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公开(公告)号：CN111869021A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201980018986.6
申请日：2019-03-26
Applicant: 富士施乐株式会社
Abstract: 发光元件阵列具有：发光元件组，其包含多个发光元件；以及多个透镜，该多个透镜与多个发光元件对应地设置于多个发光元件的射出面侧，根据与多个发光元件之间的位置关系使来自多个发光元件的光偏转。随着从发光元件组的中心侧朝向端部侧，多个发光元件的发光中心轴和与多个发光元件对应的多个透镜的中心轴之间的距离变大，并且距离的变化程度变小。
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公开(公告)号：CN107160831B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201610812689.7
申请日：2016-09-09
Applicant: 富士施乐株式会社
Abstract: 本发明公开了一种加热装置的制造方法、印刷品的制造方法及丝网印刷装置，该加热装置的制造方法包括以下步骤：准备具有弯曲表面的基板；以及在所述基板上形成加热体，所述加热体利用电流的供给产生热。所述加热体的所述形成包括以下步骤：边旋转所述基板并移动丝网，边借助于按压部件向所述基板按压所述丝网，并经由所述丝网向所述基板转印形成所述加热体的涂布液。在所述加热体的所述形成中，所述按压部件相对于转印位置在所述丝网的移动方向上的上游侧的位置与所述丝网接触。
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公开(公告)号：CN105702626B
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201510756077.6
申请日：2015-11-09
Applicant: 富士施乐株式会社
IPC: H01L21/78
Abstract: 本发明提供一种制造半导体芯片的方法以及定位切割部件的方法，制造半导体芯片的方法包括：沿着基板的切割区域在正面侧形成沟槽以及比正面侧的沟槽深的凹部，并且凹部用作用于切割部件的定位标记，切割部件沿着正面侧的沟槽从基板的背面执行切割；在基板的背面，使基板变薄以到达凹部而不到达正面侧的沟槽；利用在基板的背面露出的凹部作为定位标记，从基板的背面定位切割部件；以及利用被定位的切割部件从基板的背面侧朝向基板的正面侧的沟槽来执行切割。
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公开(公告)号：CN105590898B
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201510764757.2
申请日：2015-11-10
Applicant: 富士施乐株式会社
IPC: H01L21/78
Abstract: 本发明提供了一种制造半导体芯片的方法，所述方法包括步骤：形成位于衬底正面一侧的沟槽；以及利用旋转切割件从衬底背面一侧形成位于所述衬底背面一侧的与所述位于正面一侧的沟槽连通的沟槽并将所述衬底划片为多个半导体芯片，所述旋转切割件具有比所述位于正面一侧的沟槽的入口部分的宽度更厚的厚度，其中在具有不含顶面的锥形末端形状的所述切割件的顶部在沟槽宽度方向上的变化范围随着所述切割件的磨损而从被包括在所述位于正面一侧的沟槽中的范围变为离开所述位于正面一侧的沟槽的范围的制造条件下，在所述变化范围从被包括在所述位于正面一侧的沟槽中的范围变为离开所述位于正面一侧的沟槽的范围之前，停止使用所述切割件。
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公开(公告)号：CN107160831A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201610812689.7
申请日：2016-09-09
Applicant: 富士施乐株式会社
Abstract: 本发明公开了一种加热装置的制造方法、印刷品的制造方法及丝网印刷装置，该加热装置的制造方法包括以下步骤：准备具有弯曲表面的基板；以及在所述基板上形成加热体，所述加热体利用电流的供给产生热。所述加热体的所述形成包括以下步骤：边旋转所述基板并移动丝网，边借助于按压部件向所述基板按压所述丝网，并经由所述丝网向所述基板转印形成所述加热体的涂布液。在所述加热体的所述形成中，所述按压部件相对于转印位置在所述丝网的移动方向上的上游侧的位置与所述丝网接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105702626A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201510756077.6
申请日：2015-11-09
Applicant: 富士施乐株式会社
IPC: H01L21/78
CPC classification number: H01L21/3043 , H01L21/268 , H01L21/3065 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L23/544 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2223/5442 , H01L2223/54426 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种制造半导体芯片的方法以及定位切割部件的方法，制造半导体芯片的方法包括：沿着基板的切割区域在正面侧形成沟槽以及比正面侧的沟槽深的凹部，并且凹部用作用于切割部件的定位标记，切割部件沿着正面侧的沟槽从基板的背面执行切割；在基板的背面，使基板变薄以到达凹部而不到达正面侧的沟槽；利用在基板的背面露出的凹部作为定位标记，从基板的背面定位切割部件；以及利用被定位的切割部件从基板的背面侧朝向基板的正面侧的沟槽来执行切割。
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公开(公告)号：CN105340065B
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201480035154.2
申请日：2014-06-25
Applicant: 富士施乐株式会社
IPC: H01L21/301
CPC classification number: H01L21/78 , H01L21/304 , H01L21/3043 , H01L21/3065 , H01L21/30655 , H01L21/6836 , H01L33/0095 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381
Abstract: 本发明提供了用于制造半导体部件的方法，该方法包括如下步骤：在形成有多个发光元件的半导体基板的正面的切割区域中，通过蚀刻形成正面侧上的凹部，该凹部具有包括第一宽度(Sa1)的第一凹部(510)和包括比第一宽度大的第二宽度(Sa2)的第二凹部(520)；以及利用旋转的切割刀片(300)从半导体基板的背面形成到达第二凹部(520)的背面侧凹部(170)，将多个半导体元件分成独立的半导体部件。
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公开(公告)号：CN105590835A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201510752088.7
申请日：2015-11-06
Applicant: 富士施乐株式会社
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02019 , H01L21/02016
Abstract: 一种半导体件的制造方法，包括：形成沟槽，该沟槽具有第一沟槽部分以及第二沟槽部分，第二沟槽部分是形成为与第一沟槽部分的下部连通的沟槽部分并以比第一沟槽部分的角度更陡峭的角度朝下部延伸，沟槽具有在第一沟槽部分与第二沟槽部分之间不存在拐角部分的形状，沟槽定位在正面上并利用干蚀法形成；将包括粘合剂层的保持部件附着至正面，正面形成有正面上的沟槽；在附着保持部件的状态下，从基板的背面使基板变薄；以及在变薄之后，从正面去除保持部件。
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公开(公告)号：CN105340064A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201480034349.5
申请日：2014-06-26
Applicant: 富士施乐株式会社
IPC: H01L21/301
CPC classification number: H01L21/6836 , H01L21/3043 , H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L21/6835 , H01L21/78 , H01L33/0095 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381
Abstract: 该半导体片制造方法具有：用于形成具有其宽度从半导体基底(W)的前表面至后表面逐渐减小的第一凹槽部分的前表面侧细微凹槽的步骤；在形成前表面侧细微凹槽之后粘附划片带的步骤，所述划片带在其前表面上具有粘合剂层；利用旋转划片刀从基底的后表面侧沿着前表面侧细微凹槽形成后表面侧凹槽的步骤，所述后表面侧凹槽的宽度大于前表面侧细微凹槽的宽度；以及在形成后表面侧上的凹槽之后从前表面剥离划片带的步骤。
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公开(公告)号：CN101998711A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN201010139155.5
申请日：2010-03-18
Applicant: 富士施乐株式会社
IPC: H05B33/08
CPC classification number: H01L33/40 , H01L27/15 , H01L33/0041 , H01L33/44
Abstract: 本发明公开了一种发光元件及发光元件的制造方法。该发光元件包括半导体层、金电极层、绝缘膜、阻挡金属层和铝配线层。金电极层形成在半导体层的一部分上并与该半导体层电连接。金电极层由包括金在内的金属制成。绝缘膜将半导体层覆盖并具有与金电极层对应的接触开口。阻挡金属层将金电极层、以及绝缘膜的位于接触开口附近的上表面覆盖。铝配线层形成在阻挡金属层上并与该阻挡金属层电连接。
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