公开(公告)号：CN106796956A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201580054438.0

申请日：2015-12-16

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 熊谷直树 ,  堤岳志 ,  酒井善行 ,  大西泰彦 ,  藤本卓巳 ,  福田宪司 ,  原田信介 ,  岡本光央

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明的目的在于提供碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法。在碳化硅半导体衬底的正面侧设有由p‑型阱层(4)、n+型源区(6)、栅极绝缘膜(8)和栅极(9)组成的MOS栅极结构。层间绝缘膜(10)以覆盖栅极(9)的方式设置，并与栅极绝缘膜(8)接触。钛膜(16)隔着氮化钛膜(11)覆盖层间绝缘膜(10)。源极(14)以不与层间绝缘膜(10)接触的方式设置在钛膜(16)的表面。此外，源极(14)经由钛膜(16)和正面硅化物层(12)与p‑型阱层(4)和n+型源区(6)电连接。钛膜具有在高温动作时吸附或屏蔽从源极(14)产生的氢原子或氢离子的功能。据此，能稳定获得预定的电特性，提高可靠性。

公开(公告)号：CN104321873A

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN201380022013.2

申请日：2013-03-18

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 木下明将 ,  辻崇 ,  福田宪司

IPC: H01L29/47 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/41 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/7839 ,  H01L21/02664 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/872

Abstract: 在碳化硅基板基体的表面层选择性地设置p+型区(3)、(4)以及p型区(5)。p+型区(3)设置在包围活性区(101)的耐压构造部(102)。p+型区(4)设置在活性区(101)且构成JBS构造。p型区(5)包围p+型区(3)，构成结终端(JTE)构造。肖特基电极(9)与n型碳化硅外延层(2)形成肖特基结。此外，肖特基电极(9)在覆盖p+型区(3)的一部分以及p型区(5)的层问绝缘膜(6)上伸出，该伸出的部分作为场板发挥作用。由此，可以提供能够维持高耐压、且使用具有高可靠性的宽带隙半导体而构成的半导体装置及其制造方法。

公开(公告)号：CN104321873B

公开(公告)日：2019-05-07

申请号：CN201380022013.2

申请日：2013-03-18

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 木下明将 ,  辻崇 ,  福田宪司

IPC: H01L29/47 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/41 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872

Abstract: 在碳化硅基板基体的表面层选择性地设置p+型区(3)、(4)以及p型区(5)。p+型区(3)设置在包围活性区(101)的耐压构造部(102)。p+型区(4)设置在活性区(101)且构成JBS构造。p型区(5)包围p+型区(3)，构成结终端(JTE)构造。肖特基电极(9)与n型碳化硅外延层(2)形成肖特基结。此外，肖特基电极(9)在覆盖p+型区(3)的一部分以及p型区(5)的层问绝缘膜(6)上伸出，该伸出的部分作为场板发挥作用。由此，可以提供能够维持高耐压、且使用具有高可靠性的宽带隙半导体而构成的半导体装置及其制造方法。

公开(公告)号：CN105531802A

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201480039085.2

申请日：2014-07-09

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 巻渕阳一 ,  堤岳志 ,  荒岡干 ,  岡本光央 ,  福田宪司

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/316 ,  H01L21/322 ,  H01L21/324 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/02337 ,  H01L21/049 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/51 ,  H01L29/518 ,  H01L29/78 ,  H01L29/94

Abstract: 在碳化硅半导体的基板上形成一层或多层氧化膜或氮化膜或者氮氧化膜作为栅极绝缘膜，之后进行热处理。形成栅极绝缘膜之后的热处理在不含有O2而含有H2和H2O的气氛中进行预定时间。由此，能够在包括碳化硅基板与栅极绝缘膜的界面的有限的区域使氢基或羟基偏析。氢基或羟基偏析的区域的宽度可以为0.5nm～10nm。由此，能够降低界面态密度，能够实现高的沟道迁移率。