公开(公告)号：CN103843117A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201280049052.7

申请日：2012-10-04

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·王 ,  J·张 ,  N·K·英格尔 ,  Y·S·李

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32357 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/32137

Abstract: 描述了蚀刻图案化的非均相结构上的暴露硅的方法，且方法包括自含氟前体与含氢前体形成的远端等离子体蚀刻。将来自远端等离子体的等离子体流出物流入基板处理区中，等离子体流出物在基板处理区中与硅的暴露区反应。等离子体流出物与图案化的非均相结构反应，以选择性移除硅同时非常缓慢地移除其他暴露材料。硅的选择性部分是因为含氢前体在远端等离子体中的数量优势，此数量优势氢终止图案化的非均相结构上的表面。含氟前体的低很多流动逐渐以氟取代氢终止硅上的氢，藉此自硅的暴露区选择性地移除硅。方法亦可用来在远快于氧化硅、氮化硅与多种含金属材料下选择性地移除硅。

公开(公告)号：CN106449472B

公开(公告)日：2021-10-12

申请号：CN201610637513.2

申请日：2016-08-05

Applicant: 应用材料公司

Inventor： L·徐 ,  Z·陈 ,  A·王 ,  S·T·恩古耶

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/3065

Abstract: 公开了氧化物蚀刻选择性系统。本技术的实施方式可以包括一种对基板进行蚀刻的方法。所述方法可以包括引燃等离子体区域中的等离子体放电。所述方法还可包括使含氟的前驱物流入所述等离子体区域中，以便形成等离子体流出物。所述等离子体流出物可流入混合区域中。所述方法可进一步包括将含氢和氧的化合物引入所述混合区域中，而不首先使所述含氢和氧的化合物进入所述等离子体区域中。另外，所述方法可以包括使所述含氢和氧的化合物与所述等离子体流出物在所述混合区域中反应，以便形成反应产物。所述反应产物可以通过隔板中的多个开口流到基板处理区域。所述方法还可包括在所述基板处理区域中利用所述反应产物蚀刻所述基板。

公开(公告)号：CN104641455B

公开(公告)日：2018-01-12

申请号：CN201380048351.3

申请日：2013-08-26

Applicant: 应用材料公司

Inventor： Z·陈 ,  J·张 ,  C-M·徐 ,  S·朴 ,  A·王 ,  N·K·英格尔

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32357

Abstract: 描述一种在图案化异质结构上蚀刻暴露的氧化硅的方法，且该方法包括从含氟前体所形成的远端等离子体蚀刻。来自该远端等离子体的等离子体流出物流进基板处理区域，在该基板处理区域中该等离子体流出物与含氮和氢前体组合。在该基板于相较于典型的SiconiTM工艺为高温时，从而产生的反应物以高氧化硅选择性蚀刻该图案化异质结构。该蚀刻进行不会在该基板表面上产生残余物。该方法可用以在移除极少量或不移除硅、多晶硅、氮化硅或氮化钛的同时移除氧化硅。

公开(公告)号：CN103843117B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201280049052.7

申请日：2012-10-04

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·王 ,  J·张 ,  N·K·英格尔 ,  Y·S·李

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32357 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/32137

Abstract: 描述了蚀刻图案化的非均相结构上的暴露硅的方法，且方法包括自含氟前体与含氢前体形成的远端等离子体蚀刻。将来自远端等离子体的等离子体流出物流入基板处理区中，等离子体流出物在基板处理区中与硅的暴露区反应。等离子体流出物与图案化的非均相结构反应，以选择性移除硅同时非常缓慢地移除其他暴露材料。硅的选择性部分是因为含氢前体在远端等离子体中的数量优势，此数量优势氢终止图案化的非均相结构上的表面。含氟前体的低很多流动逐渐以氟取代氢终止硅上的氢，藉此自硅的暴露区选择性地移除硅。方法亦可用来在远快于氧化硅、氮化硅与多种含金属材料下选择性地移除硅。

公开(公告)号：CN103765562B

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201280041735.8

申请日：2012-08-31

Applicant: 应用材料公司

Inventor： Y·王 ,  A·王 ,  J·张 ,  N·K·英格尔 ,  Y·S·李

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/32137

Abstract: 描述了一种抑制对图案化异质结构上的暴露的含硅与氮材料的蚀刻速率的方法，且所述方法包括两阶段远端等离子体蚀刻。相对于氮化硅及含硅与氮的其他材料，使用本方法可增加硅的蚀刻选择性。远端等离子体蚀刻的第一阶段将等离子体流出物与图案化异质结构反应，以在含硅与氮材料上形成保护性固态副产物。第一阶段的等离子体流出物由前驱物（包括三氟化氮及氢气（H2））的组合的远端等离子体形成。远端等离子体蚀刻的第二阶段亦将等离子体流出物与图案化异质结构反应，以选择性地移除缺乏保护性固态副产物的材料。第二阶段的等离子体流出物由含氟前驱物的远端等离子体形成。

公开(公告)号：CN104012185B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201280062489.4

申请日：2012-10-15

Applicant: 应用材料公司

Inventor： V·托多罗 ,  S·巴纳 ,  I·优素福 ,  A·王 ,  G·勒雷

IPC: H05H1/34 ,  H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/6833 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/32715 ,  H01L21/6831 ,  H02N13/00 ,  Y10T279/23

Abstract: 本文中提供一种处理基板的装置。在一些实施例中，一种处理基板的装置可包括：基板支座，该基板支座包含设置于该基板支座内并具有周缘及第一表面的第一电极；设置于该第一电极的该第一表面上方的基板支座表面；以及第二电极，该第二电极设置于该基板支座内并径向延伸越过该第一电极的该周缘，其中该第二电极具有第二表面，该第二表面设置于该第一电极的该第一表面周围与上方。

公开(公告)号：CN103748666B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201280040443.2

申请日：2012-08-06

Applicant: 应用材料公司

Inventor： Y·王 ,  A·王 ,  J·张 ,  N·K·英格尔 ,  Y·S·李

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32357 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/32137

Abstract: 描述了一种在图案化异质结构上抑制对暴露的含硅与氧材料的蚀刻速率的方法，且该方法包括两阶段远端等离子体蚀刻。使用本文的技术增加选择性的材料的范例包括氮化硅及硅。远端等离子体蚀刻的第一阶段将等离子体流出物与图案化异质结构反应，以在含硅与氧材料上形成保护性固态副产物。第一阶段的等离子体流出物由前体组合的远端等离子体形成，前体组合包括含氮前体及含氢前体。远端等离子体蚀刻的第二阶段亦将等离子体流出物与图案化异质结构反应，以选择性地移除缺乏保护性固态副产物的材料。第二阶段的等离子体流出物由含氟前体的远端等离子体形成。

公开(公告)号：CN104641456A

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201380048484.0

申请日：2013-08-30

Applicant: 应用材料公司

Inventor： N·K·英格尔 ,  A·王 ,  X·陈

IPC: H01L21/3065

Abstract: 本发明描述了关于半导体处理腔室的系统及方法。示例性腔室可包括与腔室的第一出入口流体耦接的第一远端等离子体系统，及与腔室的第二出入口流体耦接的第二远端等离子体系统。系统亦可包括腔室中的气体分配组件，该气体分配组件可经配置以输送第一前驱物及第二前驱物两者进入腔室的处理区域内，同时保持第一前驱物及第二前驱物彼此流体隔离，直至该等前驱物经输送进入腔室的处理区域内为止。

公开(公告)号：CN104620363A

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201380047312.1

申请日：2013-08-22

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·H·朴 ,  Y·王 ,  J·张 ,  A·王 ,  N·K·英格尔

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/3065

Abstract: 兹描述蚀刻经图案化异质结构上的暴露的氧化硅的方法，且该方法包括自远端等离子体蚀刻所产生的气相蚀刻。远端等离子体激发含氟前体。将来自远端等离子体的等离子体流出物流入基板处理区，等离子体流出物在基板处理区与水蒸气结合。藉此产生的反应物蚀刻经图案化异质结构，以在不同的蚀刻速率下移除两个单独的相异氧化硅区。该方法可被用来在移除较少高密度氧化硅的同时移除低密度氧化硅。

公开(公告)号：CN107810546A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：CN201680023572.9

申请日：2016-03-30

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 刘杰 ,  S·朴 ,  A·王 ,  Z·崔 ,  N·K·英格尔

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11582

CPC classification number: H01L21/02057 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32137 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11582

Abstract: 描述了一种自通孔移除非晶硅/氧化硅膜堆叠的方法。该方法可涉及包含氟的远程等离子体及包含氟及远程等离子体中未激发的含氮与氢的前驱物的局部等离子体以移除氧化硅。该方法可随后涉及惰性物种的局部等离子体以潜在地移除任何薄碳层(光阻剂的残留物)并且处理非晶硅层，以为移除作准备。该方法可随后涉及利用相同基板处理区域内可能的若干选项移除经处理的非晶硅层。通孔的底部可随后具有已暴露的单晶硅，此已暴露的单晶硅有益于外延单晶硅膜生长。本文所呈现的方法可特别适用于三维NAND(例如，VNAND)装置形成。