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公开(公告)号：CN116013858A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202211599448.0
申请日：2022-12-12
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 本发明提出一种垂直型CMOS电路结构及其制作方法，属于集成电路领域。制作步骤如下：在P型掺杂衬底上制作NMOS器件；在N型掺杂衬底上制作PMOS器件；分别制作与PMOS、NMOS中源、漏、栅相连接的金属接触点；利用键合设备对两片晶圆进行键合；对键合后晶圆进行减薄，并完成后续工艺；键合时，1个NMOS器件与多个PMOS器件形成垂直型CMOS结构，或者1个PMOS器件与两个以上NMOS器件形成垂直型CMOS结构。本发明的垂直型CMOS电路结构可以提高载流子迁移率；可以降低MOS管噪声；电路结构中将不存在闩锁效应；能提高单位面积内的晶体管数量；将省略部分光刻、刻蚀、注入和沉积工艺，提高生产效率。
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公开(公告)号：CN114567738A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202210226033.2
申请日：2022-03-08
Applicant: 大连理工大学
IPC: H04N5/374 , H04N5/3745
Abstract: 本发明涉及模数转换器技术领域，提供一种应用于CMOS图像传感器的两步式单斜模数转换器，包括：存储模块、模数转换器模块和全局模块；所述模数转换器模块，包括：比较器、计数器、静态存储器和锁存器；所述全局模块，包括：斜坡产生模块和偏置产生模块；所述存储模块，包括：第二电容CS、第三电容CR、第一存储模块开关SS、第二存储模块开关RS、第三存储模块开关SR和第四存储模块开关RR。本发明能够提高单斜模数转换器的转换速度，以实现高帧频的图像传感器。
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公开(公告)号：CN112420759A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011243957.0
申请日：2020-11-10
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L27/146 , H04N5/374
Abstract: 本发明涉及CMOS图像传感器技术领域，提供一种基于仿生视觉的CMOS图像传感器像素结构，包括：彩色信号收集单元、黑白信号收集单元、第三转移晶体管TG3、复位晶体管RST、源极跟随器SF和行选择晶体管RS；所述黑白信号收集单元，包括：第一钳位光电二极管PPD1、第一转移晶体管TG1和第一浮置扩散电容FD1；所述彩色信号收集单元，包括：第二钳位光电二极管PPD2、第二转移晶体管TG2和第二浮置扩散电容FD2。本发明能够在同一CMOS图像传感器中分别获得高灵敏度的黑白图像信号和彩色图像信号。
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公开(公告)号：CN111866414A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010679695.6
申请日：2020-07-15
Applicant: 大连理工大学
IPC: H04N5/355
Abstract: 本发明提供了高动态图像传感器像素结构及时序控制方法，属于半导体光电方向图像传感器领域。所述的高动态图像传感器像素结构集成了一个钳位光电二极管作为光电探测元件，反向偏置，阳极为p型接地，阴极通过高增益传输晶体管与源极跟随器的输入端FDH点相连。FDH点同时与低增益传输晶体管相连，并与FDL点连接。FDL点分别与复位晶体管、超高动态范围控制二极管相连，复位晶体管与低增益传输晶体管的漏极相连，用于保证FDL点被复位至VPIX电压。选通管与源极跟随器的源极相连，用于将源极跟随器与外部信号读出链相连。超高动态范围控制二极管的阴极与FDL点相连，阳极接在电压VC上。
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公开(公告)号：CN114640808B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202210221520.X
申请日：2022-03-09
Applicant: 大连理工大学
IPC: H04N25/57 , H04N25/76 , H04N25/779
Abstract: 基于复位晶体管复用技术的高动态范围图像传感器像素单元，属于半导体光电方向图像传感器领域。通过控制像素工作过程中的时序信号和调整工艺制造结构的方式控制像素电路中复位晶体管的工作方式，使得复位晶体管在像素工作过程中的复位阶段起到复位作用，在像素积分阶段复位晶体管形成二极管连接起到电荷补偿作用。复位晶体管复用技术使得像素电路在弱光下保持低噪声和线性关系，在强光下由光电二极管流到FD点的光生电荷形成的电流与复位晶体管形成的二极管中的导通电流将达到动态平衡，此时FD点电荷将不再随积分时间变化，而只和光强成对数关系。使用该像素结构的图像传感器，积分过程中复位晶体管能够构成电荷补偿通路，极大的拓展动态范围。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116095501A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202211599371.7
申请日：2022-12-12
Applicant: 大连理工大学
IPC: H04N23/741 , H04N23/60 , H04N5/14 , H04N5/21 , H04N5/265 , H04N25/581
Abstract: 本发明属于图像采集传输处理领域，具体涉及一种多曝光高速图像采集与处理系统。该系统由多曝光的图像传感器模块、FPGA模块、DSP处理器、USB数据传输接口模块和上位机显示模块组成，FPGA模块包括DDR4模块和时钟模块。使用FPGA和DSP作为核心模块，多核DSP并行处理数据，实现有效、快速地处理数据。通过对上述模块的配置并且采用动态多曝光图像融合算法，可以实现对多种曝光模式下的图像数据进行快速处理和显示，提高了系统的运行速度，实现清晰显示动态图像的功能。
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公开(公告)号：CN116094521A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202211598590.3
申请日：2022-12-12
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明提供一种基于相关多采样技术的逐次逼近型模数转换器，属于集成电路设计领域。将传统的电容阵列结构换成相关多采样结构可以有效的减少电容总数，由于多采样结构的每个电容容值是相同的，在版图上不需要做匹配。大大减少版图面积与复杂度。相关多采样模块通过简单的开关电容电路实现，不需要额外的电路。
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公开(公告)号：CN116015305A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202211610490.8
申请日：2022-12-12
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明提供一种基于时钟锁定的低功耗单斜坡ADC电路，属于模拟集成电路领域。包括：斜坡产生电路，采样保持电路，比较器，三个寄存器，反相器以及开关。输入信号VPIXEL作为比较器的同相输入端，VRAMP作为比较器的反相输入端。根据比较器的基本性质可知，若输入信号VPIXEL大于VRAMP，则比较器的输出VCOMP_out为高电平；若输入信号VPIXEL小于比较信号，则比较器的输出VCOMP_out为低电平。本发明采用二分法的方式，确定输入电压所对应的范围，缩短并锁定计数器的工作区间，降低计数器的开关功耗，进而降低单斜坡ADC的功耗。
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公开(公告)号：CN115833837A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211598509.1
申请日：2022-12-12
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明提出一种高速Flash‑SAR混合式模数转换器，属于芯片技术领域。本发明包括采样开关、Flash ADC、比较器、电容式数模转换器、逐次逼近寄存器和数字纠错电路。本发明采用了全差分的结构，输入信号经过Flash ADC快速完成3位数字码的转换，同时控制电容式数模转换器的高三位电容对应开关的转换，并通过比较器完成后面位数的转换。本发明将电容阵列分为两段，每一段电容都采用基于二进制误差补偿的电容架构设计，减小了比较器的失调、顶板电压的不完全建立和转换开关本身的热噪声给系统带来的误差；且由于Flash ADC中编码电路的存在，实现从温度计码到二进制码的转换，节省了芯片的面积，降低了功耗。
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公开(公告)号：CN115134541A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210699481.4
申请日：2022-06-20
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 一种同时具有高低增益和对数响应的高动态CMOS图像传感器及时序控制方法和读取方式，属于半导体光电方向图像传感器领域。本发明利用了在不同光强下电荷补偿元件分别工作在截止区和亚阈值区的原理：弱光和强光下电荷补偿元件处于截止区，无导通电流，此时本发明的像素结构与具有高低增益结构的高动态像素技术功能相同，因此在弱光下具有很强的探测能力；在超强光或者长积分时间下电荷补偿元件工作在亚阈值区，利用亚阈值区晶体管电流电压为对数关系的特性实现对过溢光生电荷的补偿，因此可在超高光强下成像。本发明在一次曝光下可以获得多幅相同积分时间的图像，对应弱光、强光和超强光，多幅图像即可合成一幅具有超高动态范围的图像。
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