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公开(公告)号：CN116941011A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202280014811.X
申请日：2022-02-11
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 李宁 , 张帅迪 , 米哈伊拉·A·巴尔塞努 , 高琦 , 拉杰什·普拉萨德 , 北岛知彦 , 姜昌锡 , 德文·马修·拉吉·米塔尔 , 沈揆夏
IPC: H01L21/02
Abstract: 提供了制造存储器器件的多种方法。这些方法改善选择性沉积的含硅介电层的品质。该方法包括在膜堆叠的凹陷区域中选择性地沉积含硅介电层。然后，将该选择性沉积的含硅介电层暴露于在高于800℃的温度下退火的高密度等离子体，以提供湿蚀刻速率小于4埃/分的含硅介电膜。
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