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公开(公告)号：CN1808712A
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN200610006316.7
申请日：2006-01-18
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 一种半导体装置，在由有机物构成的绝缘膜所形成的基板上具有布线图形，并安装半导体芯片，用各向异性导电粘接剂电连接液晶显示面板和PW基板。用硅偶连剂对绝缘膜的至少一个表面进行处理。在绝缘膜的表面上存在0.5～12.0atomic％(表面元素浓度)的作为硅偶连剂之构成元素的硅(Si)。
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公开(公告)号：CN1674241A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN200510056035.8
申请日：2005-03-22
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 用第1密封树脂密封半导体元件与布线图形的连接区，使该第1密封树脂固化形成第1密封树脂层后，通过用第2密封树脂覆盖上述半导体元件，使之至少密封上述半导体元件的角部，使该第2密封树脂固化形成第2密封树脂层，用2个阶段进行上述半导体元件中的树脂密封。在这样得到的半导体器件中，上述密封树脂具有：密封上述半导体元件与布线图形的连接区的第1密封树脂层和覆盖上述半导体元件，使之至少密封上述半导体元件的处于露出状态的角部的第2密封树脂层的2层结构。
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公开(公告)号：CN1577829A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410063281.1
申请日：2004-06-30
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L23/4985 , G02F1/13452 , H01L2224/16 , H01L2224/73204 , H01L2924/00014 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/12041 , H01L2924/15151 , H01L2224/0401
Abstract: 半导体载体用膜包括：具有绝缘性的基底膜；在基底膜上形成的阻挡层，该阻挡层以镍－铬合金作为主要成分；以及在阻挡层上形成的布线层，该布线层由包括铜的导电物构成，并且阻挡层中铬的含量为15～50重量％。此外，通过将半导体元件接合到布线层来形成半导体装置。由此，本发明就能够提供一种即使在高温高湿环境下端子间的绝缘电阻也比现有技术难于恶化的半导体载体用膜及使用其的半导体装置，以便适用于微细间距化和高输出化。
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公开(公告)号：CN101848848B
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN200880114909.2
申请日：2008-11-07
Applicant: 夏普株式会社
IPC: B65D85/86 , B65D85/672 , H01L21/60
CPC classification number: B65D73/02 , B65B15/04 , B65B55/20 , B65H18/28 , B65H2407/30 , B65H2511/162 , B65H2601/2532 , B65H2701/1315 , B65H2701/1864 , H01L24/50 , H01L24/86 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/14 , Y10T428/24479
Abstract: TAB带(100)的包装结构，具有TAB带(100)和导电性的压纹带(200)卷绕在导电性的卷盘上的结构，TAB带(100)具有固定在其反复形成有布线图案的薄膜(101)上的多个半导体芯片(103)；压纹带(200)具有在其薄膜(201)的一侧的面上沿带长方向连续形成的突起部(202)；TAB带(100)与压纹带(200)是，在相对叠合薄膜(101)上的半导体芯片(103)的固定面与薄膜(201)上的突起部(202)的突设面的形态下卷绕在卷盘上的；半导体芯片(103)的厚度为t，其中0.2≤t≤0.625mm，且薄膜(201)的厚度约为0.125mm时，压纹带(200)的总厚度为t+0.4mm以上并且1.1mm以下。由此，能够充分确保在出货、运输时对TAB带的保护，并能对所希望的卷绕量的TAB带进行包装。
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公开(公告)号：CN100416812C
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200610006316.7
申请日：2006-01-18
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 一种半导体装置，在由有机物构成的绝缘膜所形成的基板上具有布线图形，并安装半导体芯片，用各向异性导电粘接剂电连接液晶显示面板和PW基板。用硅偶连剂对绝缘膜的至少一个表面进行处理。在绝缘膜的表面上存在0.5～12.0atomic%(表面元素浓度)的作为硅偶连剂之构成元素的硅(Si)。
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公开(公告)号：CN100397625C
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200510073914.1
申请日：2005-05-23
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L23/12 , H01L23/498 , H01L23/28 , G02F1/133
Abstract: 本发明的半导体装置由于具备在基底材料上配置了多个布线的布线基板、在上述布线基板上搭载的半导体元件、包含混合了金属离子结合剂的材料的与布线接触的构件、或者向表面添加了金属离子结合剂的布线，因此能够防止因金属离子从布线析出而导致的迁移发生，能够提供高可靠性的半导体装置。
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公开(公告)号：CN1329981C
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200410063281.1
申请日：2004-06-30
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L23/4985 , G02F1/13452 , H01L2224/16 , H01L2224/73204 , H01L2924/00014 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/12041 , H01L2924/15151 , H01L2224/0401
Abstract: 半导体载体用膜包括：具有绝缘性的基底膜；在基底膜上形成的阻挡层，该阻挡层以镍-铬合金作为主要成分；以及在阻挡层上形成的布线层，该布线层由包括铜的导电物构成，并且阻挡层中铬的含量为15～50重量%。此外，通过将半导体元件接合到布线层来形成半导体装置。由此，本发明就能够提供一种即使在高温高湿环境下端子间的绝缘电阻也比现有技术难于恶化的半导体载体用膜及使用其的半导体装置，以便适用于微细间距化和高输出化。
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