公开(公告)号：CN111553121A

公开(公告)日：2020-08-18

申请号：CN202010375964.X

申请日：2020-05-07

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 常玉春 ,  刘岩 ,  马艳华 ,  娄珊珊 ,  杨刚 ,  宋辰昱

IPC: G06F30/33 ,  G06F119/02

Abstract: 本发明涉及电路可靠性验证领域，提供一种层次化数字电路可靠性验证方法，包括：在BSIM 3v3模型中，由mosfet晶体管受HCI、NBTI和TDDB效应影响的阈值电压漂移△Vth的计算公式，形成能够评估mosfet晶体管性能变化情况的新BSIM 3v3模型；再利用SPICE仿真器调用新BSIM 3v3模型对只含有一个mosfet晶体管的电路进行仿真，从而产生退化的mosfet晶体管模型文件；在退化的mosfet晶体管模型文件的基础上经由单元库表征工具提取出退化的数字单元库；最后基于退化的数字单元库对数字电路进行分析，实现对大规模数字电路性能退化的预测。本发明能够节省大规模数字电路可靠性验证的时间。

公开(公告)号：CN112420759A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN202011243957.0

申请日：2020-11-10

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 曲杨 ,  常玉春 ,  梁红伟 ,  刘岩 ,  娄珊珊 ,  钟国强 ,  程禹 ,  宋辰昱 ,  曹伉

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/374

Abstract: 本发明涉及CMOS图像传感器技术领域，提供一种基于仿生视觉的CMOS图像传感器像素结构，包括：彩色信号收集单元、黑白信号收集单元、第三转移晶体管TG3、复位晶体管RST、源极跟随器SF和行选择晶体管RS；所述黑白信号收集单元，包括：第一钳位光电二极管PPD1、第一转移晶体管TG1和第一浮置扩散电容FD1；所述彩色信号收集单元，包括：第二钳位光电二极管PPD2、第二转移晶体管TG2和第二浮置扩散电容FD2。本发明能够在同一CMOS图像传感器中分别获得高灵敏度的黑白图像信号和彩色图像信号。

公开(公告)号：CN112420759B

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN202011243957.0

申请日：2020-11-10

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 曲杨 ,  常玉春 ,  梁红伟 ,  刘岩 ,  娄珊珊 ,  钟国强 ,  程禹 ,  宋辰昱 ,  曹伉

IPC: H01L27/146 ,  H04N25/76

Abstract: 本发明涉及CMOS图像传感器技术领域，提供一种基于仿生视觉的CMOS图像传感器像素结构，包括：彩色信号收集单元、黑白信号收集单元、第三转移晶体管TG3、复位晶体管RST、源极跟随器SF和行选择晶体管RS；所述黑白信号收集单元，包括：第一钳位光电二极管PPD1、第一转移晶体管TG1和第一浮置扩散电容FD1；所述彩色信号收集单元，包括：第二钳位光电二极管PPD2、第二转移晶体管TG2和第二浮置扩散电容FD2。本发明能够在同一CMOS图像传感器中分别获得高灵敏度的黑白图像信号和彩色图像信号。