公开(公告)号：CN115134541B

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202210699481.4

申请日：2022-06-20

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 常玉春 ,  娄珊珊 ,  曲杨 ,  钟国强 ,  程禹 ,  张为森 ,  孔祥和 ,  孙汉蔚 ,  周义喆 ,  李技烨 ,  牛仕泽

IPC: H04N25/57 ,  H04N25/76 ,  H04N25/78

Abstract: 一种同时具有高低增益和对数响应的高动态CMOS图像传感器及时序控制方法和读取方式，属于半导体光电方向图像传感器领域。本发明利用了在不同光强下电荷补偿元件分别工作在截止区和亚阈值区的原理：弱光和强光下电荷补偿元件处于截止区，无导通电流，此时本发明的像素结构与具有高低增益结构的高动态像素技术功能相同，因此在弱光下具有很强的探测能力；在超强光或者长积分时间下电荷补偿元件工作在亚阈值区，利用亚阈值区晶体管电流电压为对数关系的特性实现对过溢光生电荷的补偿，因此可在超高光强下成像。本发明在一次曝光下可以获得多幅相同积分时间的图像，对应弱光、强光和超强光，多幅图像即可合成一幅具有超高动态范围的图像。

公开(公告)号：CN115134541A

公开(公告)日：2022-09-30

申请号：CN202210699481.4

申请日：2022-06-20

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 常玉春 ,  娄珊珊 ,  曲杨 ,  钟国强 ,  程禹 ,  张为森 ,  孔祥和 ,  孙汉蔚 ,  周义喆 ,  李技烨 ,  牛仕泽

IPC: H04N5/355 ,  H04N5/374 ,  H04N5/378

Abstract: 一种同时具有高低增益和对数响应的高动态CMOS图像传感器及时序控制方法和读取方式，属于半导体光电方向图像传感器领域。本发明利用了在不同光强下电荷补偿元件分别工作在截止区和亚阈值区的原理：弱光和强光下电荷补偿元件处于截止区，无导通电流，此时本发明的像素结构与具有高低增益结构的高动态像素技术功能相同，因此在弱光下具有很强的探测能力；在超强光或者长积分时间下电荷补偿元件工作在亚阈值区，利用亚阈值区晶体管电流电压为对数关系的特性实现对过溢光生电荷的补偿，因此可在超高光强下成像。本发明在一次曝光下可以获得多幅相同积分时间的图像，对应弱光、强光和超强光，多幅图像即可合成一幅具有超高动态范围的图像。