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公开(公告)号：CN1976081A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610080850.2
申请日：2006-05-18
Applicant: 富士通株式会社
Abstract: 本发明公开磁阻元件、磁头、磁存储装置以及磁内存装置。CPP型磁阻元件包括防扩散层以及叠置的固定磁化层、非磁性金属层和自由磁化层。该自由磁化层包含CoMnAl。该防扩散层设置在该非磁性金属层与该自由磁化层之间，以防止该自由磁化层内含有的Mn扩散到该非磁性金属层。CoMnAl具有在三元成分图中通过用直线依次连接点A(44，23，33)、点B(48，25，27)、点C(60，20，20)、点D(65，15，20)、点E(65，10，25)、点F(60，10，30)以及点A构成的区域内的成分，在该三元成分图中，将成分坐标表示为(Co含量，Mn含量，Al含量)，且Co含量、Mn含量、Al含量均以原子百分比来表示。
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公开(公告)号：CN1419232A
公开(公告)日：2003-05-21
申请号：CN02120075.0
申请日：2002-05-22
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/00 , G11B5/012 , G11B5/3903 , G11B2005/3996 , H01L43/08
Abstract: 磁敏电阻器件包括层合膜和应用该层合膜中叠层方向检测电流的机构，其中，该层合膜包括：其磁化方向基本固定的第一铁磁层；其磁化方向随外磁场自由变化的第二铁磁层，该第二铁磁层包括非磁性金属层和两个或多个在叠层方向由非磁性金属层彼此分开的铁磁金属层；使第一和第二铁磁层彼此分开的非磁性中间层。
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公开(公告)号：CN117689033A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202310902147.9
申请日：2023-07-20
Applicant: 富士通株式会社 , 国立大学法人大阪大学
Abstract: 公开了错误检测方法和信息处理设备。信息处理设备确定第一数据量子比特和第二数据量子比特的使由能量方程表示的能量进一步减少的组合。能量方程包括第一能量项至第三能量项。第一能量项用于识别其上已经发生Z错误的第一数据量子比特。第二能量项用于识别其上已经发生X错误的第二数据量子比特。第三能量项随着各自作为在其上同时发生Z错误和X错误两者的第三数据量子比特的数据量子比特的数目的增加使能量减少。信息处理设备确定在第三数据量子比特上发生了Y错误。
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公开(公告)号：CN112446127A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010849044.7
申请日：2020-08-21
Applicant: 富士通株式会社
Abstract: 提供了记录设计程序的计算机可读记录介质和设计方法。存储有设计程序的计算机可读记录介质，该设计程序用于使计算机执行用于设计钙钛矿型晶体结构的组成的处理，该设计程序包括使计算机通过使用伊辛模型或QUBO的退火方法执行基态搜索来确定式2中的Ai和Bi的组合，式2是通过对由式1表示的容差因子t的式取对数而创建的，其中log t为0或接近0，式1是式2是其中，式2中的Ai和Bi分别由式3和式4表示，式3是式4是 式3中的dAi‑X和dA‑X满足式5，式5是式4中的dBi‑X和dB‑X满足式6，式6是式5和式6中的n与式2至式4中的n相同。
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公开(公告)号：CN107735923B
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201580080559.2
申请日：2015-06-04
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H02J50/12
Abstract: 本发明提供能够调整受电电力的受电器以及电力传输系统。包括通过与初级侧谐振线圈之间所产生的磁场共振或者电场共振接受电力的次级侧谐振线圈、被串联插入到次级侧谐振线圈的谐振线圈部的电容器、与电容器并联连接的第一开关以及第二开关的串联电路、与第一开关并联连接并具有第一整流方向的第一整流元件、与第二开关并联连接并具有与第一整流方向相反的第二整流方向的第二整流元件、对次级侧谐振线圈接受的电力进行检测的检测部、以及通过调整切换第一开关以及第二开关的接通/断开的第一信号以及第二信号的相位来调整次级侧谐振线圈接受的电力量的控制部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107735923A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201580080559.2
申请日：2015-06-04
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H02J50/12
Abstract: 本发明提供能够调整受电电力的受电器以及电力传输系统。包括通过与初级侧谐振线圈之间所产生的磁场共振或者电场共振接受电力的次级侧谐振线圈、被串联插入到次级侧谐振线圈的谐振线圈部的电容器、与电容器并联连接的第一开关以及第二开关的串联电路、与第一开关并联连接并具有第一整流方向的第一整流元件、与第二开关并联连接并具有与第一整流方向相反的第二整流方向的第二整流元件、对次级侧谐振线圈接受的电力进行检测的检测部、以及通过调整切换第一开关以及第二开关的接通/断开的第一信号以及第二信号的相位来调整次级侧谐振线圈接受的电力量的控制部。
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公开(公告)号：CN102735919A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210096489.8
申请日：2012-04-01
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G01R21/06
CPC classification number: G01R21/06 , G01R21/1331
Abstract: 本发明涉及一种交流功率测量装置，其包括：第一电容元件，其一端电容性地耦合到用于将交流电提供给负载的电缆集合中的第一电缆的导线，其另一端电容性地耦合到电缆集合中的第二电缆的导线；第一电压测量部，用于测量第一电压，第一电压是第一电容元件的两端的电压；第一电流测量部，用于测量在第一电缆中流动的第一电流；以及处理部，其通过进行施加到电缆集合的电压的指定电压值和第一电压的有效值之间的比例、第一电压以及第一电流的乘法，计算将由电缆集合提供给负载的功率。
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公开(公告)号：CN1299257C
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN02828592.1
申请日：2002-03-20
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: G01R33/093 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11B5/313 , G11B5/3903 , G11B2005/3996
Abstract: 一种电流垂直于平面结构的磁电阻元件，磁电阻薄膜(43)从一个磁头滑块的介质相对表面(28)向后延伸。一个上电极层(46)叠置在磁电阻薄膜的上边界(43b)上。该上电极层(46)包括一个沿着上边界、从在介质相对表面处露出的顶端向后延伸的低阻区(46a)，以及一个沿着上边界、从低阻区的后端向后延伸的高阻区(46b)。该高阻区的电阻率高于低阻区的电阻率。该高阻区用于限制最靠近介质相对表面的读出电流的通路。允许该读出电流集中在最靠近磁电阻薄膜中的介质相对表面的位置。由于靠近介质相对表面的磁化强度趋于充分转动，该电流垂直于平面(CPP)结构的磁电阻元件保持电阻的充分变化。在该CPP结构的磁电阻元件中可保持足够的灵敏度。
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公开(公告)号：CN1236424C
公开(公告)日：2006-01-11
申请号：CN02120075.0
申请日：2002-05-22
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/00 , G11B5/012 , G11B5/3903 , G11B2005/3996 , H01L43/08
Abstract: 磁敏电阻器件包括层合膜和应用该层合膜中叠层方向检测电流的机构，其中，该层合膜包括：其磁化方向基本固定的第一铁磁层；其磁化方向随外磁场自由变化的第二铁磁层，该第二铁磁层包括非磁性金属层和两个或多个在叠层方向由非磁性金属层彼此分开的铁磁金属层；使第一和第二铁磁层彼此分开的非磁性中间层。
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公开(公告)号：CN1639771A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN02828592.1
申请日：2002-03-20
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: G01R33/093 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11B5/313 , G11B5/3903 , G11B2005/3996
Abstract: 一种电流垂直于平面结构的磁电阻元件，磁电阻薄膜(43)从一个磁头滑块的介质相对表面(28)向后延伸。一个上电极层(46)叠置在磁电阻薄膜的上边界(43b)上。该上电极层(46)包括一个沿着上边界、从在介质相对表面处露出的顶端向后延伸的低阻区(46a)，以及一个沿着上边界、从低阻区的后端向后延伸的高阻区(46b)。该高阻区的电阻率高于低阻区的电阻率。该高阻区用于限制最靠近介质相对表面的读出电流的通路。允许该读出电流集中在最靠近磁电阻薄膜中的介质相对表面的位置。由于靠近介质相对表面的磁化强度趋于充分转动，该电流垂直于平面(CPP)结构的磁电阻元件保持电阻的充分变化。在该CPP结构的磁电阻元件中可保持足够的灵敏度。
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