公开(公告)号：CN112557776A

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：CN202011411294.9

申请日：2020-12-06

Applicant: 复旦大学

Inventor： 朱国栋 ,  杨将

IPC: G01R29/22

Abstract: 本发明属于仪器仪表技术领域，具体为一种压电材料动态压电性能测试系统及方法。本发明测试系统包括固定架、函数发生器、功率放大器、振动台、数据采集装置、电脑、样品台、动态力传感器、静态力传感器、垂直升降台等部件；本发明集成振动台、数据采集装置、力传感器等组件，依照测试流程，实现不同振幅及频率的力的激励下压电材料压电性能的量化分析。本发明适用于无机压电陶瓷/晶体、压电聚合物、小分子压电体、驻极体、生物压电体等各种压电材料的块体、薄膜及微纳结构。

公开(公告)号：CN111443270A

公开(公告)日：2020-07-24

申请号：CN202010153268.4

申请日：2020-03-07

Applicant: 复旦大学

Inventor： 朱国栋 ,  刘蔚林

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明属于电子技术领域，具体为一种基于拓展栅晶体管的非接触式实时静电监测方法。本发明以场效应晶体管为主体，用导体将场效应晶体管的栅极拓展作为监测端；在场效应晶体管的源极和漏极之间加上恒定的电压，将栅极引出的监测端以非接触的方式靠近带静电的物体，通过监测源极与漏极之间的电流，以及监测端与被测物体间的距离，可以得到静电的电位。本方法可用于环境或物体的实时静电监测。本发明方法主要解决现有技术中设计复杂、成本较高的问题。

公开(公告)号：CN110780466A

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201910974554.4

申请日：2019-10-14

Applicant: 复旦大学

Inventor： 刘建华 ,  陶李 ,  吴书昊 ,  李旦 ,  朱国栋 ,  蔡文斌

IPC: G02F1/00 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/13363 ,  G09G3/36

Abstract: 本发明属于导波光学技术领域，具体为一种强度可电调节的表面倏逝波场装置。本发明装置包括：耦合棱镜，电控双折射液晶盒，交流电信号驱动器，以及准直激光光源；电控双折射液晶盒由上、下两块基板对合封装组成；上、下基板的表面镀制有功能薄膜：透明ITO导电膜层、液晶定向层，液晶灌注于两液晶定向层之间；耦合棱镜与液晶盒的下基板处贴合；交流电信号驱动器与液晶盒中的上下两透明ITO导电膜层连接；所述准直激光光源发出的准直激光束从耦合棱镜的一个斜边入射，在液晶盒的上基板外层产生可电调节的表面倏逝波场。倏逝场的强度最高增强范围可达到多个数量级。本装置在表面显微测量，生物学，表面化学，显微光谱等领域有重要应用前景。

公开(公告)号：CN110556305A

公开(公告)日：2019-12-10

申请号：CN201910733844.X

申请日：2019-08-09

Applicant: 复旦大学

Inventor： 朱国栋

IPC: H01L21/66

Abstract: 本发明属于仪器仪表技术领域，具体为一种基于拓展栅晶体管结构的表面电位测量方法。本发明的表面电位测量方法，采用如下部件构成的测试系统：电压源、电流表、晶体管、测试端；电压源用于给晶体管施加源漏偏压；电流表用于测试晶体管源漏偏压下的沟道电流；测试端与晶体管栅极电连接构成拓展栅晶体管结构，用于与待测物间产生静电感应；测试时，对晶体管施加恒定的源漏偏压，将待测物在垂直方向上靠近测试端；测量特定源漏偏压下测试端与待测物不同间距下晶体管源漏电流，经过数据拟合，即获得待测物的表面电位值。本发明方法操作简单，计算方便，精度可靠，可用于各类导体、半导体、绝缘体表面电位的测量。

公开(公告)号：CN104194024B

公开(公告)日：2017-12-19

申请号：CN201410403031.1

申请日：2014-08-16

Applicant: 复旦大学

Inventor： 朱国栋

IPC: C08J7/12 ,  C08L27/16 ,  C08L27/12

Abstract: 本发明属于聚合物薄膜技术领域，具体为一种溶剂蒸气处理铁电聚合物薄膜的方法。本发明方法是把偏二氟乙烯‑三氟乙烯共聚物(简称(P(VDF‑TrFE)))薄膜置于充满丁酮饱和蒸气的密封玻璃腔中，在室温下静置4‑6小时，即可获得具有优良结晶特性和铁电性能的P(VDF‑TrFE)薄膜。

公开(公告)号：CN105514273A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201510950012.5

申请日：2015-12-18

Applicant: 复旦大学

Inventor： 朱国栋

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01L51/0591 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0032

Abstract: 本发明属于阻变存储器技术领域，具体为一种高电学稳定性的铁电/半导体/PMMA三元复合阻变薄膜及其制备方法。本发明的三元复合阻变薄膜是对铁电/半导体复合薄膜进行聚甲基丙烯酸甲脂(PMMA)掺杂而得到，PMMA的掺杂量与铁电聚合物的质量比为0.1:10-0.3:10。该三元复合薄膜的表面粗糙度、抗电疲劳特性和阻态保持性能都得到明显改善。由于PMMA与铁电聚合物P(VDF-TrFE)互溶性佳，可有效降低铁电相的漏电特性；而PMMA与有机半导体，如P3HT，形成层状相分离结构，可有效抑制半导体相的漏电，降低半导体相电击穿的风险。

公开(公告)号：CN103483746A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201310429297.9

申请日：2013-09-22

Applicant: 复旦大学

Inventor： 朱国栋

IPC: C08L27/16 ,  C08J3/09

Abstract: 本发明涉及一种微纳尺寸有机铁电颗粒的制备方法。在铁电聚合物的丁酮溶液中添加适量的第二种溶剂(水、丙酮、乙醇)并均匀混合，混合溶液涂布于干净基片表面，待溶剂挥发后即可获得微纳尺寸的铁电聚合物颗粒。通过铁电聚合物溶液质量浓度的调节以及第二种溶剂的选取，可以获得不同粒径的铁电颗粒。本发明制备工艺简单，通过两种溶剂的混合即可实现微纳尺寸铁电聚合物颗粒的制备，且通过对两种溶剂体积比以及铁电聚合物质量浓度的调节可实现铁电聚合物颗粒粒径的调控。

公开(公告)号：CN101256070A

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200810036160.6

申请日：2008-04-17

Applicant: 复旦大学

Inventor： 朱国栋 ,  曾志刚 ,  严学俭

IPC: G01B11/24 ,  G01B11/26 ,  G01N13/16

Abstract: 本发明属于测量技术领域，具体为一种无损伤的测定原子力显微镜探针形态参数的方法。通过用待测探针分别扫描分散状聚苯乙烯微球和密排状聚苯乙烯微球，获取一定参数后，用扫描时探针和微球的几何关系所确定的方程式来计算即可求得待测探针的针尖曲率半径r和锥角θ。本发明还阐述了微球样品的制备方法。本发明操作简单，花费的成本与时间少，测试精度高，结果可靠。

公开(公告)号：CN116400419A

公开(公告)日：2023-07-07

申请号：CN202310300054.9

申请日：2023-03-26

Applicant: 复旦大学

Inventor： 朱国栋

IPC: G01V3/08 ,  G01L1/16

Abstract: 本发明属于电子技术信息传感技术领域，具体为一种压电晶体管双模式传感器的接近和接触信号识别方法。将压电电容与晶体管结合构建压电晶体管器件实现接近传感与接触传感二合一功能集成。然而压电晶体管工作时无法有效区分传感信号来源。本发明提出结合双栅晶体管与压电电容构建具有拓展栅结构的双栅压电晶体管接近/接触双模式传感器件，压电电容作为接近和接触信号的传感端。压电电容器件顶电极与双栅晶体管栅极电连接且两者通过开关电路与地连接，压电电容器件的另一电极则与晶体管另一栅极连接。通过开关电路周期性开/关过程中接近传感与接触传感源漏电流信号响应规律的差异，实现接近传感和接触传感信号的有效区分。

公开(公告)号：CN112687799B

公开(公告)日：2022-10-11

申请号：CN202011510746.9

申请日：2020-12-19

Applicant: 复旦大学

Inventor： 朱国栋 ,  陈秋松 ,  刘蔚林

IPC: H01L51/40 ,  H01L51/05 ,  H01L21/34 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明属于半导体器件制造技术领域，具体一种高结晶度半导体膜转移制造方法。本发明方法利用具有粘度调节特性的热剥离胶带，将在诱导结晶模板上制备的半导体薄膜转移到目标衬底上，实现半导体内高度结晶区域与载流子传输区域的重合，并控制半导体膜分子链的取向排列，优化载流子传输效率，以便获得高电性能的半导体器件，从而实现高电学性能半导体器件的可靠制造。