公开(公告)号：CN106663629A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201580035113.8

申请日：2015-06-15

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 阿伦·缪尔·亨特 ,  阿米科姆·萨德 ,  塞缪尔·C·豪厄尔斯 ,  道格拉斯·E·霍姆格伦 ,  布鲁斯·E·亚当斯 ,  西奥多·P·莫菲特 ,  斯蒂芬·莫法特

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/67

Abstract: 一种用于热处理基板的装置、系统及方法。脉冲电磁能量源能以至少100Hz的频率产生脉冲。可移动基板支撑件可相对于电磁能量脉冲移动基板。光学系统可设置在能量源和可移动基板支撑件之间，且可包含将电磁能量脉冲塑形成矩形分布的部件。控制器可命令所述电磁能量源以选定的脉冲频率产生能量脉冲。所述控制器也可命令所述可移动基板支撑件以选定的速度在平行于所述矩形分布的选定的边缘的方向上进行扫描，使得沿着平行于所述选定的边缘的直线上的每个点接收预定数量的电磁能量脉冲。

公开(公告)号：CN103765564B

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：CN201280041674.5

申请日：2012-08-31

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 布鲁斯·E·亚当斯 ,  阿伦·缪尔·亨特 ,  斯蒂芬·莫法特

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/268

Abstract: 说明了用于处理具有非晶半导体层或具有小晶体的半导体层的基板以于基板中形成大晶体的设备与方法。识别基板的处理区，并利用对处理区传送脉冲能量的逐步熔化工艺来熔化处理区。接着利用对该区域传送脉冲能量的逐步结晶化工艺来使该处理区重新结晶化。在逐步结晶化工艺中所传送的脉冲能量被选择以随着熔化材料凝固而使小晶体转变为大晶体。

公开(公告)号：CN105206509A

公开(公告)日：2015-12-30

申请号：CN201510658228.4

申请日：2010-11-23

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 斯蒂芬·莫法特

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/268 ,  H01L29/68 ,  H01L31/18 ,  H01L33/00

Abstract: 提供了一种用于在基板上形成结晶半导体层的设备与方法。半导体层是通过气相沉积形成的。执行脉冲激光熔融/再结晶工艺以将半导体层转化成结晶层。将激光或其它电磁辐射的脉冲形成为脉冲串并且在处理区的上方均匀分布，并且将连续的邻近处理区暴露给所述脉冲串，以渐进地将沉积材料转化成结晶材料。

公开(公告)号：CN102640263B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201080053714.9

申请日：2010-11-23

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 斯蒂芬·莫法特

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/268 ,  H01L29/68 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L21/02686 ,  C30B13/24 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/2636 ,  H01L21/268 ,  H01L29/685 ,  H01L31/1872 ,  H01L33/0095 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 提供了一种用于在基板上形成结晶半导体层的设备与方法。半导体层是通过气相沉积形成的。执行脉冲激光熔融/再结晶工艺以将半导体层转化成结晶层。将激光或其它电磁辐射的脉冲形成为脉冲串并且在处理区的上方均匀分布，并且将连续的邻近处理区暴露给所述脉冲串，以渐进地将沉积材料转化成结晶材料。

公开(公告)号：CN103828070A

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：CN201280045055.3

申请日：2012-10-24

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 斯蒂芬·莫法特

IPC: H01L31/18 ,  B23K26/00 ,  B23K26/073 ,  B23K26/08

CPC classification number: H01L31/1872 ,  B23K26/067 ,  B23K26/0732 ,  B23K26/082 ,  B23K26/0821 ,  B23K26/352 ,  C30B1/02 ,  C30B29/06 ,  C30B35/00 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/6776 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 在此公开热处理半导体基板的装置及方法。所述装置的方面包括强烈辐射源和旋转能量分配器，所述旋转能量分配器将强烈辐射散布至校正器。所述校正器将辐射导向基板。所述方法的方面包括使用旋转能量分配器将脉冲能量分布至基板以进行处理。根据能量源的脉冲重复速率来设定所述能量分配器的旋转速率。可在根据能量源的脉冲重复速率所设定的速率下相对于能量分配器持续移动基板。

公开(公告)号：CN103370774A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201180067926.7

申请日：2011-07-29

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 斯蒂芬·莫法特 ,  阿伦·缪尔·亨特

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/02

CPC classification number: F27D21/00 ,  F27D5/0037 ,  F27D2021/0078 ,  H01L21/67115

Abstract: 本发明公开一种用于使半导体基板退火的方法及设备。设备具有退火能量源及基板支撑件以及遮蔽构件，所述遮蔽构件设置于退火能量源与基板支撑件之间。遮蔽构件为实质平坦构件，所述实质平坦构件具有比在基板支撑件上处理的基板大的尺寸，窗覆盖所述实质平坦构件中的中心开口。中心开口具有气体入口门及气体出口门，所述气体入口门及气体出口门各自分别与气体入口气室及气体出口气室流体连通。连接构件设置于中心开口附近，且所述连接构件将窗固持于中心开口上方。连接构件中的连接开口分别经由气体入口导管及气体出口导管与气体入口气室及气体出口气室流体连通，所述气体入口导管及气体出口导管穿过连接构件形成。

公开(公告)号：CN116249942A

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN202180067579.1

申请日：2021-09-29

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 卡提克•桑瑟南姆 ,  卡尔蒂克·萨哈 ,  沃尔夫冈·阿德霍尔德 ,  马丁•希尔金 ,  斯蒂芬·莫法特

IPC: G05B13/04

Abstract: 本文所公开的实施方式包括一种用于半导体处理的处理工具。在实施方式中，处理工具包括腔室及与该腔室整合的多个见证传感器。在实施方式中，处理工具进一步包括漂移检测模块。在实施方式中，将来自多个见证传感器的数据提供至漂移检测模块以作为输入数据。在实施方式中，处理工具进一步包括仪表板，该仪表板用于显示来自漂移检测模块的输出数据。

公开(公告)号：CN116134595A

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202180058793.0

申请日：2021-07-14

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 斯蒂芬·莫法特 ,  谢尔顿·R·诺曼 ,  德莫特·P·坎特威尔

IPC: H01L21/67

Abstract: 本文公开的多个实施方式包括具有混合模型的半导体制造工具和使用此混合模型来处理晶片和/或开发工艺配方的方法。在一个实施方式中，一种用于开发半导体制造工艺配方的方法包含选择一个或多个装置成果，和查询混合模型，以获得适于获得装置成果的工艺配方推荐。在一个实施方式中，此混合工艺模型包含统计模型和物理模型。在一个实施方式中，此方法可进一步包含在一组晶片上执行实验设计(DoE)，以验证此混合工艺模型推荐的此工艺配方。

公开(公告)号：CN106825916B

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201611155297.4

申请日：2012-09-26

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 斯蒂芬·莫法特

IPC: G02B27/48 ,  B23K26/064

Abstract: 这里所描述的实施方式提供用于以均匀的激光能量处理半导体基板的设备和方法。激光脉冲或光束被导引至空间均化器，该空间均化器可为多个透镜，这些透镜沿着平面布置，该平面垂直于激光能量的光学路径，一个实例是微透镜阵列。该空间上均匀的能量由空间均化器产生，该空间上均匀的能量接着被导引至折射介质，该折射介质具有多个厚度。所述多个厚度的每一个厚度与其他厚度相差至少激光能量的相干长度。

公开(公告)号：CN106141428B

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：CN201610595941.3

申请日：2012-09-26

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 斯蒂芬·莫法特

IPC: G02B27/48 ,  B23K26/064

CPC classification number: G02B27/48 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/0624 ,  B23K26/0626 ,  B23K26/0648 ,  F21V5/002 ,  F21V5/004 ,  F21V5/007 ,  G02B3/0056 ,  G02B5/021 ,  G02B5/0278 ,  G02B5/04 ,  G02B27/10 ,  H01L21/67115 ,  H01S3/0057

Abstract: 这里所描述的实施方式提供用于以均匀的激光能量处理半导体基板的设备和方法。激光脉冲或光束被导引至空间均化器，该空间均化器可为多个透镜，这些透镜沿着平面布置，该平面垂直于激光能量的光学路径，一个实例是微透镜阵列。该空间上均匀的能量由空间均化器产生，该空间上均匀的能量接着被导引至折射介质，该折射介质具有多个厚度。所述多个厚度的每一个厚度与其他厚度相差至少激光能量的相干长度。