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公开(公告)号：CN111866414B
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202010679695.6
申请日：2020-07-15
Applicant: 大连理工大学
IPC: H04N5/355
Abstract: 本发明提供了高动态图像传感器像素结构及时序控制方法，属于半导体光电方向图像传感器领域。所述的高动态图像传感器像素结构集成了一个钳位光电二极管作为光电探测元件，反向偏置，阳极为p型接地，阴极通过高增益传输晶体管与源极跟随器的输入端FDH点相连。FDH点同时与低增益传输晶体管相连，并与FDL点连接。FDL点分别与复位晶体管、超高动态范围控制二极管相连，复位晶体管与低增益传输晶体管的漏极相连，用于保证FDL点被复位至VPIX电压。选通管与源极跟随器的源极相连，用于将源极跟随器与外部信号读出链相连。超高动态范围控制二极管的阴极与FDL点相连，阳极接在电压VC上。
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公开(公告)号：CN113162613A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110581803.0
申请日：2021-05-24
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明涉及模拟集成电路技术领域，提供一种应用于图像传感器锁相环的线性相位误差比较器，包括：斜坡发生器和控制信号生成电路；所述控制信号生成电路，用于对输入参考时钟信号和输出时钟信号进行采样和比较，生成包含有相位差信息的控制信号，用于斜坡发生器的充放电控制；所述斜坡发生器，包括：基准电流源、电压跟随器、第一电容、基准电压源、第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第三PMOS晶体管、第四PMOS晶体管、第五PMOS晶体管、第六PMOS晶体管、第七PMOS晶体管、第八PMOS晶体管、第九PMOS晶体管、第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管。本发明能够实现线性的，连续的相位误差比较，降低相位误差比较器的量化噪声，实现低噪声锁相环。
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公开(公告)号：CN113162613B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202110581803.0
申请日：2021-05-24
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明涉及模拟集成电路技术领域，提供一种应用于图像传感器锁相环的线性相位误差比较器，包括：斜坡发生器和控制信号生成电路；所述控制信号生成电路，用于对输入参考时钟信号和输出时钟信号进行采样和比较，生成包含有相位差信息的控制信号，用于斜坡发生器的充放电控制；所述斜坡发生器，包括：基准电流源、电压跟随器、第一电容、基准电压源、第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第三PMOS晶体管、第四PMOS晶体管、第五PMOS晶体管、第六PMOS晶体管、第七PMOS晶体管、第八PMOS晶体管、第九PMOS晶体管、第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管。本发明能够实现线性的，连续的相位误差比较，降低相位误差比较器的量化噪声，实现低噪声锁相环。
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公开(公告)号：CN111866414A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010679695.6
申请日：2020-07-15
Applicant: 大连理工大学
IPC: H04N5/355
Abstract: 本发明提供了高动态图像传感器像素结构及时序控制方法，属于半导体光电方向图像传感器领域。所述的高动态图像传感器像素结构集成了一个钳位光电二极管作为光电探测元件，反向偏置，阳极为p型接地，阴极通过高增益传输晶体管与源极跟随器的输入端FDH点相连。FDH点同时与低增益传输晶体管相连，并与FDL点连接。FDL点分别与复位晶体管、超高动态范围控制二极管相连，复位晶体管与低增益传输晶体管的漏极相连，用于保证FDL点被复位至VPIX电压。选通管与源极跟随器的源极相连，用于将源极跟随器与外部信号读出链相连。超高动态范围控制二极管的阴极与FDL点相连，阳极接在电压VC上。
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