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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114280674B
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202111583143.6
申请日：2021-12-22
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于仪器仪表技术领域，具体为一种基于静电感应机制的多点接近传感网络系统。本发明系统包括：直流电压源、电流表、晶体管、带有屏蔽层的信号线；电压源用于给晶体管施加源漏偏压；电流表用于测试晶体管源漏偏压下的沟道电流；信号线根据传感位置要求排列，在需要接近传感探测的位置处部分地破开屏蔽层，暴露出内部的信号线作为传感端；所有屏蔽层均接地，所有内部信号线与晶体管的栅端电连接。当待测物体在任何传感端处靠近或远离时，静电感应作用导致晶体管栅极上感应电势变化，从而确认待测物体的靠近。本发明仅采用一个晶体管结合合理的布线设计，即可实现具有多点传感功能的网络结构，避免了采用多个晶体管实现多点传感的方案的不足。
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公开(公告)号：CN111443270A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN202010153268.4
申请日：2020-03-07
Applicant: 复旦大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明属于电子技术领域，具体为一种基于拓展栅晶体管的非接触式实时静电监测方法。本发明以场效应晶体管为主体，用导体将场效应晶体管的栅极拓展作为监测端；在场效应晶体管的源极和漏极之间加上恒定的电压，将栅极引出的监测端以非接触的方式靠近带静电的物体，通过监测源极与漏极之间的电流，以及监测端与被测物体间的距离，可以得到静电的电位。本方法可用于环境或物体的实时静电监测。本发明方法主要解决现有技术中设计复杂、成本较高的问题。
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公开(公告)号：CN112687799A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011510746.9
申请日：2020-12-19
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L51/40 , H01L51/05 , H01L21/34 , H01L21/683
Abstract: 本发明属于半导体器件制造技术领域，具体一种高结晶度半导体膜转移制造方法。本发明方法利用具有粘度调节特性的热剥离胶带，将在诱导结晶模板上制备的半导体薄膜转移到目标衬底上，实现半导体内高度结晶区域与载流子传输区域的重合，并控制半导体膜分子链的取向排列，优化载流子传输效率，以便获得高电性能的半导体器件，从而实现高电学性能半导体器件的可靠制造。
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公开(公告)号：CN112687799B
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202011510746.9
申请日：2020-12-19
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L51/40 , H01L51/05 , H01L21/34 , H01L21/683
Abstract: 本发明属于半导体器件制造技术领域，具体一种高结晶度半导体膜转移制造方法。本发明方法利用具有粘度调节特性的热剥离胶带，将在诱导结晶模板上制备的半导体薄膜转移到目标衬底上，实现半导体内高度结晶区域与载流子传输区域的重合，并控制半导体膜分子链的取向排列，优化载流子传输效率，以便获得高电性能的半导体器件，从而实现高电学性能半导体器件的可靠制造。
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公开(公告)号：CN114280674A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111583143.6
申请日：2021-12-22
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于仪器仪表技术领域，具体为一种基于静电感应机制的多点接近传感网络系统。本发明系统包括：直流电压源、电流表、晶体管、带有屏蔽层的信号线；电压源用于给晶体管施加源漏偏压；电流表用于测试晶体管源漏偏压下的沟道电流；信号线根据传感位置要求排列，在需要接近传感探测的位置处部分地破开屏蔽层，暴露出内部的信号线作为传感端；所有屏蔽层均接地，所有内部信号线与晶体管的栅端电连接。当待测物体在任何传感端处靠近或远离时，静电感应作用导致晶体管栅极上感应电势变化，从而确认待测物体的靠近。本发明仅采用一个晶体管结合合理的布线设计，即可实现具有多点传感功能的网络结构，避免了采用多个晶体管实现多点传感的方案的不足。
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