公开(公告)号：CN112687799A

公开(公告)日：2021-04-20

申请号：CN202011510746.9

申请日：2020-12-19

Applicant: 复旦大学

Inventor： 朱国栋 ,  陈秋松 ,  刘蔚林

IPC: H01L51/40 ,  H01L51/05 ,  H01L21/34 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明属于半导体器件制造技术领域，具体一种高结晶度半导体膜转移制造方法。本发明方法利用具有粘度调节特性的热剥离胶带，将在诱导结晶模板上制备的半导体薄膜转移到目标衬底上，实现半导体内高度结晶区域与载流子传输区域的重合，并控制半导体膜分子链的取向排列，优化载流子传输效率，以便获得高电性能的半导体器件，从而实现高电学性能半导体器件的可靠制造。

公开(公告)号：CN112687799B

公开(公告)日：2022-10-11

申请号：CN202011510746.9

申请日：2020-12-19

Applicant: 复旦大学

Inventor： 朱国栋 ,  陈秋松 ,  刘蔚林

IPC: H01L51/40 ,  H01L51/05 ,  H01L21/34 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明属于半导体器件制造技术领域，具体一种高结晶度半导体膜转移制造方法。本发明方法利用具有粘度调节特性的热剥离胶带，将在诱导结晶模板上制备的半导体薄膜转移到目标衬底上，实现半导体内高度结晶区域与载流子传输区域的重合，并控制半导体膜分子链的取向排列，优化载流子传输效率，以便获得高电性能的半导体器件，从而实现高电学性能半导体器件的可靠制造。

公开(公告)号：CN108899058A

公开(公告)日：2018-11-27

申请号：CN201810588956.6

申请日：2018-06-08

Applicant: 复旦大学

Inventor： 朱国栋 ,  陈秋松

IPC: G11C11/22 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明属于信息技术领域，具体为一种基于源/漏电极区差异性铁电极化的四态铁电晶体管存储器的操作方法。本发明通过在源漏栅三极间施加不同的电压，使源/漏区铁电膜具有互不依赖的铁电极化取向，借助源/漏区域铁电极化状态的组合可以在一个铁电晶体管上实现四个存储状态。本发明在不改变铁电晶体管存储器制备工艺和结构的情况下，可直接使其存储容量翻倍，适用范围广。