时域8T1C-SRAM存算单元及时序跟踪量化的存算电路

    公开(公告)号:CN117316237B

    公开(公告)日:2024-02-06

    申请号:CN202311635817.1

    申请日:2023-12-01

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 本发明属于集成电路技术领域,具体涉及一种时域8T1C‑SRAM存算单元、以及一种时序跟踪量化的存算电路和芯片。存算单元由2个PMOS管P1~P2,6个NMOS管N1~N6,以及一个电容C0构成;其中,N5、N6和C0构成用于实现单比特或多比特乘法的运算单元;其余元件构成6T‑SRAM单元;运算单元的电路连接关系为:N5的栅极连接在存储节点QB上,N5的源极通过一根源线CSL接电容C0的一端,C0的另一端接地;N5的漏极与N6的源极相连;N6的栅极接运算字线CWL;N6的漏极接全局位线CBL;本发明改善了现有电流域和电压域的存内运算电路在性能和能耗等指标上的不足。

    基于MTJ的自适应温度补偿电荷泵锁相环电路、模块

    公开(公告)号:CN118984155A

    公开(公告)日:2024-11-19

    申请号:CN202411456672.3

    申请日:2024-10-18

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 本发明涉及电荷泵锁相环设计技术领域,具体涉及基于MTJ的自适应温度补偿电荷泵锁相环电路、模块。本发明提供了基于MTJ的自适应温度补偿电荷泵锁相环电路,包括:鉴频鉴相部、电荷泵部、低通滤波部、压控振荡部、分频部。本发明在传统电荷泵锁相环的基础上,一方面在电荷泵部的上、下充放电路串联了磁隧道结MTJ,另一方面在双端输入、双端输出的压控振荡部的输出端也串联了磁隧道结MTJ;利用磁隧道结MTJ来进行温度补偿,有效得减少了电荷泵的电流失配,并使压控振荡器的频率稳定性得到大幅度的提升,保证并提升了CPPLL的使用效果。本发明解决了CPPLL易受到片上系统温度变化影响的问题。

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