基于CUDA加速的平滑薄板样条形变参数计算方法

    公开(公告)号:CN114547545B

    公开(公告)日:2025-04-29

    申请号:CN202210182533.0

    申请日:2022-02-25

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 本发明涉及基于CUDA加速的平滑薄板样条形变参数计算方法,与现有技术相比解决了平滑薄板样条形变在图像配准任务中控制点数较多时计算时间长的缺陷。本发明包括以下步骤:三维待配准特征点和模板特征点的处理;对待配准点矩阵进行QR分解;平滑薄板样条形变参数的计算。本发明利用GPU的并行架构对大矩阵代数运算做了并行化,实现了平滑薄板样条形变参数快速计算,有效提升了图像配准算法的运行效率。

    8T-SRAM存算单元、存内计算阵列和存内计算电路

    公开(公告)号:CN119296609A

    公开(公告)日:2025-01-10

    申请号:CN202411832795.2

    申请日:2024-12-13

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 本申请涉及一种8T‑SRAM存算单元、存内计算阵列和存内计算电路,其中,该存内计算阵列包括:包括行分布的单元阵列和双极性计算单元,单元阵列包括行分布的多个8T‑SRAM存算单元,双极性计算单元包括第一反相器、第二反相器、第七NMOS管、第八NMOS管、第九NMOS管、第十NMOS管、第一电容和第二电容,第一反相器的输出端连接第二反相器的输入端,第七NMOS管的栅极、漏极和源极分别连接第一反相器的输出端、第一电容的上极板和第八NMOS管的漏极,第九NMOS管的栅极、漏极和源极分别连接第二反相器的输出端、第二电容的上极板和第十NMOS管的漏极,第一电容和第二电容分别还连接第一计算位线和第二计算位线。

    一种基于独热码的数据搜索存储器、芯片及应用

    公开(公告)号:CN118887985A

    公开(公告)日:2024-11-01

    申请号:CN202410897971.4

    申请日:2024-07-05

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 本发明涉及集成电路设计技术领域,具体公开了一种基于独热码的数据搜索存储器、芯片及应用。本发明的基于独热码的数据搜索存储器包括:MTJ存储阵列、预充电路部、M个预充控制部、M个读写控制部、数据编码器、开多行译码器、M个灵敏放大器、列选择器、时序控制器。本发明采用了由磁隧道结器件、NMOS管组成的存储单元所构建的MTJ存储阵列,降低了器件数量,提高了限定面积下的存储密度。本发明通过在MTJ存储阵列设置预充控制部、读写控制部,并利用灵敏放大器的输出对预充控制部进行反馈,从而在并行分段查找操作过程中对预充电路部进行功能限制,减少了CAM工作中预充电路部工作次数,能够显著减少CAM电路功耗。

    基于MTJ的自适应温度补偿电荷泵锁相环电路、模块

    公开(公告)号:CN118984155A

    公开(公告)日:2024-11-19

    申请号:CN202411456672.3

    申请日:2024-10-18

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 本发明涉及电荷泵锁相环设计技术领域,具体涉及基于MTJ的自适应温度补偿电荷泵锁相环电路、模块。本发明提供了基于MTJ的自适应温度补偿电荷泵锁相环电路,包括:鉴频鉴相部、电荷泵部、低通滤波部、压控振荡部、分频部。本发明在传统电荷泵锁相环的基础上,一方面在电荷泵部的上、下充放电路串联了磁隧道结MTJ,另一方面在双端输入、双端输出的压控振荡部的输出端也串联了磁隧道结MTJ;利用磁隧道结MTJ来进行温度补偿,有效得减少了电荷泵的电流失配,并使压控振荡器的频率稳定性得到大幅度的提升,保证并提升了CPPLL的使用效果。本发明解决了CPPLL易受到片上系统温度变化影响的问题。

    8T-SRAM存算单元、存内计算阵列和存内计算电路

    公开(公告)号:CN119296609B

    公开(公告)日:2025-03-07

    申请号:CN202411832795.2

    申请日:2024-12-13

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 本申请涉及一种8T‑SRAM存算单元、存内计算阵列和存内计算电路,其中,该存内计算阵列包括:包括行分布的单元阵列和双极性计算单元,单元阵列包括行分布的多个8T‑SRAM存算单元,双极性计算单元包括第一反相器、第二反相器、第七NMOS管、第八NMOS管、第九NMOS管、第十NMOS管、第一电容和第二电容,第一反相器的输出端连接第二反相器的输入端,第七NMOS管的栅极、漏极和源极分别连接第一反相器的输出端、第一电容的上极板和第八NMOS管的漏极,第九NMOS管的栅极、漏极和源极分别连接第二反相器的输出端、第二电容的上极板和第十NMOS管的漏极,第一电容和第二电容分别还连接第一计算位线和第二计算位线。

    基于CUDA加速的平滑薄板样条形变参数计算方法

    公开(公告)号:CN114547545A

    公开(公告)日:2022-05-27

    申请号:CN202210182533.0

    申请日:2022-02-25

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 本发明涉及基于CUDA加速的平滑薄板样条形变参数计算方法,与现有技术相比解决了平滑薄板样条形变在图像配准任务中控制点数较多时计算时间长的缺陷。本发明包括以下步骤:三维待配准特征点和模板特征点的处理;对待配准点矩阵进行QR分解;平滑薄板样条形变参数的计算。本发明利用GPU的并行架构对大矩阵代数运算做了并行化,实现了平滑薄板样条形变参数快速计算,有效提升了图像配准算法的运行效率。

    一种多层结构毫米波天线

    公开(公告)号:CN215834716U

    公开(公告)日:2022-02-15

    申请号:CN202121998831.4

    申请日:2021-08-23

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 本实用新型公开一种多层结构毫米波天线,包括四层印制电路板和三层半固化片层,所述印制电路板和所述半固化片层交替层叠设置,所述印制电路板的上下两端面上均设置有覆铜层,所述多层结构毫米波天线顶部设置若干矩形栅格排列的矩形喇叭天线单元,并采用矩形准同轴馈电‑同轴馈电‑带地共面波导馈电三级馈电结构,将馈电线引出到所述多层结构毫米波天线的背面;本实用新型提出了基于4层PCB的半开放二级矩形喇叭天线结构,并采用矩形准同轴馈电‑同轴馈电‑带地共面波导馈电三级馈电结构,实现了天线背面馈电。

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