公开(公告)号：CN117501418A

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202280043121.7

申请日：2022-04-01

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 沈泽清 ,  戚波 ,  A·B·玛里克

IPC: H01L21/311

Abstract: 本发明的实施例大体上涉及制造电子器件，诸如存储器器件。在一个或多个实施例中，形成器件的方法包括在基板上形成膜堆叠，其中膜堆叠含有多个氧化物层与氮化物层交替层且具有堆叠厚度，及将膜堆叠蚀刻至第一深度以在多个结构之间形成多个开口。此方法包括在结构的侧壁与底部上沉积含有非晶硅的蚀刻保护衬里，至少从开口的底部移除蚀刻保护衬里，通过蚀刻开口中的膜堆叠来形成多个孔洞，以进一步将开口的每个底部延伸至孔洞的第二深度，及从侧壁移除蚀刻保护衬里。

公开(公告)号：CN117413343A

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN202280037885.5

申请日：2022-04-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 沈泽清 ,  戚波 ,  A·B·玛里克

IPC: H01L21/02

Abstract: 半导体处理的示例性方法可包括：将含硅前驱物和含碳前驱物提供至半导体处理腔室的处理区域。含碳前驱物可由碳‑碳双键或碳‑碳三键表征。可将基板设置在半导体处理腔室的处理区域内。所述方法可包括：将含硼前驱物提供至半导体处理腔室的处理区域。所述方法可包括：在高于约250℃的温度下，使含硅前驱物、含碳前驱物和含硼前驱物进行热反应。所述方法可包括：在基板上形成含硅和碳层。

公开(公告)号：CN116848617A

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN202280013114.2

申请日：2022-01-05

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 沈泽清 ,  戚波 ,  A·B·玛里克 ,  N·K·英格尔

IPC: H01L21/02

Abstract: 半导体处理的示例性方法可包括向半导体处理腔室的处理区域提供含硼和碳和氮的前驱物。基板可设置在半导体处理腔室的处理区域内。所述方法可包括生成含硼和碳和氮的前驱物的电容耦合等离子体。所述方法可包括在基板上形成含硼和碳和氮的层。所述含硼和碳和氮的层可由低于3.5或约为3.5的介电常数表征。

公开(公告)号：CN116648776A

公开(公告)日：2023-08-25

申请号：CN202180082154.8

申请日：2021-12-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 王慧圆 ,  S·S·罗伊 ,  越泽武仁 ,  戚波 ,  A·B·玛里克

IPC: H01L21/311

Abstract: 公开了用于形成包括氧化锗的无缺陷缝隙填充材料的方法。在一些实施例中，通过将基板表面同时暴露于锗烷前驱物与氧化剂来沉积缝隙填充材料。锗烷前驱物可间歇地流动。基板还可暴露于第二氧化剂以增加缝隙填充材料内氧的相对浓度。

公开(公告)号：CN116348999A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202180071054.5

申请日：2021-10-15

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 沈泽清 ,  戚波 ,  A·B·玛里克

IPC: H01L21/67

Abstract: 描述了用碳间隙填充来填充基板特征同时留有孔隙的方法。所述方法包括以下步骤：使工艺气体流入高密度等离子体化学气相沉积(HDP‑CVD)腔室，所述腔室容纳具有至少一个特征的基板，工艺气体包含烃反应物；生成等离子体；以及沉积碳膜。

公开(公告)号：CN116348990A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202180062270.3

申请日：2021-07-27

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 王慧圆 ,  R·库斯特拉 ,  戚波 ,  A·B·玛里克 ,  K·阿拉亚瓦里 ,  J·D·平松

IPC: H01L21/033

Abstract: 本技术的示例包括半导体处理方法，该方法在基板处理腔室的基板处理区域中提供基板，其中基板维持在低于或约50℃的温度。可将惰性前驱物和含烃前驱物流入基板处理腔室的基板处理区域内，其中惰性前驱物对含烃前驱物的流速比可为大于或约10:1。可从惰性前驱物和含烃前驱物产生等离子体，并且可由等离子体在基板上沉积含碳材料。含碳材料可包括类钻石碳，并且可具有大于或约60％的具有sp3杂化键的碳原子。

公开(公告)号：CN115605978A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202180035497.9

申请日：2021-03-15

Applicant: 应用材料公司(US)

Inventor： 戚波 ,  沈泽青 ,  阿卜希吉特·巴苏·马尔利克

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/38

Abstract: 半导体处理的示范性方法可包括：将含硼前驱物提供至半导体处理腔室的处理区域。基板可设置在半导体处理腔室的处理区域内。这些方法可包括：将含碳前驱物提供至该半导体处理腔室的该处理区域。该含碳前驱物可特征在于碳‑碳双键或碳‑碳三键。这些方法可包括：使该含硼前驱物和该含碳前驱物在低于约650℃的温度下热反应。这些方法可包括：在该基板上形成含硼和碳的层。

公开(公告)号：CN115380379A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202180028127.2

申请日：2021-04-09

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 越泽武仁 ,  戚波 ,  阿卜希吉特·巴苏·马尔利克 ,  王慧圓 ,  苏米特·辛格·罗伊

IPC: H01L27/11568 ,  H01L27/11582 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供了存储器器件及制造存储器器件的方法。描述了一种等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法以形成具有超过50层的存储器单元膜堆叠，作为3D‑NAND单元的替代物。存储器堆叠包括第一材料层及第二材料层的交替层。

公开(公告)号：CN116868311A

公开(公告)日：2023-10-10

申请号：CN202280011443.3

申请日：2022-01-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 沈泽清 ,  戚波 ,  A·B·玛里克 ,  N·K·英格尔

IPC: H01L21/02

Abstract: 半导体处理的示例性方法可以包括向半导体处理腔室的处理区域提供含硅前驱物和含氧前驱物。基板可以设置在半导体处理腔室的处理区域内。所述方法可以包括向半导体处理腔室的处理区域提供含碳前驱物。含碳前驱物可以由碳‑碳双键或碳‑碳三键表征。所述方法可以包括使含硅前驱物、含氧前驱物和含碳前驱物在低于约650℃的温度下进行热反应。所述方法可以包括在基板上形成含硅氧碳层。