公开(公告)号：CN102703974A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201210190964.8

申请日：2012-06-12

Applicant: 大连理工大学 ,  浙江水晶光电科技股份有限公司

Inventor： 梁红伟 ,  杨德超 ,  俞振南 ,  夏晓川 ,  申人升 ,  杜国同

IPC: C30B25/18 ,  C30B29/40

Abstract: 本发明公开了一种用于提高GaN膜质量的蓝宝石图形衬底及制备方法，利用掩膜技术在c面蓝宝石衬底上制备三角形掩膜图形，并利用ICP干法刻蚀或湿法刻蚀技术将掩膜图形转移到蓝宝石衬底上并形成侧面为[105]面的三棱锥或者三棱台。本发明通过在蓝宝石衬底上制备多个规则排列的蓝宝石[105]晶面暴露的三棱锥或三棱台，能够有效地降低其上生长的GaN薄膜内由应力引起的缺陷的密度，提高了GaN膜的生长质量。

公开(公告)号：CN100595543C

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200810010625.0

申请日：2008-03-10

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 申人升 ,  闫卫平 ,  杜国同 ,  张玉书

IPC: G01L11/02 ,  G01L19/04

Abstract: 一种内弧形顶薄壁应变筒投入式光纤Bragg光栅压力传感器，属于传感器技术领域，涉及一种投入式的压力测量的光纤Bragg光栅压力传感器。其特征是金属薄壁内筒的内侧顶端是弧形结构；压力测量光纤Bragg光栅和温度补偿光纤Bragg光栅均采用金属化封装，压力测量光纤Bragg光栅用金属沿轴向焊接在金属薄壁内筒的外壁侧面，温度补偿光纤Bragg光栅用金属焊接在金属薄壁内筒的顶端外侧，压力测量光纤Bragg光栅和温度补偿光纤Bragg光栅呈相互垂直方向；两条信号引出单模光纤在通过光纤出孔时也采用局部金属化封装，用金属焊接于光纤出孔处，并将光纤出孔封闭。本发明的效果和益处是可提高了压力传感器的压力测量范围，解决两条Bragg光栅交叉敏感问题，提高传感器的工作温度范围。

公开(公告)号：CN116015305A

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202211610490.8

申请日：2022-12-12

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 申人升 ,  周义喆 ,  常玉春 ,  曲杨 ,  娄珊珊

IPC: H03M1/56 ,  H03M1/54

Abstract: 本发明提供一种基于时钟锁定的低功耗单斜坡ADC电路，属于模拟集成电路领域。包括：斜坡产生电路，采样保持电路，比较器，三个寄存器，反相器以及开关。输入信号VPIXEL作为比较器的同相输入端，VRAMP作为比较器的反相输入端。根据比较器的基本性质可知，若输入信号VPIXEL大于VRAMP，则比较器的输出VCOMP_out为高电平；若输入信号VPIXEL小于比较信号，则比较器的输出VCOMP_out为低电平。本发明采用二分法的方式，确定输入电压所对应的范围，缩短并锁定计数器的工作区间，降低计数器的开关功耗，进而降低单斜坡ADC的功耗。

公开(公告)号：CN115942140A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202211598486.4

申请日：2022-12-12

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 邱继军 ,  姜牟旬 ,  常玉春 ,  申人升 ,  钟国强 ,  程禹 ,  潘冲 ,  杨浩正 ,  樊禹彤

IPC: H04N25/771 ,  H04N19/42 ,  H04N19/146 ,  H04N19/182 ,  H04N19/93

Abstract: 本发明公开了一种面向CMOS图像传感器的实时压缩存储内核，属于CMOS图像传感器数据处理系统领域和可编程逻辑器件领域。本发明包括DDR3接口控制模块、RISC‑V处理器模块以及JPEG‑LS协处理器模块。本发明为通用型压缩存储内核设计，将压缩算法固化为硬件协处理器加速压缩过程，并且通过定制RISC‑V处理器最大化减少了电路面积，且通过系统层面优化控制，使DDR3接口控制器模块和JPEG‑LS协处理器模块高效稳定工作。本发明使用时可作为自定义IP，给出输入端和输出端的信号，并且编写能被RISC‑V交叉编译工具链编译通过的运行在RISC‑V处理器上的程序，即可实现大量数据的自定义压缩存储。

公开(公告)号：CN113162613A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN202110581803.0

申请日：2021-05-24

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 常玉春 ,  周滔 ,  申人升 ,  冯国林 ,  王志硕 ,  刘岩 ,  娄珊珊 ,  钟国强 ,  曲杨 ,  程禹

IPC: H03L7/085 ,  H03L7/099

Abstract: 本发明涉及模拟集成电路技术领域，提供一种应用于图像传感器锁相环的线性相位误差比较器，包括：斜坡发生器和控制信号生成电路；所述控制信号生成电路，用于对输入参考时钟信号和输出时钟信号进行采样和比较，生成包含有相位差信息的控制信号，用于斜坡发生器的充放电控制；所述斜坡发生器，包括：基准电流源、电压跟随器、第一电容、基准电压源、第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第三PMOS晶体管、第四PMOS晶体管、第五PMOS晶体管、第六PMOS晶体管、第七PMOS晶体管、第八PMOS晶体管、第九PMOS晶体管、第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管。本发明能够实现线性的，连续的相位误差比较，降低相位误差比较器的量化噪声，实现低噪声锁相环。

公开(公告)号：CN107083541A

公开(公告)日：2017-08-22

申请号：CN201710261163.9

申请日：2017-04-21

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 柳阳 ,  梁红伟 ,  夏晓川 ,  申人升 ,  陈远鹏

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/46

CPC classification number: C23C16/40 ,  C23C16/46

Abstract: 本发明提供了一种用于高质量氧化物半导体材料制备的MOCVD加热盘，属于氧化物半导体材料生长及器件制备领域。实心蛇形管作为加热源和上下表面沉积层的支撑结构；MOCVD加热盘的主体结构为由一根盘旋的实心蛇形管构成的平板式结构，实心蛇形管两末端分别开孔，未连接；MOCVD加热盘的主体平板结构的上下表面分别沉积有上碳化物沉积层和下碳化物沉积层。MOCVD加热盘上的碳化物沉积层较薄且均匀性良好，经过CVD处理的加热盘的加热均匀性和发热效率不受影响，不仅解决了外延工艺中无法在氧气氛围中高温生长的技术难点也避免了沉积层导致发热不均的负面影响。使得MOCVD设备制备高质量氧化物半导体薄膜的能力得到大幅提升。

公开(公告)号：CN103456603A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201310401102.X

申请日：2013-09-05

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 夏晓川 ,  柳阳 ,  申人升 ,  梁红伟 ,  杜国同 ,  胡礼中

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种在镓系异质半导体衬底上制备氧化镓膜的方法及氧化镓膜，在镓系异质半导体衬底上制备氧化镓膜的方法包括以下步骤：选取镓系半导体衬底，并清理镓系半导体衬底表面；然后在含有氧分压的气氛中，采用外部能量对镓系半导体衬底进行处理，将镓系半导体衬底表面区域的镓原子与其它组分原子形成的化学键打开，使得镓原子与气氛中的氧原子结合形成镓氧键；最后采用氧化镓膜生长技术在处理后的镓系半导体衬底上生长氧化镓膜。本发明在镓系异质半导体衬底上制备氧化镓膜的方法步骤科学、合理，解决了现有技术的诸多问题，有效降低了异质外延生长氧化镓膜的缺陷密度。

公开(公告)号：CN102543988A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201210052040.1

申请日：2012-03-02

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 申人升 ,  梁红伟 ,  柳阳 ,  杜国同

IPC: H01L25/075 ,  H01L33/64

Abstract: 本发明公开了一种金属支撑垂直结构无荧光粉白光LED。所述金属支撑垂直结构无荧光粉白光LED是将发射蓝光的LED和发射红光、黄光或红黄混合光的LED连接在一起，在电流驱动下发射白光。本发明的特点是将两种发射不同颜色光的LED（分别为发射蓝光的LED和发射红光、黄光或红黄混合光的LED）通过直接键合技术集成在一起；金属支撑基板作为整个器件的新支撑体与衬底剥离工艺使得器件的散热性能得到大幅提升，解决了LED结温影响发光性能的弊端；多电极的引入可分别控制红光、黄光或红黄混合光与蓝光比例，以调节白光LED的色温；欧姆接触合金发射层的存在与GaAs衬底的剥离使得器件的光提取效率得到大幅度提升。

公开(公告)号：CN117372747A

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202311237840.5

申请日：2023-09-25

Applicant: 河北工业大学 ,  大连理工大学 ,  电子科技大学(深圳)高等研究院

Inventor： 曹斌 ,  陈啸林 ,  申人升 ,  常玉春 ,  李耘

IPC: G06V10/764 ,  G06N3/048 ,  G06N3/08

Abstract: 本发明属于计算机视觉领域,公开提供了一种针对图像分类神经网络分类器决策空间的优化方法。针对图像分类神经网络分类器决策空间的优化方法包括：分类器内设置正弦激活函数ASIN，分类器权重矩阵等角投影；分类器内设置正弦激活函数ASIN对输入分类器的特征进行中心对称的非线性激活，分类器权重矩阵等角投影使得分类器权重矩阵的列向量两两之间夹角相等，且最大化；分类器内设置正弦激活函数ASIN可以让决策空间的特征分布关于原点中心对称分布，分类器权重矩阵等角投影使得类间距离最大化，提升网络分类性能，同时促进权重矩阵等角紧框架形成，加快网络收敛速度。

公开(公告)号：CN117332822A

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：CN202311281668.3

申请日：2023-10-07

Applicant: 河北工业大学 ,  电子科技大学(深圳)高等研究院 ,  大连理工大学

Inventor： 曹斌 ,  周子润 ,  柳鑫 ,  李耘 ,  申人升 ,  常玉春

IPC: G06N3/0475 ,  G06N3/086 ,  G06N3/094 ,  G06N3/006

Abstract: 本发明属于生成对抗网络自动化设计技术领域，公开了一种面向生成对抗网络的多目标自适应演化神经架构搜索方法。依据神经架构搜索对演化过程进行分阶段处理，将演化过程分为探索、发展、收敛三个阶段，并设计了一个控制器，使得神经架构搜索能够依据演化过程进行调整，有效提升了神经架构搜索性能。通过新设计的概率函数，在不同的阶段对演化过程的交叉概率和突变概率进行控制，并在演化后期时加速收敛，并做了大量的消融实验。通过本发明所设计的基于双因子协同变异机制的演化过程对神经架构搜索过程进行动态化的调整与控制。