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公开(公告)号：CN110235228A
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201780069648.6
申请日：2017-11-08
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3213 , B08B7/00 , H01J37/32 , H01L21/3065 , H01L21/67
Abstract: 示例性清洁或蚀刻方法可包括：使含氟前驱物流进半导体处理腔室的远程等离子体区域。方法可包括：在所述远程等离子体区域内形成等离子体，以生成所述含氟前驱物的等离子体流出物。所述方法还可包括：使所述等离子体流出物流进所述半导体处理腔室的处理区域。基板可定位在所述处理区域内，并且所述基板可包括被暴露的氧化物的区域。方法还可包括：将含氢前驱物提供至所述处理区域。所述方法可进一步包括：移除所述被暴露的氧化物的至少一部分，同时将所述处理区域内的相对湿度维持在低于约50％。在移除之后，所述方法可包括，将所述处理区域内的所述相对湿度增加至大于50％或为约50％。所述方法可进一步包括：移除额外量的所述被暴露的氧化物。
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公开(公告)号：CN111819669B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN201980017633.4
申请日：2019-02-27
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/311 , H01L21/3065 , H01L21/67 , H01L21/764 , H01L21/768 , H01L21/02
Abstract: 示例性蚀刻方法可包含将含氟前驱物流入半导体处理腔室的基板处理区域中。方法可包含将含氢前驱物流入基板处理区域中。方法可包含将容纳在基板处理区域中的基板与含氟前驱物和含氢前驱物接触。基板可包含沟槽或凹陷特征，并且沿沟槽或特征的侧壁可形成间隔物。间隔物可包含多个层，包含含碳或含氮材料的第一层、含氧材料的第二层以及含碳或含氮材料的第三层。间隔物的第二层可设置在间隔物的第一层与第三层之间。方法也可包含移除含氧材料。
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公开(公告)号：CN110692123B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN201880036041.2
申请日：2018-05-17
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/02
Abstract: 示例性清洁或蚀刻方法可包括使含氟前驱物流入半导体处理腔室的远程等离子体区域中。方法可包括在远程等离子体区域内形成等离子体，以产生含氟前驱物的等离子体流出物。方法还可包括使等离子体流出物流入半导体处理腔室的处理区域中。基板可位于处理区域内，且基板可包括暴露的氧化物的区域和暴露的金属的区域。方法还可包括向处理区域提供含氢前驱物。方法可进一步包括移除暴露的氧化物的至少一部分。
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公开(公告)号：CN116564808A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310498893.6
申请日：2017-11-08
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3213 , H01J37/32 , H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/67 , B08B7/00 , H01L21/02
Abstract: 示例性清洁或蚀刻方法可包括：使含氟前驱物流进半导体处理腔室的远程等离子体区域。方法可包括：在所述远程等离子体区域内形成等离子体，以生成所述含氟前驱物的等离子体流出物。所述方法还可包括：使所述等离子体流出物流进所述半导体处理腔室的处理区域。基板可定位在所述处理区域内，并且所述基板可包括被暴露的氧化物的区域。方法还可包括：将含氢前驱物提供至所述处理区域。所述方法可进一步包括：移除所述被暴露的氧化物的至少一部分，同时将所述处理区域内的相对湿度维持在低于约50％。在移除之后，所述方法可包括，将所述处理区域内的所述相对湿度增加至大于50％或为约50％。所述方法可进一步包括：移除额外量的所述被暴露的氧化物。
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公开(公告)号：CN110692123A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201880036041.2
申请日：2018-05-17
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/02
Abstract: 示例性清洁或蚀刻方法可包括使含氟前驱物流入半导体处理腔室的远程等离子体区域中。方法可包括在远程等离子体区域内形成等离子体，以产生含氟前驱物的等离子体流出物。方法还可包括使等离子体流出物流入半导体处理腔室的处理区域中。基板可位于处理区域内，且基板可包括暴露的氧化物的区域和暴露的金属的区域。方法还可包括向处理区域提供含氢前驱物。方法可进一步包括移除暴露的氧化物的至少一部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106449472A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610637513.2
申请日：2016-08-05
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/3244 , C23C16/45565 , C23C16/50 , H01J37/32009 , H01J37/32082 , H01J37/32357 , H01J37/32715 , H01J37/32899 , H01J2237/334 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/32135 , H01L21/32136 , H01L21/32137 , H01L21/67069
Abstract: 本技术的实施方式可以包括一种对基板进行蚀刻的方法。所述方法可以包括触发等离子体区域中的等离子体放电。所述方法还可包括使含氟的前驱物流入所述等离子体区域中，以便形成等离子体出流。所述等离子体出流可流入混合区域中。所述方法可进一步包括将含氢和氧的化合物引入所述混合区域中，而不首先使所述含氢和氧的化合物进入所述等离子体区域中。另外，所述方法可以包括使所述含氢和氧的化合物与所述等离子体出流在所述混合区域中反应，以便形成反应产物。所述反应产物可以通过隔板中的多个开口流向基板处理区域。所述方法还可包括在所述基板处理区域中利用所述反应产物蚀刻所述基板。
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公开(公告)号：CN118486589A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410554842.5
申请日：2019-02-27
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/311 , H01L21/3065 , H01L21/67 , H01L21/764 , H01L21/768 , H01L21/02
Abstract: 示例性蚀刻方法可包含将含氟前驱物流入半导体处理腔室的基板处理区域中。方法可包含将含氢前驱物流入基板处理区域中。方法可包含将容纳在基板处理区域中的基板与含氟前驱物和含氢前驱物接触。基板可包含沟槽或凹陷特征，并且沿沟槽或特征的侧壁可形成间隔物。间隔物可包含多个层，包含含碳或含氮材料的第一层、含氧材料的第二层以及含碳或含氮材料的第三层。间隔物的第二层可设置在间隔物的第一层与第三层之间。方法也可包含移除含氧材料。
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公开(公告)号：CN110235228B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN201780069648.6
申请日：2017-11-08
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3213 , B08B7/00 , H01J37/32 , H01L21/3065 , H01L21/67
Abstract: 示例性清洁或蚀刻方法可包括：使含氟前驱物流进半导体处理腔室的远程等离子体区域。方法可包括：在所述远程等离子体区域内形成等离子体，以生成所述含氟前驱物的等离子体流出物。所述方法还可包括：使所述等离子体流出物流进所述半导体处理腔室的处理区域。基板可定位在所述处理区域内，并且所述基板可包括被暴露的氧化物的区域。方法还可包括：将含氢前驱物提供至所述处理区域。所述方法可进一步包括：移除所述被暴露的氧化物的至少一部分，同时将所述处理区域内的相对湿度维持在低于约50％。在移除之后，所述方法可包括，将所述处理区域内的所述相对湿度增加至大于50％或为约50％。所述方法可进一步包括：移除额外量的所述被暴露的氧化物。
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公开(公告)号：CN106449472B
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN201610637513.2
申请日：2016-08-05
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/3065
Abstract: 公开了氧化物蚀刻选择性系统。本技术的实施方式可以包括一种对基板进行蚀刻的方法。所述方法可以包括引燃等离子体区域中的等离子体放电。所述方法还可包括使含氟的前驱物流入所述等离子体区域中，以便形成等离子体流出物。所述等离子体流出物可流入混合区域中。所述方法可进一步包括将含氢和氧的化合物引入所述混合区域中，而不首先使所述含氢和氧的化合物进入所述等离子体区域中。另外，所述方法可以包括使所述含氢和氧的化合物与所述等离子体流出物在所述混合区域中反应，以便形成反应产物。所述反应产物可以通过隔板中的多个开口流到基板处理区域。所述方法还可包括在所述基板处理区域中利用所述反应产物蚀刻所述基板。
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公开(公告)号：CN111819669A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201980017633.4
申请日：2019-02-27
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/311 , H01L21/3065 , H01L21/67 , H01L21/764 , H01L21/768 , H01L21/02
Abstract: 示例性蚀刻方法可包含将含氟前驱物流入半导体处理腔室的基板处理区域中。方法可包含将含氢前驱物流入基板处理区域中。方法可包含将容纳在基板处理区域中的基板与含氟前驱物和含氢前驱物接触。基板可包含沟槽或凹陷特征，并且沿沟槽或特征的侧壁可形成间隔物。间隔物可包含多个层，包含含碳或含氮材料的第一层、含氧材料的第二层以及含碳或含氮材料的第三层。间隔物的第二层可设置在间隔物的第一层与第三层之间。方法也可包含移除含氧材料。
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