一种多晶掺钼氧化锌透明导电薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN101158028A

    公开(公告)日:2008-04-09

    申请号:CN200710046910.3

    申请日:2007-10-11

    申请人: 复旦大学

    IPC分类号: C23C14/35 C23C14/54 C23C14/08

    摘要: 本发明属透明导电薄膜技术领域,具体为一种多晶掺钼氧化锌透明导电薄膜的制备方法。其步骤为:以锌钼金属镶嵌靶为靶材,以普通玻璃为基板,基板温度为100-300℃,通过反应直流磁控溅射法,使Ar离子束轰击靶材,将靶材溅射,溅射电流150-300mA,溅射电压100-400V,反应室内的工作压强为0.45-2.5Pa,O2反应气体的分压百分含量P(O2)=Po2/(Po2+PAr)为4.0~10.0%,溅射时间40-100分钟。形成具有多晶结构的掺钼氧化锌透明导电薄膜。薄膜厚度为100-250nm。本发明制备的薄膜具有低电阻率和可见光范围高的光学透明性及高载流子迁移率的特性。本发明方法具有工业生产前景,工艺稳定性好,是一种制备ZMO透明导电氧化物薄膜保证薄膜所制器件优良性能的新方法。

    一种对Si量子点掺杂的方法

    公开(公告)号:CN1326209C

    公开(公告)日:2007-07-11

    申请号:CN200410025433.9

    申请日:2004-06-24

    申请人: 复旦大学

    IPC分类号: H01L21/22 C09K11/59 H01L21/20

    摘要: 本发明为一种对Si量子点掺杂的方法。具体是采用真空蒸发技术在已经制备好的嵌有Si量子点的SiO2薄膜表面上蒸镀一层CeF3薄膜,然后低温退火,使CeF3扩散到量子点周围,或量子点中。经本发明掺杂的Si量子点的荧光强度大为提高。本发明方法所用设备普通,工艺步骤简单,成本低廉。

    一种氮掺杂纳米结构二氧化钛的制备方法

    公开(公告)号:CN1974014A

    公开(公告)日:2007-06-06

    申请号:CN200610147257.5

    申请日:2006-12-14

    申请人: 复旦大学

    IPC分类号: B01J37/12 B01J37/08 B01J21/06

    摘要: 本发明属于二氧化钛光催化技术领域,具体涉及一种制备氮掺杂纳米结构二氧化钛的方法。该方法氮化钛粉末为原料,进行热氧化处理,控制温度为450℃~600℃,氧化时间为1-21小时,氮化钛的颜色发生变化,形成具有金红石型纳米结构的二氧化钛。本发明方法工艺简单,避免使用有毒的NH3。制备的材料可应用于光催化剂、太阳能电池、光分解水制氢等到领域。

    一种非晶透明导电氧化物薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN1696335A

    公开(公告)日:2005-11-16

    申请号:CN200510025957.2

    申请日:2005-05-19

    申请人: 复旦大学

    IPC分类号: C23C14/35 C23C14/08

    摘要: 本发明是一种室温下利用反应直流磁控溅射法制备非晶掺钼氧化铟(IMO)透明导电氧化物薄膜的方法。本发明以普通玻璃为基板,利用掺钼铟金属镶嵌靶,在室温下通过反应直流磁控溅射技术,在适当的工作压强和氧分压、溅射电流和溅射电压的条件下制备具有非晶结构的IMO薄膜。所制备的薄膜具有低电阻率、高透射率和高载流子迁移率等优良的光电特性。本发明方法获得的薄膜在新型光电器件领域具有良好应用前景。

    一种可见光活性的碳掺杂纳米二氧化钛薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN101069840A

    公开(公告)日:2007-11-14

    申请号:CN200710042334.5

    申请日:2007-06-21

    申请人: 复旦大学

    IPC分类号: B01J21/06 B01J21/18

    摘要: 本发明属于纳米二氧化钛光催化与光电化学技术领域,具体为一种可见光活性的碳掺杂二氧化钛薄膜的制备方法。该方法采用反应磁控溅射镀膜系统,其步骤包括制备碳钛镶嵌靶;将工作室抽至10-3Pa以下的真空,再依次通过适当比例的氧气和氩气,控制溅射电流为0.5~1A,溅射时间为0.5~3小时,即制得碳掺杂二氧化钛薄膜。本发明制备方法简单,制得薄膜具有可见光活性,可应用于太阳能光电转换和光催化分解水等方面。

    一种高功函数透明导电氧化物薄膜电极及其制备方法

    公开(公告)号:CN1738071A

    公开(公告)日:2006-02-22

    申请号:CN200510027788.6

    申请日:2005-07-15

    申请人: 复旦大学

    摘要: 本发明是一种高功函数铂钨共掺氧化铟(In2O3∶Pt,W)/掺钨氧化铟(IWO)双层透明导电氧化物薄膜电极及其制备方法。本发明以普通玻璃为基板,利用掺钨金属铟镶嵌靶和铂+掺钨金属铟镶嵌靶,通过反应直流磁控溅射技术,在本发明的工作压强和氧分压、溅射电流和溅射电压的条件下制备具有高功函数透明氧化物In2O3∶Pt,W/IWO薄膜电极。所制备的薄膜具有低电阻率、高透射率和高功函数等优良的光电特性。通过掺铂含量和In2O3∶Pt,W层厚度调制透明导电氧化物薄膜的功函数。本发明获得的高功函数透明导电氧化物薄膜电极在新型有机光电器件领域具有良好的应用前景。