系统。系统亦可包括腔室中的气体分配组件，该气体分配组件可经配置以输送第一前驱物及第二前驱物两者进入腔室的处理区域内，同时保持第一前驱物及第二前驱物彼此流体隔离，直至该等前驱物经输送进入腔室的处理区域内为止。

公开(公告)号：CN104620363A

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201380047312.1

申请日：2013-08-22

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·H·朴 ,  Y·王 ,  J·张 ,  A·王 ,  N·K·英格尔

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/3065

Abstract: 兹描述蚀刻经图案化异质结构上的暴露的氧化硅的方法，且该方法包括自远端等离子体蚀刻所产生的气相蚀刻。远端等离子体激发含氟前体。将来自远端等离子体的等离子体流出物流入基板处理区，等离子体流出物在基板处理区与水蒸气结合。藉此产生的反应物蚀刻经图案化异质结构，以在不同的蚀刻速率下移除两个单独的相异氧化硅区。该方法可被用来在移除较少高密度氧化硅的同时移除低密度氧化硅。

公开(公告)号：CN103477422A

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201280018583.X

申请日：2012-03-30

Applicant: 应用材料公司

Inventor： J·梁 ,  N·K·英格尔 ,  S·洪 ,  A·M·帕特尔

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/345 ,  C23C16/56

Abstract: 本发明描述了一种形成氧化硅层的方法。所述方法首先通过自由基组分化学气相沉积（CVD）来沉积含硅-氮-氢（聚硅氮烷）的膜。通过在低基板温度下让聚硅氮烷膜暴露于湿气，将聚硅氮烷膜转换成氧化硅。还可把聚硅氮烷膜浸入具有氧与氢两者的液体（例如，水、过氧化氢和/或氢氧化铵）中。这些转换技术可单独或依序结合地使用。本文所述的转换技术加速了转换，产生了值得制造的膜，并且免除了对高温氧化处理的要求。臭氧处理可早于转换技术。

公开(公告)号：CN102918635A

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201180026160.8

申请日：2011-05-06

Applicant: 应用材料公司

Inventor： J·张 ,  王安川 ,  N·K·英格尔

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/32137 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32136

Abstract: 在此描述一种蚀刻图案化异质含硅结构的方法，相比于现有远端等离子体蚀刻，所述方法包含具有反向选择性的远端等离子体蚀刻。可使用所述方法共形修整多晶硅，同时移除少量氧化硅或不移除氧化硅。更一般地来说，包含少量氧的含硅膜层会比含有较多氧的含硅膜层更快速地被移除。其他示例性的应用包含修整碳氮化硅(silicon carbon nitride)膜时，基本保留氧碳化硅(siliconoxycarbide)。可利用本文所描述的方法以及崭新的工艺流程来实施此应用。期望此工艺流程能够适用于各种更精细的线宽结构。亦可使用在此所描述的方法，以比蚀刻具有较高浓度氮的含氮硅膜层更快的速度来蚀刻含硅膜层。

公开(公告)号：CN102652355A

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN201080055791.8

申请日：2010-11-04

Applicant: 应用材料公司

Inventor： L·王 ,  A·B·马利克 ,  N·K·英格尔

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/02326 ,  H01L21/02343

Abstract: 提供在含硅介电材料上进行湿法氧化工艺的方法，该含硅介电材料填充在基板内所界定的沟槽或孔洞内。在一实施例中，在基板上形成介电材料的方法包括藉由流动式CVD工艺在基板上形成介电材料、固化设置在基板上的介电材料、在设置在基板上的介电材料上进行湿法氧化工艺，以及在基板上形成经氧化介电材料。