公开(公告)号：CN108560024A

公开(公告)日：2018-09-21

申请号：CN201810466345.4

申请日：2018-05-11

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 杜立群 ,  宋畅 ,  翟科

IPC: C25D1/00

CPC classification number: C25D1/00

Abstract: 本发明属于微制造技术领域，提供一种减小微电铸层残余应力的兆声辅助电铸方法，该方法通过在微电铸过程中施加兆声振动进行制备金属微结构，包括“基底预处理-微电铸型膜制作-兆声辅助微电铸”，解决了现有技术中工艺参数优化、热处理、超声振动时效和超声辅助电铸等方法的不足和应用的局限性，有效的减小了微电铸层残余应力并且对微电铸型膜结构无损害，具有应用范围广、简单、高效的特点，从而提高金属微器件的制作成品率和使用寿命。

公开(公告)号：CN111621816B

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN202010458143.2

申请日：2020-05-27

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 杜立群 ,  曹强 ,  杜成权 ,  肖海涛 ,  赵明 ,  翟科

IPC: C25D1/00 ,  C25D1/10 ,  C23C14/35 ,  C23C14/16 ,  B33Y10/00

Abstract: 一种超高深宽比金属微柱阵列的制作方法，属于微制造技术领域。基于UV‑LIGA技术，在不锈钢基底上，将传统的高深宽比微柱的制作工艺转化为高宽深比微结构的制作工艺，从而将“超高深宽比微盲孔结构的显影和微电铸”转化为“微沟槽的显影和微电铸”，制作过程中避免了高深宽比带来的传质难度；利用叠层光刻胶工艺，通过多次SU‑8光刻胶套刻、微电铸镍、溅射铜导电层以及铸后平坦化处理，将微柱阵列与底板制作得到；利用真空退火工艺降低铸层的内应力，并提高铸层之间的结合力。本发明解决了深宽比大于或远大于10：1的超高深宽比金属微柱阵列的制作难题，并且微柱深宽比越大，本发明的有益效果越明显。另外，本发明具有微柱与背板结合力强、铸层之间结合力强等优点。

公开(公告)号：CN109346446B

公开(公告)日：2020-04-24

申请号：CN201811070961.4

申请日：2018-09-14

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 杜立群 ,  翟科 ,  宋满仓 ,  赵雯 ,  朱和卿 ,  魏壮壮 ,  姬学超

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/473

Abstract: 本发明公开一种适用于大尺寸、高密集结构金属微通道散热器的键合封装方法，步骤为：1)在封装盖板上加工出键合定位凹槽；2)在定位块上加工出盖板定位槽及微通道底板定位槽；3)通过定位块上的盖板定位槽定位安装封装盖板；金属浆料涂覆于封装盖板上的键合定位凹槽内；4)通过定位块上的微通道底板定位槽及封装盖板上的键合定位槽安装微通道底板；5)将定位对准后的封装体螺栓弹性预紧，无氧高温熔浆，冷却键合，最终获得大尺寸密集型金属微通道散热器的封装体。本发明提出的过渡层补偿式键合封装方法，突破了大尺寸、高密集结构金属微通道散热器的键合封装技术瓶颈，实现了高强度、无间隙、高精度的金属微通道封装。

公开(公告)号：CN111001982A

公开(公告)日：2020-04-14

申请号：CN201911162003.4

申请日：2019-11-25

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 杜立群 ,  白志鹏 ,  翟科 ,  曹强 ,  张希 ,  王舒萱 ,  温义奎

IPC: B23P15/00 ,  H05K7/20

Abstract: 本发明公开了一种具有梳齿式结构的金属铜微通道热沉及制作方法，属于微制造技术领域。通过分别在两片金属铜基板上制作微通道结构，将基板上分别设置的凹槽和凸起结构对准并封装两片基板，形成梳齿式结构的金属铜微通道，每一片基板上微通道的宽度较宽，方便SU-8胶的去除，并且梳齿式结构的微通道有利于减小对冷却介质的流动阻力。本发明解决了现有的基于UV-LIGA技术制作的金属铜微通道热沉，因其具有小线宽、大深宽比的特点，一方面在电铸工艺完成后，SU-8胶难以去除；另一方面小线宽金属铜微通道热沉的流动阻力较大的问题。

公开(公告)号：CN109773292A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201910153666.3

申请日：2019-03-01

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 杜立群 ,  翟科 ,  赵明 ,  王舒萱 ,  温义奎 ,  曹强 ,  张希

IPC: B23H3/00

Abstract: 一种兆声掩膜电解加工高深宽比微结构的装置及方法，属于电解加工领域，该装置中上盖板、侧围板、下底板组成电解液腔；兆声阳极安装于上盖板，阴极板固定于下底板；刻蚀件固定于兆声阳极上，压电陶瓷粘贴于兆声阳极的内部。兆声掩膜电解加工提高微结构深刻蚀能力的工艺为：在电解液腔由进液孔泵入电解液并从出液孔流出并循环；通过陶瓷引线为压电陶瓷通入兆声波信号，压电陶瓷产生兆声振动激励阳极工件振动，向电解液中辐射兆声波；分别通过阳极导线、阴极导电螺钉为阳极工件、阴极板接入刻蚀电流，实现阳极电解加工。本发明操作简单易行，能够有效提高金属微结构的深刻蚀能力，实现金属高深宽比微结构的兆声掩膜电解加工。