公开(公告)号：CN101520396A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200910048744.X

申请日：2009-04-02

Applicant: 复旦大学

Inventor： 沈杰 ,  马进 ,  吴臣国 ,  王三坡 ,  吴佩璇

IPC: G01N13/02

Abstract: 本发明属于挠性印制电路板技术领域，具体涉及一种聚酰亚胺表面等离子体轰击效果的检测方法。具体以等离子体放电，轰击基板架上经过洗涤剂、去离子水、分析纯酒精清洁的聚酰亚胺膜，然后用接触角测量仪测量聚酰亚胺膜上水滴的接触角并取其平均值，从而了解聚酰亚胺膜的等离子体轰击处理效果。这样大大改善有关剥离强度的等离子体轰击工艺，获得最佳的等离子体轰击工艺参数。

公开(公告)号：CN101158028A

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200710046910.3

申请日：2007-10-11

Applicant: 复旦大学

Inventor： 沈杰 ,  王三坡 ,  章壮健

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/54 ,  C23C14/08

Abstract: 本发明属透明导电薄膜技术领域，具体为一种多晶掺钼氧化锌透明导电薄膜的制备方法。其步骤为：以锌钼金属镶嵌靶为靶材，以普通玻璃为基板，基板温度为100－300℃，通过反应直流磁控溅射法，使Ar离子束轰击靶材，将靶材溅射，溅射电流150－300mA，溅射电压100－400V，反应室内的工作压强为0.45－2.5Pa，O2反应气体的分压百分含量P(O2)＝Po2/(Po2+PAr)为4.0～10.0％，溅射时间40－100分钟。形成具有多晶结构的掺钼氧化锌透明导电薄膜。薄膜厚度为100－250nm。本发明制备的薄膜具有低电阻率和可见光范围高的光学透明性及高载流子迁移率的特性。本发明方法具有工业生产前景，工艺稳定性好，是一种制备ZMO透明导电氧化物薄膜保证薄膜所制器件优良性能的新方法。

公开(公告)号：CN201144278Y

公开(公告)日：2008-11-05

申请号：CN200720075387.2

申请日：2007-10-11

Applicant: 复旦大学

Inventor： 沈杰 ,  王三坡 ,  章壮健

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/14

Abstract: 本实用新型属于反应直流磁控溅射技术领域，具体为一种用于反应直流磁控溅射的锌钼金属镶嵌靶。在靶以直径为60mm，厚度为2－3mm锌金属圆靶为基础，在其磁溅射区内均匀对称的分布有6－24个直径为0.8－2.0mm小孔，小孔内镶嵌有直径为0.8－2.0mm的钼丝。钼/锌的原子比为0.5at％－12.5at％。使用本实用新型的溅射靶制备得到的多晶掺钼氧化锌薄膜具有低电阻和可见光范围高光学透明性的特性，而且工艺稳定性好，易于工业化生产。