公开(公告)号：CN1309078C

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN03103803.4

申请日：2003-02-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 那须彻 ,  林慎一郎

IPC: H01L27/04

CPC classification number: H01L28/56

Abstract: 一种铁电电容元件，由下部电极、铁电膜构成的电容绝缘膜和上部电极构成的铁电电容元件中的铁电膜具有：由Bi2O2构成的多个氧化铋层21、和由至少一个第1层(22)及至少一个第2层(23)构成的多个类钙钛矿层交互地叠层的铋层状结构。第1层(22)由BO4(其中，B是5价的金属)构成，第2层(23)由(A1-xBi2x/3)B2O7(其中，A是2价的金属，B是5价的金属，x满足条件0＜x＜1。)构成。由此，在将具有铋层状结构的铁电膜作为电容绝缘膜使用的铁电电容元件中，可防止因泄漏电流增加和耐压降低造成的不良现象的发生。

公开(公告)号：CN1638060A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200510003676.7

申请日：2005-01-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 矢野尚 ,  林慎一郎

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/28 ,  H01B3/00

CPC classification number: H01L28/40 ,  C23C16/409 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31691 ,  H01L21/32136 ,  H01L28/56 ,  H01L28/60

Abstract: 本发明防止在强电介质膜电容器中，强电介质膜的成分在膜厚方向上的不均匀，以实现具有良好电气特性的电容器。本发明的半导体装置的制造方法是，在半导体基板上形成下部电极(S11)；接着，通过使用第一原料气体的CVD法，在下部电极上形成第一强电介质膜(S13a)；然后，通过使用第二原料气体的CVD法，在第一强电介质膜上形成第二强电介质膜(S13b)；此后，在第二强电介质膜上形成上部电极(S14)；其中，包含于形成第一强电介质膜工序(S13a)中使用的第一原料气体中的铋浓度与包含于形成第二强电介质膜工序(S13b)中使用的第二原料气体中的铋浓度不同。

公开(公告)号：CN1315191C

公开(公告)日：2007-05-09

申请号：CN200410068220.4

申请日：2004-08-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 长野能久 ,  林慎一郎

IPC: H01L27/10

CPC classification number: H01L28/55 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/65 ,  H01L28/90

Abstract: 本发明涉及电容元件及半导体存储装置，电容元件(22)，具有立体形状的下部电极(19)，和该下部电极(19)相对形成的上部电极(21)，和在下部电极(19)和上部电极(21)之间形成的由结晶化的铁电体构成的电容绝缘膜(20)。电容绝缘膜(20)的膜厚设定在12.5nm以上而且在100nm以下，进一步，铁电体具有多结晶结构时，其结晶粒径设定在12.5nm以上而且在200nm以下。从而在具有立体形状的下部电极和由铁电体构成的电容绝缘膜的电容元件及使用它的半导体存储装置中，通过简易的方法，防止铁电体中的极化特性劣化，不给电容元件的数据保持特性带来不良影响。

公开(公告)号：CN1779976A

公开(公告)日：2006-05-31

申请号：CN200510113698.9

申请日：2005-10-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 林慎一郎 ,  那须彻

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/92 ,  H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/822 ,  H01B3/00 ,  H01G4/06

CPC classification number: H01L27/11502 ,  C23C16/40 ,  C23C16/56 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L28/65

Abstract: 本发明公开了一种电容绝缘膜及其制造方法、电容元件及其制造方法和半导体存储装置及其制造方法。本发明的目的在于：提供一种即使被细微化，也具有充分的极化特性的电容绝缘膜。电容绝缘膜，为由形成在半导体衬底11上的铁电膜构成的电容绝缘膜21；铁电膜，含有发挥使结晶取向成为随机结晶取向的结晶生长的结晶核作用的元素。

公开(公告)号：CN1469477A

公开(公告)日：2004-01-21

申请号：CN03136291.5

申请日：2003-05-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 三河巧 ,  十代勇治 ,  林慎一郎

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L28/55 ,  H01L28/60 ,  Y10T29/43

Abstract: 提供一种容量元件及其制造方法。所述容量元件是在半导体基板100形成的层间绝缘膜101上形成容量元件，是由白金组成的下面电极102、吸留氢气的元素比如钛元素包含在结晶粒界面、晶格间的位置或空穴的SBT(SrTaBiO)组成的容量绝缘膜103、由白金组成的上面电极104等的层叠体所组成。即使是对强电介质电容实施氢气气氛中的热处理，构成容量绝缘膜的强电介质膜或高电介质膜的极化特性不降低。

公开(公告)号：CN1132234C

公开(公告)日：2003-12-24

申请号：CN98800229.9

申请日：1998-03-03

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 林慎一郎 ,  大槻男

IPC: H01L21/3205

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L21/768 ,  H01L28/55 ,  H01L28/60

Abstract: 一种铁电薄膜电容器(400)具有光滑的电极(412、420)，随着铁电电容器老化允许相对较强的极化、较少疲劳及较少印记。光滑电极表面(414、428)是用小心地控制的干燥、轻烘烤及退火条件生成的。

公开(公告)号：CN1294655C

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200410063756.7

申请日：2004-07-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 夏目进也 ,  林慎一郎

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L28/65 ,  H01L21/31637 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10885 ,  H01L28/90

Abstract: 电容元件(26)具有：在设置在半导体衬底(10)的第三层间绝缘膜(22)上的开口部(22a)的底面和壁面上形成的由贵重金属的氧化物、氮化物或氮氧化物的多晶体构成的下部电极(23)、形成在该下部电极(23)之上的由介质构成的电容绝缘膜(24)和形成在该电容绝缘膜(24)上的由贵重金属的氧化物、氮化物或氮氧化物的多晶体构成的上部电极(25)。通过该结构，能防止对电容绝缘膜(24)的用于介质结晶的热处理时产生的下部电极(23)和上部电极(25)的断线、构成电容绝缘膜(24)的原子的扩散。能防止由于对介质进行比较高温的热处理而产生的电极断线。

公开(公告)号：CN1577867A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410063756.7

申请日：2004-07-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 夏目进也 ,  林慎一郎

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L28/65 ,  H01L21/31637 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10885 ,  H01L28/90

Abstract: 电容元件(26)具有：在设置在半导体衬底(10)的第三层间绝缘膜(22)上的开口部(22a)的底面和壁面上形成的由贵重金属的氧化物、氮化物或氮氧化物的多晶体构成的下部电极(23)、形成在该下部电极(23)之上的由介质构成的电容绝缘膜(24)和形成在该电容绝缘膜(24)上的由贵重金属的氧化物、氮化物或氮氧化物的多晶体构成的上部电极(25)。通过该结构，能防止对电容绝缘膜(24)的用于介质结晶的热处理时产生的下部电极(23)和上部电极(25)的断线、构成电容绝缘膜(24)的原子的扩散。能防止由于对介质进行比较高温的热处理而产生的电极断线。

公开(公告)号：CN1438708A

公开(公告)日：2003-08-27

申请号：CN03103803.4

申请日：2003-02-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 那须彻 ,  林慎一郎

IPC: H01L27/108

CPC classification number: H01L28/56

Abstract: 一种铁电电容元件，由下部电极、铁电膜构成的电容绝缘膜和上部电极构成的铁电电容元件中的铁电膜具有：由Bi2O2构成的多个氧化铋层21、和由至少一个第1层(22)及至少一个第2层(23)构成的多个假钙钛矿层交互地叠层的铋层状结构。第1层(22)由BO4(其中，B是5价的金属)构成，第2层(23)由(A1－xBi2x/3)B2O7(其中，A是2价的金属，B是5价的金属，x满足条件0＜x＜1。)构成。由此，在将具有铋层状结构的铁电膜作为电容绝缘膜使用的铁电电容元件中，可防止因泄漏电流增加和耐压降低造成的不良现象的发生。

公开(公告)号：CN1311897A

公开(公告)日：2001-09-05

申请号：CN99809280.0

申请日：1999-07-07

Applicant: 塞姆特里克斯公司 ,  松下电子工业株式会社

Inventor： 林慎一郎 ,  拉里·D·麦克米伦 ,  卡洛斯·A·帕兹德阿罗

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/31691 ,  B05D1/00 ,  B05D1/60 ,  B05D3/0493 ,  B05D3/062 ,  B05D3/065 ,  C23C8/10 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/4486 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/4558 ,  C23C16/46 ,  C23C16/482 ,  C23C16/52 ,  C23C18/12 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1287 ,  C23C18/1291 ,  C23C18/14 ,  C23C26/02 ,  C30B7/00 ,  C30B7/005 ,  C30B29/68 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02348 ,  H01L27/11502 ,  H01L28/55 ,  H01L28/56 ,  H01L28/60 ,  H01L41/314 ,  H05K3/105 ,  Y10S427/101

Abstract: 一基片(5)位于一沉积室(2)中,该基片界定一基片平面。用超声波或文丘里设备把一包含稀释剂的液态前体(64)雾化成胶态雾,该稀释剂把所述液态前体溶液的表面张力减小到每厘米10－40达因。该雾生成后安置在一缓冲室中,经一系统过滤成0.01μm,然后流入在该基片与挡板之间的沉积室中,在该基片上沉积成一液态层。该液体经干燥在该基片上形成一金属氧化物固态薄膜,该薄膜然后制成集成电路中的一电元件。