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公开(公告)号：CN112625679B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202011432997.X
申请日：2020-12-10
Applicant: 大连理工大学
IPC: C09K11/66
Abstract: 一种全无机卤素钙钛矿纳米线的异质结及其制备方法，属于新型半导体光电材料领域。通过反溶剂蒸气辅助液相重结晶法制备长径比大、晶体质量良好的δ‑CsPbI3和CsPbBr3单晶纳米线；利用微纳操作转移系统，在微纳米尺度条件下，将CsPbI3单晶纳米线和CsPbBr3单晶纳米线交叉接触，氮气环境下，通过加热反应，得到具有不同长度交换区域的CsPbBrnI3‑n/δ‑CsPbI3；其中交换区域及交换长度可以根据具体需要进行精确定位和控制。本发明制得的CsPbBrnI3‑n/δ‑CsPbI3全无机纳米线异质结具有明显的结界面和横向异质结构，本方法可以在在单根纳米线上可以根据具体要求集成多个不同尺寸的异质结构或像素点阵，且这种通过固固离子交换得到的晶体质量高且能保持原有晶体的形貌。
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公开(公告)号：CN112750919A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202011630615.4
申请日：2020-12-31
Applicant: 大连理工大学 , 江苏新广联科技股份有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/109
Abstract: 一种钙钛矿纳米线的异质结及其制备方法，属于新型半导体光电材料领域。通过反溶剂蒸气辅助液相重结晶法在FTO玻璃基板表面制备出高质量的CsPbBr3单晶纳米线，其中CsPbBr3单晶纳米线与FTO基板呈一定角度生长。之后，在充满氮气的手套箱中，将上述制备的CsPbBr3单晶纳米线与FTO基板一起放入含有C4H9NH3I的玻璃瓶中置于加热台上进行加热。利用气相离子交换，通过控制温度和时间，制备出具有浓度梯度的全无机CsPbBrnI3‑n纳米线异质结。本发明能够制得具有浓度梯度的CsPbBrnI3‑n全无机卤素钙钛矿纳米线异质结，这种通过气相离子交换得到的晶体质量高且能保持原有晶体的形貌。
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公开(公告)号：CN112625679A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011432997.X
申请日：2020-12-10
Applicant: 大连理工大学
IPC: C09K11/66
Abstract: 一种全无机卤素钙钛矿纳米线的异质结及其制备方法，属于新型半导体光电材料领域。通过反溶剂蒸气辅助液相重结晶法制备长径比大、晶体质量良好的δ‑CsPbI3和CsPbBr3单晶纳米线；利用微纳操作转移系统，在微纳米尺度条件下，将CsPbI3单晶纳米线和CsPbBr3单晶纳米线交叉接触，氮气环境下，通过加热反应，得到具有不同长度交换区域的CsPbBrnI3‑n/δ‑CsPbI3；其中交换区域及交换长度可以根据具体需要进行精确定位和控制。本发明制得的CsPbBrnI3‑n/δ‑CsPbI3全无机纳米线异质结具有明显的结界面和横向异质结构，本方法可以在在单根纳米线上可以根据具体要求集成多个不同尺寸的异质结构或像素点阵，且这种通过固固离子交换得到的晶体质量高且能保持原有晶体的形貌。
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公开(公告)号：CN109755391A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201811616730.9
申请日：2018-12-28
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 一种基于有机无机杂化钙钛矿的阈值开关器件及其制备方法，属于数据存储领域，包括底部电极、介质层、顶部电极，顶部电极为银电极，底部电极为FTO导电玻璃，介质层采用(CsxFAyMA1-x-y)Pb(IzBr1-z)3。该阈值开关器件存在高电阻和低电阻状态。步骤：首先，在底部电极导电面上滴加(CsxFAyMA1-x-y)Pb(IzBr1-z)3溶液，开启匀胶机进行旋涂，在旋涂结束前滴加反溶剂氯苯，使钙钛矿快速结晶；其次，进行退火处理在导电面上得到钙钛矿薄膜；最后，在钙钛矿薄膜上沉积顶电极，并在银电极上施加持续的电脉冲刺激，使银扩散进钙钛矿层中得到阈值开关器件。与传统阈值开关器件相比，本发明采用低温溶液旋涂工艺在干燥空气中进行，不需要高温工艺、高真空或惰性环境，生产成本低，工艺简单，适用于大规模制造。
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公开(公告)号：CN112993156B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202110154048.8
申请日：2021-02-04
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 一种高开关次数的柔性选通器及其制备方法，属于半导体和微电子领域，从下到上底电极、介质层、顶电极、保护层，底电极为透明柔性ITO/PEN，介质层材料为CsxFAyMA1‑x‑yPbI3‑zBrz，顶电极为Ag，保护层为Au。步骤：首先，在ITO/PEN柔性衬底的导电面上滴加CsxFAyMA1‑x‑yPbI3‑zBrz溶液，并涂抹均匀，开启匀胶机进行旋涂，在旋涂结束前滴加反溶剂氯苯使钙钛矿快速结晶；其次，100～120℃下退火处理30～50分钟后在导电面上得到卤素钙钛矿薄膜；最后，通过真空热蒸发法在钙钛矿薄膜上沉积顶电极及保护层。本发明不需要高温工艺，采用低温溶液旋涂工艺在氮气环境中进行，对设备要求简单，成本低，可用于柔性阻变阵列集成；器件开关次数高达1010次，弯曲次数高达104次，具备稳定的阈值开关选通特性和优异的抗物理弯折能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115719751A
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202211496185.0
申请日：2022-11-25
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L27/144 , H01L27/04 , H01L27/12 , H01L21/77 , H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/101 , H01L31/18 , H01L21/336 , H01L29/78 , C09K11/66 , B82Y20/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明属于光电器件技术领域，涉及一种可调波长的电致发光器件及其制备方法。包括器件衬底，其特征在于，器件衬底上为一体化的多组分材料，一体化的多组分材料两端设有电极；一体化的多组分材料的每段组分材料按需选择并联场效应器件；一体化的多组分材料是指材料组分能被合金化设计或者掺杂以实现不同位段的材料对应不同光学带隙，所述光学带隙直接决定某段多组分材料的发光波长。本发明的栅极对器件电致辐射波长的有效调制意味着仅需要提供调制电压而不需要调制电流，这种控制方式更加灵活节能，且易于编码转换，拓宽与各类电子器件的集成；可应用于光电信号转换与编码、信号显示、片上多波段发光器件一体化，光电器件的互联等光电器件领域。
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公开(公告)号：CN113339925A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110499165.8
申请日：2021-05-08
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明提供了一种促进炉灶高效燃烧的可吸附颗粒物装置，属于生物质能利用和建筑节能技术领域。本发明主要以室内热环境及空气品质实时数据和行业标准为程序设计依据，利用实时室内环境监测系统及编纂自动控制程序，进而控制风扇开闭及风速使燃料燃烧充分，并对溢出的烟气进行颗粒物吸附，达到保障人体健康的目的。本发明具有成本低廉、结构简单能够灵活地与各种形式的炉灶相结合等优点，适合于大面积推广。
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公开(公告)号：CN112832364A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202011589259.6
申请日：2020-12-28
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本申请提供了一种基于东北地区气候的适应性低耗能农宅，包括，由空芯纸浆难燃保温墙体和高反射保温屋顶制成的建筑主体，以及设置在建筑主体的目标外墙面的装配式缓冲空间；目标外墙面为设有门和/或窗的外墙面；空芯纸浆难燃保温墙体依次包括内饰面层、水泥砂浆层、砖墙层、空芯纸浆难燃保温层、水泥砂浆层和外饰面层；建筑主体内部包括通过隔墙进行分隔的厨房区域、客厅区域、床式地暖卧室区域和设有倒卷帘式火炕的火炕供暖卧室区域；其中，厨房区域和客厅区域分别相对设置于火炕供暖卧室区域的两侧；床式地暖卧室区域设置于客厅区域的一侧，并与火炕供暖卧室区域相对；厨房区域内设有与倒卷帘式火炕相连的炉灶。低成本、高舒适、低热损失。
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公开(公告)号：CN109755391B
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201811616730.9
申请日：2018-12-28
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 一种基于有机无机杂化钙钛矿的阈值开关器件及其制备方法，属于数据存储领域，包括底部电极、介质层、顶部电极，顶部电极为银电极，底部电极为FTO导电玻璃，介质层采用(CsxFAyMA1‑x‑y)Pb(IzBr1‑z)3。该阈值开关器件存在高电阻和低电阻状态。步骤：首先，在底部电极导电面上滴加(CsxFAyMA1‑x‑y)Pb(IzBr1‑z)3溶液，开启匀胶机进行旋涂，在旋涂结束前滴加反溶剂氯苯，使钙钛矿快速结晶；其次，进行退火处理在导电面上得到钙钛矿薄膜；最后，在钙钛矿薄膜上沉积顶电极，并在银电极上施加持续的电脉冲刺激，使银扩散进钙钛矿层中得到阈值开关器件。与传统阈值开关器件相比，本发明采用低温溶液旋涂工艺在干燥空气中进行，不需要高温工艺、高真空或惰性环境，生产成本低，工艺简单，适用于大规模制造。
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公开(公告)号：CN112993156A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110154048.8
申请日：2021-02-04
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种高开关次数的柔性选通器及其制备方法，属于半导体和微电子领域，从下到上底电极、介质层、顶电极、保护层，底电极为透明柔性ITO/PEN，介质层材料为CsxFAyMA1‑x‑yPbI3‑zBrz，顶电极为Ag，保护层为Au。步骤：首先，在ITO/PEN柔性衬底的导电面上滴加CsxFAyMA1‑x‑yPbI3‑zBrz溶液，并涂抹均匀，开启匀胶机进行旋涂，在旋涂结束前滴加反溶剂氯苯使钙钛矿快速结晶；其次，100～120℃下退火处理30～50分钟后在导电面上得到卤素钙钛矿薄膜；最后，通过真空热蒸发法在钙钛矿薄膜上沉积顶电极及保护层。本发明不需要高温工艺，采用低温溶液旋涂工艺在氮气环境中进行，对设备要求简单，成本低，可用于柔性阻变阵列集成；器件开关次数高达1010次，弯曲次数高达104次，具备稳定的阈值开关选通特性和优异的抗物理弯折能力。
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