公开(公告)号：CN1594497A

公开(公告)日：2005-03-16

申请号：CN200410025433.9

申请日：2004-06-24

Applicant: 复旦大学

Inventor： 方应翠 ,  陆明 ,  章壮健

IPC: C09K11/59

Abstract: 本发明为一种对Si量子点掺杂的方法。具体是采用真空蒸发技术在已经制备好的嵌有Si量子点的SiO2薄膜表面上蒸镀一层TeF3薄膜，然后低温退火，使CeF3扩散到量子点周围，或量子点中。经本发明掺杂的Si量子点的荧光强度大为提高。本发明方法所用设备普通，工艺步骤简单，成本低廉。

公开(公告)号：CN1326209C

公开(公告)日：2007-07-11

申请号：CN200410025433.9

申请日：2004-06-24

Applicant: 复旦大学

Inventor： 方应翠 ,  陆明 ,  章壮健

IPC: H01L21/22 ,  C09K11/59 ,  H01L21/20

Abstract: 本发明为一种对Si量子点掺杂的方法。具体是采用真空蒸发技术在已经制备好的嵌有Si量子点的SiO2薄膜表面上蒸镀一层CeF3薄膜，然后低温退火，使CeF3扩散到量子点周围，或量子点中。经本发明掺杂的Si量子点的荧光强度大为提高。本发明方法所用设备普通，工艺步骤简单，成本低廉。