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公开(公告)号:CN101158028A
公开(公告)日:2008-04-09
申请号:CN200710046910.3
申请日:2007-10-11
申请人: 复旦大学
摘要: 本发明属透明导电薄膜技术领域,具体为一种多晶掺钼氧化锌透明导电薄膜的制备方法。其步骤为:以锌钼金属镶嵌靶为靶材,以普通玻璃为基板,基板温度为100-300℃,通过反应直流磁控溅射法,使Ar离子束轰击靶材,将靶材溅射,溅射电流150-300mA,溅射电压100-400V,反应室内的工作压强为0.45-2.5Pa,O2反应气体的分压百分含量P(O2)=Po2/(Po2+PAr)为4.0~10.0%,溅射时间40-100分钟。形成具有多晶结构的掺钼氧化锌透明导电薄膜。薄膜厚度为100-250nm。本发明制备的薄膜具有低电阻率和可见光范围高的光学透明性及高载流子迁移率的特性。本发明方法具有工业生产前景,工艺稳定性好,是一种制备ZMO透明导电氧化物薄膜保证薄膜所制器件优良性能的新方法。
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公开(公告)号:CN1974014A
公开(公告)日:2007-06-06
申请号:CN200610147257.5
申请日:2006-12-14
申请人: 复旦大学
摘要: 本发明属于二氧化钛光催化技术领域,具体涉及一种制备氮掺杂纳米结构二氧化钛的方法。该方法氮化钛粉末为原料,进行热氧化处理,控制温度为450℃~600℃,氧化时间为1-21小时,氮化钛的颜色发生变化,形成具有金红石型纳米结构的二氧化钛。本发明方法工艺简单,避免使用有毒的NH3。制备的材料可应用于光催化剂、太阳能电池、光分解水制氢等到领域。
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公开(公告)号:CN1696335A
公开(公告)日:2005-11-16
申请号:CN200510025957.2
申请日:2005-05-19
申请人: 复旦大学
摘要: 本发明是一种室温下利用反应直流磁控溅射法制备非晶掺钼氧化铟(IMO)透明导电氧化物薄膜的方法。本发明以普通玻璃为基板,利用掺钼铟金属镶嵌靶,在室温下通过反应直流磁控溅射技术,在适当的工作压强和氧分压、溅射电流和溅射电压的条件下制备具有非晶结构的IMO薄膜。所制备的薄膜具有低电阻率、高透射率和高载流子迁移率等优良的光电特性。本发明方法获得的薄膜在新型光电器件领域具有良好应用前景。
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公开(公告)号:CN1267644A
公开(公告)日:2000-09-27
申请号:CN00115361.7
申请日:2000-04-11
申请人: 复旦大学
IPC分类号: C03C17/245 , C23C14/08 , C23C14/34
CPC分类号: C03C17/2456 , C03C2217/212 , C03C2218/156
摘要: 本发明涉及一种具有自清洁功能的玻璃及其制备方法。它以普通玻璃为基板,其上由磁控溅射法镀有二氧化钛膜层。本自清洁玻璃具有良好的亲水性能和分解有机物的能力,因而具有很强的自清洁功能,使用寿命可长达10年以上。该玻璃可以广泛用作房屋建筑的门窗玻璃和汽车玻璃等。
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公开(公告)号:CN101069840A
公开(公告)日:2007-11-14
申请号:CN200710042334.5
申请日:2007-06-21
申请人: 复旦大学
摘要: 本发明属于纳米二氧化钛光催化与光电化学技术领域,具体为一种可见光活性的碳掺杂二氧化钛薄膜的制备方法。该方法采用反应磁控溅射镀膜系统,其步骤包括制备碳钛镶嵌靶;将工作室抽至10-3Pa以下的真空,再依次通过适当比例的氧气和氩气,控制溅射电流为0.5~1A,溅射时间为0.5~3小时,即制得碳掺杂二氧化钛薄膜。本发明制备方法简单,制得薄膜具有可见光活性,可应用于太阳能光电转换和光催化分解水等方面。
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公开(公告)号:CN1257861C
公开(公告)日:2006-05-31
申请号:CN200410017608.1
申请日:2004-08-20
申请人: 复旦大学
摘要: 本发明为一种湿热氧化制备二氧化钛光催化薄膜的方法。具体步骤是以通常玻璃为基板,先由磁控溅射法镀一层纯钛膜,再通过湿热氧化法制得二氧化钛光催化薄膜。湿热氧化是在带水蒸汽的空气或氧气中将钛层加热氧化至透明。本发明方法简单,工艺稳定性好,是一种低成本的制备二氧化钛光催化薄膜的方法。
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公开(公告)号:CN1738071A
公开(公告)日:2006-02-22
申请号:CN200510027788.6
申请日:2005-07-15
申请人: 复旦大学
IPC分类号: H01L51/10 , H01L51/40 , H01L21/283
摘要: 本发明是一种高功函数铂钨共掺氧化铟(In2O3∶Pt,W)/掺钨氧化铟(IWO)双层透明导电氧化物薄膜电极及其制备方法。本发明以普通玻璃为基板,利用掺钨金属铟镶嵌靶和铂+掺钨金属铟镶嵌靶,通过反应直流磁控溅射技术,在本发明的工作压强和氧分压、溅射电流和溅射电压的条件下制备具有高功函数透明氧化物In2O3∶Pt,W/IWO薄膜电极。所制备的薄膜具有低电阻率、高透射率和高功函数等优良的光电特性。通过掺铂含量和In2O3∶Pt,W层厚度调制透明导电氧化物薄膜的功函数。本发明获得的高功函数透明导电氧化物薄膜电极在新型有机光电器件领域具有良好的应用前景。
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