公开(公告)号：CN116941011A

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202280014811.X

申请日：2022-02-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 李宁 ,  张帅迪 ,  米哈伊拉·A·巴尔塞努 ,  高琦 ,  拉杰什·普拉萨德 ,  北岛知彦 ,  姜昌锡 ,  德文·马修·拉吉·米塔尔 ,  沈揆夏

IPC: H01L21/02

Abstract: 提供了制造存储器器件的多种方法。这些方法改善选择性沉积的含硅介电层的品质。该方法包括在膜堆叠的凹陷区域中选择性地沉积含硅介电层。然后，将该选择性沉积的含硅介电层暴露于在高于800℃的温度下退火的高密度等离子体，以提供湿蚀刻速率小于4埃/分的含硅介电膜。

公开(公告)号：CN116034638A

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202180050890.5

申请日：2021-08-16

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 姜昌锡 ,  北岛知彦

IPC: H10B41/35 ,  H10B43/35 ,  H10B41/27 ,  H10B43/27

Abstract: 描述一种存储器串，在延伸穿过基板上的存储器堆叠的垂直孔中包括至少一个漏极选择栅极(SGD)晶体管及至少一个存储器晶体管。存储器堆叠包括交替的非替换字线及替换绝缘体。经填充狭缝延伸穿过存储器堆叠，且在存储器堆叠中存在与该经填充狭缝相邻的至少两个漏极选择栅极(SGD)隔离区域。漏极选择栅极(SGD)切口被图案化至存储器堆叠中的顶部数对交替层中。经由切口开口，去除存储器堆叠的牺牲层，且使用绝缘层填充该开口。

公开(公告)号：CN113632231A

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN202080024449.5

申请日：2020-04-01

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 姜昌锡 ,  北岛知彦 ,  穆昆德·斯里尼瓦桑 ,  桑杰·纳塔拉扬

IPC: H01L27/11582 ,  H01L27/1157 ,  H01L29/792 ,  H01L29/66 ,  H01L29/423 ,  H01L21/02

Abstract: 提供了制造存储器装置的方法。所述方法减小第一层的厚度并且增大第二层的厚度。半导体装置被描述为具有：膜堆叠，所述膜堆叠在所述装置的第一部分中，包括交替的氮化物层和第二层，所述膜堆叠的所述交替的氮化物层和第二层具有氮化物∶氧化物厚度比(Nf∶Of)；和存储器堆叠，所述存储器堆叠在所述装置的第二部分中，包括交替的字线层和第二层，所述存储器堆叠的所述交替的字线层和第二层具有字线∶氧化物厚度比(Wm∶Om)，其中0.1(Wm∶Om)＜Nf∶Of＜0.95(Wm∶Om)。

公开(公告)号：CN117716802A

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202280051638.0

申请日：2022-08-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 姜昌锡 ,  北岛知彦 ,  李吉镛 ,  姜声官

IPC: H10B43/27

Abstract: 描述一种半导体存储器器件及制造方法。半导体存储器器件包括存储器阵列，其包括至少一个漏极选择栅极(SGD)晶体管及至少一个存储器晶体管，该存储器阵列具有至少一个搭接区域及至少一个搭接接触件，搭接接触件将漏极选择栅极(SGD)晶体管连接至搭接线。

公开(公告)号：CN117501824A

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202380011650.3

申请日：2023-04-07

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 北岛知彦 ,  李宁 ,  姜昌锡 ,  吉田尚美

IPC: H10B41/27

Abstract: 提供了制造存储器件的方法。所述方法包括预清洁膜堆叠的顶表面，所述膜堆叠包括第一材料层及第二材料层的交替层且具有存储器孔及延伸经过膜堆叠的狭缝图案开口中的一或多个；将膜堆叠的顶表面暴露于生长抑制剂；在膜堆叠的区域中选择性沉积含硅介电层；及使含硅介电层致密化。处理方法在不破坏真空的情况下于处理工具中执行。

公开(公告)号：CN117337623A

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：CN202280034875.6

申请日：2022-05-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 姜昌锡 ,  北岛知彦 ,  李吉镛

IPC: H10B43/40

Abstract: 提供了存储器装置及制造存储器装置的方法。所描述的装置及方法通过形成包含低电阻率材料的字线来降低字线的电阻率。低电阻率材料具有从5μΩcm到100μΩcm范围内的电阻率。低电阻率材料可通过使字线凹陷并在字线的凹陷部分中选择性地生长低电阻率材料来形成。或者，可通过沉积金属层并硅化在字线区域及公共源极线区域中的金属来形成低电阻率材料。

公开(公告)号：CN116895696A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310345511.6

申请日：2023-04-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 姜昌锡 ,  知彦北岛 ,  李吉镛

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/08

Abstract: 本申请涉及一种晶体管、一种三维NAND闪速存储器集成电路和一种形成晶体管的方法。本公开内容的多个实施方式包括一种带有竖直漂移区的晶体管和用于形成所述晶体管的方法。所述晶体管可包括：第一导电类型的阱区；栅极区，所述栅极区设置在所述阱区上方；和与所述第一导电类型不同的第二导电类型的漂移区。所述漂移区可具有设置在所述阱区的一部分上方并与所述阱区中的半导体沟道侧向地相邻的侧向部分。所述漂移区还可具有从所述漂移区的所述侧向部分竖直地延伸的竖直部分。

公开(公告)号：CN113711357A

公开(公告)日：2021-11-26

申请号：CN202080030750.7

申请日：2020-04-21

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 小泽武仁 ,  穆昆德·斯里尼瓦桑 ,  北岛知彦 ,  姜昌锡 ,  姜声官 ,  吉尔·Y·李 ,  苏米特·辛格·罗伊

IPC: H01L27/11582 ,  H01L27/1157 ,  H01L21/768

Abstract: 本文提供了用于形成多个非易失性储存单元的方法和设备。在某些实施方式中，方法例如包括形成多个非易失性储存单元，包括在基板上形成金属层交替的堆叠，金属层包括第一金属层和不同于第一金属层的第二金属层；去除第一金属层以在第二金属层的交替层之间形成空间；以及沉积第一材料层以部分地填充空间以在其中留有气隙或沉积第二材料层以填充空间这两步骤之一。