公开(公告)号：CN105453273B

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201480043093.4

申请日：2014-07-30

Applicant: 宜普电源转换公司

Inventor： 曹建军 ,  罗伯特·比奇 ,  亚历山大·利道 ,  阿兰娜·纳卡塔 ,  罗伯特·斯特里特马特 ,  赵广元 ,  马艳萍 ,  周春华 ,  塞沙德里·科卢里 ,  刘芳昌 ,  蒋明坤 ,  曹佳丽 ,  阿古斯·裘哈尔

IPC: H01L29/778

Abstract: 一种集成电路具有衬底、形成于所述衬底上的缓冲层、形成于所述缓冲层上的阻挡层以及隔离区，其将增强型设备与耗尽型设备隔离开。集成电路进一步包括沉积在一个栅极接触凹陷中的所述增强型设备的第一栅极触点和沉积在另一个栅极接触凹陷中的所述耗尽型设备的第二栅极触点。

公开(公告)号：CN103296078B

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201310057366.8

申请日：2013-02-22

Applicant: 宜普电源转换公司

Inventor： 亚历山大·利道 ,  罗伯特·比奇 ,  阿兰娜·纳卡塔 ,  曹建军 ,  赵广元 ,  罗伯特·斯特里特马特 ,  刘芳昌

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/40 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7787

Abstract: 一种具有自对准的栅极隔离物、栅极金属材料和栅极化合物的增强型GaN器件，及其制备方法。使用单一光掩模对上述各材料进行图案化和进行蚀刻，这可降低制造成本。所述栅极隔离物和所述栅极化合物的界面比介电膜和所述栅极化合物的界面具有更低的泄漏，从而降低栅极泄漏。此外，使用欧姆接触金属层作为场板，以减小朝向漏极触点的掺杂的III-V栅极化合物拐角处的电场，这导致减小的栅极泄漏电流和改进的栅极可靠性。

公开(公告)号：CN105453273A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201480043093.4

申请日：2014-07-30

Applicant: 宜普电源转换公司

Inventor： 曹建军 ,  罗伯特·比奇 ,  亚历山大·利道 ,  阿兰娜·纳卡塔 ,  罗伯特·斯特里特马特 ,  赵广元 ,  马艳萍 ,  周春华 ,  塞沙德里·科卢里 ,  刘芳昌 ,  蒋明坤 ,  曹佳丽 ,  阿古斯·裘哈尔

IPC: H01L29/778

CPC classification number: H01L27/0605 ,  H01L21/8252 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/404 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787

Abstract: 一种集成电路具有衬底、形成于所述衬底上的缓冲层、形成于所述缓冲层上的阻挡层以及隔离区，其将增强型设备与耗尽型设备隔离开。集成电路进一步包括沉积在一个栅极接触凹陷中的所述增强型设备的第一栅极触点和沉积在另一个栅极接触凹陷中的所述耗尽型设备的第二栅极触点。