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公开(公告)号：CN103779376A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201310484752.5
申请日：2013-10-16
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L27/24 , H01L27/142 , H01L21/82
CPC classification number: H01L27/2472 , H01L23/576 , H01L27/24 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/142 , H01L45/144 , H01L2924/0002 , Y10T29/49155 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及具有篡改检测和响应装置的集成电路以及用于制造这种集成电路的方法。一种具有篡改检测和响应装置的集成电路包括至少一种反应材料和耦合到所述至少一种反应材料的至少一个存储单元。所述至少一种反应材料中的放热反应引起所述至少一个存储单元的存储状态的改变。另一种具有篡改检测和响应装置的集成电路包括衬底、所述衬底上的至少一个门以及位于所述至少一个门的第一阱和第二阱之间的反应材料。所述反应材料中的反应引起所述门中的短路。
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公开(公告)号：CN100552817C
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200710104461.3
申请日：2007-04-23
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G11C11/412 , G11C11/417
CPC classification number: G11C11/4125 , Y10S257/903
Abstract: 一种存储器单元包括字线、具有第一输入端和第一输出端的第一数字反相器，具有第二输入端和第二输出端的第二数字反相器。此外，所述存储器单元进一步包括第一反馈连接，所述第一反馈连接将所述第一输出端连接到所述第二输入端、以及第二反馈连接，所述第二反馈连接将所述第二输出端连接到所述第一输入端。所述第一反馈连接含有第一电阻元件，而所述第二反馈连接含有第二电阻元件。此外，每个数字反相器具有一个相关的电容。所述存储器单元的配置使得读所述存储器单元包括施加读电压脉冲到所述字线。此外，所述第一和第二电阻元件的配置使得所述第一和第二反馈连接具有比所施加的读电压脉冲更长的电阻-电容引致的延迟。
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公开(公告)号：CN101079419A
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200710103804.4
申请日：2007-05-15
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L27/02 , H01L23/532 , H01L29/78 , H01L29/43 , H01L29/49 , H01L21/822 , H01L21/768 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L23/485 , H01L21/28518 , H01L21/76877 , H01L21/76883 , H01L23/53209 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了减小接触开口内接触电阻的半导体结构以及形成该结构的方法。这在本发明中通过用含金属锗化物接触材料取代常规的接触冶金，例如钨，或金属硅化物，例如Ni硅化物或Cu硅化物实现。在本申请中使用术语“含金属锗化物”表示纯金属锗化物(即，MGe合金)或包括Si的金属锗化物(即，MSiGe合金)。
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公开(公告)号：CN1233852A
公开(公告)日：1999-11-03
申请号：CN99104442.8
申请日：1999-03-29
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/28 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L21/7687 , H01L21/76843 , H01L23/53223 , H01L23/53238 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明旨在提供α－W层,用于如沟槽电容器或镶嵌布线级等互连结构中作为扩散阻挡层。该α－W层是单相材料,是利以用六羰基钨W(CO)6作源材料的低温/低压化学汽相淀积形成的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104516011B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201410498022.5
申请日：2014-09-25
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 本申请提供了识别电路的方法、集成电路设备和用于检测烟尘的设备。所述方法包括：提供包括电路硬件装置和放射源的装置，其中放射源机械地连接到电路硬件装置，并且放射源具有预定的放射性指纹，所述预定的放射性指纹具有至少包括第一放射性指纹特性的一组放射性指纹特性；基于由放射源发出的辐射，检测至少一些放射性指纹特性；以及至少部分地基于检测到的放射性指纹特性，识别电路硬件装置的至少第一识别特性。
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公开(公告)号：CN104516011A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201410498022.5
申请日：2014-09-25
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 本申请提供了识别电路的方法、集成电路设备和用于检测烟尘的设备。所述方法包括：提供包括电路硬件装置和放射源的装置，其中放射源机械地连接到电路硬件装置，并且放射源具有预定的放射性指纹，所述预定的放射性指纹具有至少包括第一放射性指纹特性的一组放射性指纹特性；基于由放射源发出的辐射，检测至少一些放射性指纹特性；以及至少部分地基于检测到的放射性指纹特性，识别电路硬件装置的至少第一识别特性。
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公开(公告)号：CN100541799C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200710103804.4
申请日：2007-05-15
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L27/02 , H01L23/532 , H01L29/78 , H01L29/43 , H01L29/49 , H01L21/822 , H01L21/768 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L23/485 , H01L21/28518 , H01L21/76877 , H01L21/76883 , H01L23/53209 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了减小接触开口内接触电阻的半导体结构以及形成该结构的方法。这在本发明中通过用含金属锗化物接触材料取代常规的接触冶金，例如钨，或金属硅化物，例如Ni硅化物或Cu硅化物实现。在本发明中使用术语“含金属锗化物”表示纯金属锗化物(即，MGe合金)或包括Si的金属锗化物(即，MSiGe合金)。
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公开(公告)号：CN101064189A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200710104461.3
申请日：2007-04-23
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G11C11/412 , G11C11/417
CPC classification number: G11C11/4125 , Y10S257/903
Abstract: 一种存储器单元包括字线、具有第一输入端和第一输出端的第一数字反相器，具有第二输入端和第二输出端的第二数字反相器。此外，所述存储器单元进一步包括第一反馈连接，所述第一反馈连接将所述第一输出端连接到所述第二输入端、以及第二反馈连接，所述第二反馈连接将所述第二输出端连接到所述第一输入端。所述第一反馈连接含有第一电阻元件，而所述第二反馈连接含有第二电阻元件。此外，每个数字反相器具有一个相关的电容。所述存储器单元的配置使得读所述存储器单元包括施加读电压脉冲到所述字线。此外，所述第一和第二电阻元件的配置使得所述第一和第二反馈连接具有比所施加的读电压脉冲更长的电阻－电容引致的延迟。
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公开(公告)号：CN1233508C
公开(公告)日：2005-12-28
申请号：CN01814572.8
申请日：2001-06-29
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 通过将一个CMP垫(12)定位在一个支承表面上，使该垫的一个工作表面(22)与一个铣刀(24)和至少一个邻近该铣刀的突出的止动部件(33)相对间隔开，且使铣刀的外端部分伸出该止动部件，而在该垫中形成槽。当铣刀转动时，在铣刀与垫之间的相对轴向运动使铣刀的外端部分在垫上切出一初始凹陷。然后，在旋转的铣刀和垫之间的相对横向运动形成一槽，该槽从上述凹陷离开横向延伸，并与该凹陷具有基本相等的深度。铣刀与垫之间不同的横向运动用于形成各种各样的槽图案，槽的深度由所述止动部件来精确地控制。该槽可以形成于抛光表面和/或垫的后相对表面上；可以设置通道，用以提供后槽与抛光表面或前槽之间的相互连接。抛光表面中的槽可设有出口，通过该出口，可以在抛光表面与工件表面相接触时使磨料浆流出。
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