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公开(公告)号：CN120026380A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202510036844.X
申请日：2025-01-09
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于磺酸体系的Sn‑Ag微凸点电镀液及其制备方法与应用，包括以下的组分：磺酸、锡盐、银盐、络合剂、晶粒细化剂、整平剂、分散剂、稳定剂；络合剂包括含硫吡啶类化合物和硫脲类化合物；晶粒细化剂为花色素类化合物；整平剂为不饱和羰基类化合物；分散剂为高分子量嵌段共聚物；稳定剂为苯酚类化合物。本发明的电镀液具有高电流效率，可有效调控微凸点形貌，提升其平整性和共面性，适用于高电流密度下在晶圆上形成微米级致密、平滑的Sn‑Ag微凸点，应用于高密度集成电路芯片的互连制造。
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公开(公告)号：CN119736676A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202510237651.0
申请日：2025-03-03
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明公开了一种巯基磺酸无氰镀金电镀液及其制备方法与应用，属于电镀技术领域，巯基磺酸无氰镀金电镀液包括金源、络合剂、添加剂和pH缓冲剂；金源为巯基磺酸金盐；巯基磺酸无氰镀金电镀液的pH为2~13。本发明提供的巯基磺酸无氰镀金电镀液不含有剧毒物质，采用的巯基磺酸金盐具有较高的稳定性，使巯基磺酸无氰镀金电镀液具有较高的稳定性和较长的使用寿命，即使在高低温变化、光照、长时间存储或长时间电镀后仍保持澄清透明状态和相同电镀效果，从而有效保证电镀得到的镀金件性能，镀金件纯度大于99.9%、结合性良好、孔隙率低、平整致密、外观金黄光亮，有利于在电子器件和半导体制造中应用。
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公开(公告)号：CN118431093A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410583065.7
申请日：2024-05-11
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L21/60 , H01L23/488 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种择优取向纳米孪晶铜柱凸点互连结构及其制备方法，提供具有钝化层的晶圆基底，并在钝化层的凹槽内设置金属焊盘；设置介电层，介电层覆盖在钝化层及金属焊盘上；选择性掩蔽和刻蚀介电层，使金属焊盘表面暴露在介电层窗口中；物理溅射种子层于介电层和暴露出来的金属焊盘上；在种子层上涂覆光刻胶层，并对光刻胶层图形化处理，以暴露出金属焊盘上方的种子层；采用直流电镀工艺制备铜柱；在铜柱上电镀焊料；去除光刻胶层；刻蚀介电层上的多余种子层；对铜柱顶端的焊料进行回流，得到钎料凸点。本发明的电镀液不含有添加剂以及氯离子，与Sn基钎料凸点互连后界面无柯肯达尔孔洞，提高了铜柱凸点互连结构制造及服役的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114411233B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202210028237.5
申请日：2022-01-11
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明提供一种快速制备(100)单晶铜的方法，在对(111)择优取向纳米孪晶Cu薄膜进行退火的同时，对其施加电场并保持一定时间，使其晶粒快速长大，最终(111)择优取向的纳米孪晶Cu转变为(100)择优取向的单晶Cu。本发明的方法显著提高了单晶Cu的生产效率，制得具有(100)择优取向的大晶粒尺寸单晶Cu，其具有优良的力学性能、抗氧化性能、抗电迁移性能和热稳定性等优点。本发明的(100)单晶铜制备方法简单、高效、成本低，且与目前微电子封装工艺兼容性好，非常适用于大规模工业化生产。
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公开(公告)号：CN119772295A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202510266981.2
申请日：2025-03-07
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明提供一种控制功率电子器件大面积热界面连接空洞率的装置及方法，装置部分通过优化钢网印刷模块的网格结构形状设计，确保焊膏层中的有机溶剂和水汽能够顺畅排出，从而有效减少了焊接过程中的空洞率；方法部分通过回流焊接工艺的优化，包括升温过程、保温过程、预回流和回流过程等各个阶段的温度控制及真空度优化，适当延长了气体的逸出时间，使得空洞率控制在1%以下，降低了界面热阻，提高了散热性能。本发明通过优化设计和工艺使得生产过程简化，操作更加便捷且成本低，适用于大规模生产；同时由于空洞率得到有效控制，生产过程中产品质量一致性得以保障，提高了功率电子器件的散热效率和使用寿命。
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公开(公告)号：CN115662966B
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202211328767.8
申请日：2022-10-27
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L23/373 , B23K35/362
Abstract: 本发明提供一种功率电子器件高效散热的界面连接结构及制备方法，包括第一低温钎料层和第二低温钎料层，二者之间放置金属‑金属泡沫复合材料，该金属‑金属泡沫复合材料具有结构与性能可设计性，可根据所选功率器件封装材料对热界面连接结构的热导率以及热膨胀系数进行调配，实现散热效率和各封装材料之间热膨胀系数匹配度的双向同步提升。第一低温钎料层位于上侧基体与金属‑金属泡沫复合材料之间，第二低温钎料层位于金属‑金属泡沫复合材料与下侧基体之间。在回流焊及后续的服役过程中，两侧低温钎料中的降熔元素与金属‑金属泡沫复合材料中的中高温无铅钎料双向扩散，致使连接结构的重熔温度高于低温钎料层熔点，实现“低温连接，高温服役”。
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公开(公告)号：CN117210895A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311325145.4
申请日：2023-10-12
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明公开了一种精确控制Au‑Sn合金镀层成分的电镀方法，属于电镀技术领域。在相匹配的Au‑Sn合金电镀液中利用由两个不同的正向周期方波脉冲电流组成的电流组电镀制备设定成分的(AuSn/Au5Sn)n镀层(n＝1,2,…,n)。微纳尺度的AuSn相和Au5Sn相组成了(AuSn/Au5Sn)复合相，n为电流组和复合相周期重复的次(个)数。基于质量守恒定律，计算(AuSn/Au5Sn)复合相中两相之厚度比，控制两个不同的正向周期方波脉冲电流的峰值电流密度、电镀时间和n值，获得成分可精准调控的Au‑Sn合金镀层，其成分偏差小于1.0％，重现性可达98％以上，可应用于微电子与光电子器件的封装技术中。
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公开(公告)号：CN115662966A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211328767.8
申请日：2022-10-27
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L23/373 , B23K35/362
Abstract: 本发明提供一种功率电子器件高效散热的界面连接结构及制备方法，包括第一低温钎料层和第二低温钎料层，二者之间放置金属‑金属泡沫复合材料，该金属‑金属泡沫复合材料具有结构与性能可设计性，可根据所选功率器件封装材料对热界面连接结构的热导率以及热膨胀系数进行调配，实现散热效率和各封装材料之间热膨胀系数匹配度的双向同步提升。第一低温钎料层位于上侧基体与金属‑金属泡沫复合材料之间，第二低温钎料层位于金属‑金属泡沫复合材料与下侧基体之间。在回流焊及后续的服役过程中，两侧低温钎料中的降熔元素与金属‑金属泡沫复合材料中的中高温无铅钎料双向扩散，致使连接结构的重熔温度高于低温钎料层熔点，实现“低温连接，高温服役”。
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